InSb／GaAs界面的高分辨电镜研究

InSb因具有高的迁移率,长的电子平均自由程及窄的带隙而受到重视。如能在与它有大错配度的GaAs衬底上外延生长出缺陷少的高质量薄膜,可望在光电器件上得到应用。在GaAs(001)面上长出同取向的InSb,其错配度高达14.6%,只能进行半共格生长。分子束外延法已能成功地制备出高质量的InSb膜,其中缺陷随膜厚增加而明显减少。图1a是半导体所用分子束外延法在GaAs衬底上长出的InSb膜沿〈110〉取向的复合电子衍射图。一对斑     

难互溶Cu－Fe系机械合金化过程中的结构变化研究

机械合金化可使室温下几乎不互溶体系Ｃｕ＿ｘＦｅ＿（１００－ｘ）形成过饱和国溶体。ｆｅｅ相区的固溶度范围扩展到Ｘ＞３５ａｔ．％。对Ｃｕ＿（４０）Ｆｅ＿（６０）进行的高分辨电镜观察表明：球磨３小时后ｂｅｅ相与ｆｅｅ相之间存在Ｎ－Ｗ关系，即〈００１〉＿α／／〈１１０〉＿γ，〈１１０〉＿α／／〈１１１〉＿γ。表明在球磨的过程中可能发生了逆马氏体相变，ｆｅｅ相区的扩展与此密切相关。球磨６０小时后形成了尺寸比较均匀的纳米晶结构。高分辨电镜同时观察到了层状结构的形成。     

高分辨电子显微像的定量分析与应用Ⅱ.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术,对外延生长的GaAs/InxGa1-xAs应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析.用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系.使用像点定位及畸变测量的分析方法,获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线,扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩,得到了仅由In元素分布导致的点阵参数变化曲线.由晶格参数与In元素含量的线性对应关系,获得了超晶格中In元素沿生长方向的分布曲线.     

钢筋混凝土渡槽病害及老化问题分析研究

在广泛调查我国的钢筋混凝土渡槽运行现状的基础上，列举工程实例阐述了渡醴病害及老化破损的表面和危害，并按宏观表现形式分类为：槽身及支承结构裂缝、地基变形、整体倒塌、渗漏、表层混凝土剥蚀及钢筋锈蚀。对渡槽病害及老化的机理和原因分项进行了深入分析，提出内因是渡槽破损的主要原因，“未老先”渡槽破损的主要表现，应引起高度重视。     

超贫胶结材料坝剖面形式研究

根据重力坝和土石坝剖面设计理论,对超贫胶结材料坝的剖面形式进行研究,通过对不同胶凝材料用量的超贫胶结材料坝进行坝坡稳定分析,拟合得出胶凝材料用量与坝坡稳定坡比值之间的曲线关系,并得出超贫胶结材料坝胶凝材料用量小于40 kg/m3时,坝体剖面更趋于土石坝剖面,介于40~70 kg/m3之间时,坝体剖面既有混凝土重力坝的特征又有土石坝的特征,大于70 kg/m3时,坝体剖面则属于重力坝剖面的结论。     

贝氏体钢中贝氏体铁素体精细孪晶

用高分辨透射电子显微镜观察分析了贝氏体钢贝氏体铁素体的精细结构及其尺寸。观测指出，贝氏体铁素体的组织结构可分为三个层次：贝氏体条束或贝氏体片、亚片条和最小基本单元，或者分为四个层次：贝氏体条束或贝氏体片、亚片条、亚单元和最小基本单元。贝氏体铁素体条束由细小亚片条组成，这些亚片条多数是精细孪晶片条，它们宽度 为5．0－40nm。细小亚片条间存在孪晶取向关系。多数细小亚片条由大约5．0－25nm尺寸的基本单元组成。     

马铃薯雪花全粉真空冷冻干燥制备工艺及其性质

采用真空冷冻干燥技术制备马铃薯雪花全粉,对真空冷冻干燥马铃薯雪花全粉进行扫描电镜、X射线衍射、热特性及复水性分析。结果表明,真空冷冻干燥马铃薯雪花全粉的最佳参数为:升华干燥真空度100 Pa、升华干燥温度76℃、解析干燥真空度70 Pa、解析干燥温度45℃、装料量7.5 kg/m²,冻干速率11.362 3%/h。扫描电镜观察真空冷冻干燥马铃薯雪花全粉其颗粒均一; X射线衍射表明真空冷冻干燥工艺可减少结构破坏;热特性表明真空冷冻干燥马铃薯雪花全粉热稳定性较好,糊化度低,复水性较好,为即食马铃薯泥等产品开发提供依据。     

NaBi(WO4)2晶体生长与光谱性能

采用提拉法生长出钨酸铋钠晶体[分子式NaBi(WO4)2, 简称NBW].生长过程中, 对影响晶体开裂的原因进行了详细的分析, 设计了合理的工艺参数 液面上下10mm内的温度梯度为0.8 ℃/mm, 径向温度梯度小于0.3 ℃/mm.拉速为2～4 mm/h, 转速为10～15 r/min, 降温速率为25 ℃/h, 生长出尺寸为45 mm×35 mm的高质量的钨酸铋钠晶体.X射线衍射分析结果表明, NBW晶体属于四方晶系,空间群为I41/a.光透射测试结果表明了NBW晶体的抗辐照损伤能力强;发射光谱分析发现它的发射峰值位于可见光绿光波段.     

贝氏体铁素体精细结构孪晶及纳米结构

用高分辨电子显微镜观察分析贝氏体钢贝氏体铁素体精细结构及其尺寸的结果表明 ,上贝氏体铁素体亚片条间存在孪晶取向关系 ;下贝氏体铁素体内有孪晶 ;贝氏体铁素体条束由细小的亚片条组成 ,这些亚片条多数是精细孪晶细小片条。高分辨电镜 (HREM)准确地确定细小孪晶片条宽度在 2～ 30nm范围内。文中讨论了贝氏体铁素体精细孪晶形成机制     

用等效电荷法近似计算棒形导体的电容

分析了有限长线电荷周围的电场分布 ,进一步根据静电场解的唯一性定理 ,对带有电荷的椭球状导体的电位和电容利用等效的线电荷进行了分析 ,而且 ,还对实际的棒形导体的电容进行了近似计算。