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111.
锂离子电池低温电解液的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
张国庆  马莉  倪佩  刘元刚 《化工进展》2008,27(2):209-213
分析了从溶剂、锂盐和添加剂3个方面对电解液低温性能进行改进技术的研究现状.首先比较了乙烯碳酸酯(EC)基和丙烯碳酸酯(PC)基溶剂的低温性能,并针对这两类有机电解液的电化学和低温特性的改进,详细论述了几种重要的方法和措施,得出有机溶剂优化和添加剂的使用是提高电解液低温性能的有效手段的重要结论.最后指出了锂离子电池电解液低温性能的研究方向和应用前景.  相似文献   
112.
在地下建筑智能化系统中,设备监控系统是基本的组成部分,其软件设计的正确性十分重要。提出了一种基于SPIN的地下建筑设备监控系统软件正确性验证方法。构建了基于iFIX组态软件的设备控制系统软件Promela模型,利用SPIN模型检验方法对其安全性进行了验证。还利用简化模型进行反例追踪,找出了安全性规约中存在的错误。检验结果表明提出的验证方法是有效性。  相似文献   
113.
针对开发大型综合生物数据库网站中,对数据检索性能方面的需求,开发了搜索引擎BioEngine.BioEngine目前被应用在上海生物信息技术研究中心开发的综合生物数据库库网站(http://lifecenter.sgst.cn)上,可以有效支持该综合生物数据库下十余个子数据库的跨库检索.该搜索引擎使用XML进行配置管理,具有良好的可扩展性,适合不断增加子库的综合生物数据库使用.BioEngine的研发成功不但为国内建设大型综合生物数据库提供了数据检索方面的技术支持,也为进一步深入研究生物数据库检索技术奠定了基础.  相似文献   
114.
彩色显像管屏玻壳模具的计算机辅助设计和制造   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文对彩色显像管玻壳生产用模具中最难制造和修理的屏凸模的外表面的数据结构,造型方法和加工工艺进行了较为详细的剖析,并介绍了CAD/CAM软件在提高公司产品质量和减少手工劳动强度方面所发挥的作用。  相似文献   
115.
该文介绍了在贝加莱具有开放式架构的集成软件平台Automation StudioV2.7编程环境下Modbus功能块的使用方法,以及B&RX20系列可编程计算机控制器分别与丹佛斯FC102变频器、ABBACS510变频器、施耐德ATV21变频器的数据通信的实现方法。  相似文献   
116.
通过一个详细的实例,介绍了如何在SYBASESQLSERVER中,对数据库进行用户权限的管理  相似文献   
117.
本文介绍了利用现场可编程逻辑门阵列(FPGA)实现可重构运动控制器的方法。通过将运动控制系统功能模块化,利用硬件描述语言将其设计成相应功能IP核,在更改控制对象时候只需要将相应的IP核采用原理图重新输入和少量的改动生成相应的配置文件,并由上位机对FPGA重新配置即可完成功能上的重构,而无需改动外围硬件电路。  相似文献   
118.
针对全光纤电流互感器(FOCT)传感环不闭合易受相间磁场干扰的问题进行了研究,并提出了一种提高不闭合FOCT抗相间磁场干扰能力的新方法。建立了不闭合FOCT相间磁场干扰数学模型,通过理论研究和仿真分析得出传感环不闭合度、传感环半径、传感环缠绕匝数和相间距离是构成相间磁场干扰特性的主要因素,且总有两个最佳方位角,使得相间磁场不会干扰本相FOCT准确度。据此提出了一种最佳方位角优化方法,即通过将FOCT摆放到最佳方位角,来提高抗相间磁场干扰的能力。实验结果与理论分析相一致,并验证了所提方法的正确性。通过该方法,相间磁场干扰引起的误差由-0.27%下降到-0.02%,使不闭合FOCT满足0.2级要求。  相似文献   
119.
光学电压互感器具有动态范围大、带宽宽、体积小、重量轻、成本低等优点,是传统互感器的最佳替代产品。针对应用于分布式光学电压互感器的高斯算法相对误差进行研究。虽然权函数的引入使得高斯积分算法具有较高的计算精度,但是权函数并不能完全反映干扰电场的作用,当存在外界干扰时,应用高斯算法计算电压存在一定的相对误差。为此,通过ANSOFT电磁场仿真软件对互感器干扰电场进行相应的仿真,分析了干扰接地平板和相间2种干扰所带来的相对误差,结果表明:对于接地平板干扰模型,干扰电场引起的高斯算法相对误差随平板距离的增大而减小;对于相间干扰模型,AC两相同时接电时对B相电压计算相对误差最大;具有较大相对介电常数的屏蔽材料可以极大改善轴向电场分布,屏蔽管相对介电常数为100时,在1 000mm距离的接地平板干扰以及相间干扰作用下,2点高斯积分方法的相对误差<1.5%。最后分析了屏蔽管尺寸对轴向电场的作用,发现屏蔽管环径较大可以改善电场分布,而屏蔽管内径则对轴向电场分布没有太大影响。  相似文献   
120.
利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。  相似文献   
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