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541.
利用1 066 nm光纤激光晶圆标识系统开展晶圆标识工艺的研究,通过控制变量法分别改变占空比、脉宽在晶圆表面标识SEMI T7码,利用数码显微系统进行Dot形貌评估,采用读码器进行读码测试。结果表明,1 066 nm波长激光标识晶圆时有较宽的工艺窗口,占空比10%~22%范围内Dot点形貌光滑、无飞溅;脉宽对Dot点的形貌影响较大,但是经读码器硬件和软件处理、优化后,对读取时间影响较小。在占空比10%~22%及脉宽100~300 ns范围内,均可以得到无飞溅、标识均匀、符合SEMI标识要求的标识。 相似文献
542.
姜黄素是姜黄中重要的功能性物质,研究采用乙醇浸提法对泉州本土10个不同品种姜黄的总姜黄素含量进行测定。其中引种自广西省防城港市的A2品种的总姜黄素含量最高,达8.134%。以A2姜黄品种为原料,选取乙醇体积分数、料液比、粉碎目数、超声时间、超声功率为影响因素进行单因素试验,以总姜黄素含量为评价指标,在单因素基础上,利用响应面法探究乙醇体积分数、粉碎目数及超声时间对总姜黄素提取率的影响并进行优化。结果表明,3个因素对总姜黄素提取率的影响依次为:粉碎目数>超声时间>乙醇体积分数;A2姜黄品种的最佳提取工艺是:乙醇体积分数68%、料液比1:40(g/mL)、粉碎目数30目、超声时间31.00 min、超声功率为250 W,此时总姜黄素的提取率最高,达到8.352%,与预测值8.386%相近,该工艺条件可靠有效。抗氧化试验表明,总姜黄素提取液对羟基自由基及DPPH自由基均有较强的清除能力和抗氧化能力。 相似文献
543.
聚焦开发清晰、无飞溅、无碎屑且深度满足半导体晶圆后道加工工序要求的激光标识工艺,实现清晰可辨、高洁净度的硅晶圆激光标识。采用波长532 nm的激光器研究平均功率、脉冲重复频率和扫描速度等激光工艺参数对晶圆标识质量的影响,借助目视、显微镜和白光干涉三维轮廓仪来评估标识码的清晰程度、标识点的深浅程度和隆起高度以及热影响区。研究表明,在低脉冲频率小于50 kHz时,随着平均功率的上升,标识码的清晰度逐渐增加,但是硅渣的数量及其分布区域增大;在高脉冲频率大于60 kHz时,平均功率增加对标识码清晰度的影响及硅渣数量和分布区域的变化没有低频段表现明显。在平均功率为20%,脉冲重复频率为60~80 kHz,扫描速度为2 500~3 500 mm·s-1的工艺窗口内可以优化参数组合,在硅晶圆上实现清晰可辨、无飞溅和碎屑污染,字体深度为0.5~5μm并且隆起小于1μm的激光标识。 相似文献
544.
为准确快速地检测铜尾矿中的铜铅锌银,选择电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-OES)对其进行测定,对实验条件、方法检出限、精密度和加标回收率做了研究。铜尾矿样品经氢氟酸-盐酸-硝酸分解后,用ICP-OES同时测定铜铅锌银4种元素,方法的检出限为0.000 62~0.003 5μg·m L-1,精密度为0.67%~3.08%,回收率为90.0%~110.0%。 相似文献
545.
针对SEMI标准对12寸(约300 mm)薄晶圆标识的要求,采用1 066 nm光纤激光晶圆标识系统对裸硅晶圆与镀膜晶圆进行激光标识工艺的研究。通过控制变量法改变激光器的功率百分比,分别在两种晶圆上标记Dot样式的SEMI字体,并对标识的质量和识读率进行评估。研究发现,裸硅晶圆标识从无到有,甚至到严重溅射对应的激光功率范围是11.77~19.25 W,镀膜后的硅晶圆对应的功率范围是4.40~11.77 W。在裸硅晶圆上标识的Dot形貌更符合SEMI标准要求。镀膜后的晶圆熔融阈值变小,但是工艺窗口变窄,标识字符和条码Dot圆度较差,飞溅不易控制。两种晶圆OCR的识读率差异不大。 相似文献
546.
针对目前建筑外窗气密性现场检测方法无法保证其所有安装外窗的气密性等级全部达标,同时缺乏高效、便捷的检测手段,提出一种外窗气密性能等级现场检测方法,通过热像仪对外窗进行红外图像采集,对图像中的异常区域进行缺陷检测并计算缺陷面积,建立外窗缺陷红外检测模型。根据实验测得的室内外温差、外窗缺陷面积、空气渗透量,建立外窗空气渗透量计算模型,将此模型与外窗缺陷红外检测模型结合求得窗户的空气渗透量,实现外窗气密性能的现场检测,初步判定外窗是否符合相应的气密性能等级,提高了外窗气密性能现场检测的效率,为外窗气密性能等级现场判定提供一种新的途径。 相似文献
547.
548.