新型阳离子聚丙烯酰胺微粒的研究 Ⅲ. 含PEO支链阳离子聚丙烯酰胺微粒的合成、助留性能及作用机理

采用反相微乳液聚合的方法合成了丙烯酰胺/丙烯酰氧基乙基三甲基氯化铵/聚氧乙烯大单体/N,N′-亚甲基双丙烯酰胺的四元共聚物微粒。研究了该微粒助留剂的结构与性能。这种微粒和纸纤维能够通过离子键和氢键作用,显著地增强助留效果。     

十五元三烯大环的合成及其改性聚丙烯亚胺

以1,4-二溴-2-丁烯、4-氟苯磺酰胺、2,4,6-三异丙基磺酰胺为主要原料,采用5步法合成一种含氮的十五元三烯大环化合物———(E,E,E)-1,6-二[(2,4,6-三异丙基苯基)磺酰基]-11-[(4-氟苯基)磺酰基]-1,6,11-三氮环十五烷-3,8,13-三烯。进而使用十五元三烯大环化合物改性2.0代的聚丙烯亚胺树状聚合物(2.0G PPI,实验室自制)的外围基团,制备聚丙烯亚胺杂化树型聚合物。利用核磁共振波谱和红外光谱表征了中间产物和目标产物的结构,结果表明,所得中间产物和目标产物均符合分子设计要求,合成路线合理可行。     

两性聚丙烯酰胺“水包水”乳液的制备

以丙烯酰胺(AM)和两性单体N,N-二甲基(甲基丙烯酰氧乙基)氨基丙磺酸内盐(DMAPS)为聚合单体,聚甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(PDMC)为分散稳定剂,2,2'-偶氮(2-脒基丙烷)二盐酸盐(V-50)为引发剂,在硫酸铵水溶液中通过分散聚合制备两性聚丙烯酰胺(AmPAM)"水包水"乳液。考察了分散剂用量、无机盐用量、单体质量分数及其摩尔比和引发剂用量等对分散聚合的影响,其最佳反应条件为:硫酸铵质量分数22.3%～27.4%、分散剂用量为0.195～0.248 g/g(monomer)、单体摩尔比n(AM)∶n(DMAPS)=9∶1、单体质量分数为14%、引发剂用量为4.5×10-4g/g(monomer)。采用红外光谱(FTIR)和核磁共振氢谱(1HNMR)对聚合物结构进行了表征。     

反相微乳液聚合制备阳离子聚丙烯酰胺微粒的研究

以丙烯酰氧基乙基三甲基氯化铵、丙烯酰胺、N,N‘-亚甲基双丙烯酰胺为单体采用反相微乳液聚合法制备了阳离子聚丙烯酰胺微粒.研究了Span85和Tween85复合乳化剂的HLB值、乳化剂含量及水油比对乳液稳定性的影响,并对产物的粒径大小及其分布进行了表征.     

含吡啶盐聚合物工.聚甲基丙烯酸甲酯阳离子聚体的生物降解性研究

介绍含吡啶盐聚合物的ＰＭ ＭＡ 的生物降解性能,研究了组成对生物降解性的影响,结果表明,在ＰＭ ＭＡ 疏水性碳链聚合物中引入Ｎ苄基乙烯基吡啶嗡基,可使ＰＭ ＭＡ 成为可生物降解的聚合物,随吡啶嗡基分子量的增加,生物降解性提高,材料分子量降低,失重增加,粘度减小。     

丙烯酸钠-4-乙烯基吡啶共聚物的制备及结构表征

将少量的 4-乙烯基吡啶引入聚丙烯酸钠主链 ,制备了丙烯酸钠 - 4-乙烯基吡啶共聚物 ,研究了控制共聚物分子量和组成的方法及其规律。通过添加不同量的引发剂和链转移剂 ,改变反应体系的原料配比和反应温度 ,可以有效地控制共聚物的分子量和组成。得到了收率大于 98% ,粘均分子量 1.0× 10 4～ 7.0× 10 5和羧钠基含量 90 %的易溶于水的共聚物。通过 FT- IR和 1 3C- NMR测定 ,证明该共聚物具有两性特征。     

智能化集成仿真系统DISS

本文提出一个以研究社会经济政策为背景的智能化集成仿真系统DISS,它以系统动力学的基本原理为基础,为用户在计算机屏幕上直接研究动力学流图模型提供一个良好的有效环境。本文主要介绍DISS系统中流图图形及流图模型信息的交互式输入和DYNAMO仿真程序的自动生成等内容。     

基于反激式LED驱动芯片的可控硅调光设计

分析了LED驱动电源设计中的可控硅调光.设计能兼容现行大多数调光器的LED电源是降低LED成本、迅速取代当前节能照明技术的关键.系统地分析了三端双向可控硅的工作原理和LED驱动电路调光的难点,提出了加入damping电阻解决可控硅调光与LED兼容问题的方案.该设计基于AC-DC电源芯片MT7920,并加入了一种相位补偿...     

VLSI互联线的延时优化研究

首先对互连线模型进行了分析,介绍了插入缓冲器来减小长线延时的方法,然后通过具体计算分析了缓冲器插入的位置、数量,以及尺寸对连线延迟的影响,得出了理论上最理想的优化方案,并给出了结合实际物理设计的优化方案和算法.最后,对一条长互联线的延迟进行了仿真计算,结果证明所给出的算法可有效地减小延时.     

基于接口逻辑模型的MCU物理设计优化研究

以一款基于TSMC 0.18μm工艺的MCU芯片WT20为例,采用设计规划的方法在原有的展平式设计中将ARM Cortex-M0处理器的核心部分分离出来,作为一个接口逻辑模型(ILM)进行设计,之后在整个设计的顶层调入设计好的接口逻辑模型,完成整个MCU芯片的物理设计。采用接口逻辑模型的分层次物理设计与原有的展平式物理设计相比,设计耗时显著缩短。此外,在新的物理设计中,穿过处理器核心部分的关键路径在时序方面也有了一定的改善,证明了接口逻辑模型在缩短设计耗时的同时可以保证时序的正确性。