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11.
李亚利  刘佳 《计算机仿真》2021,(5):353-356,370
针对传统的DDoS网络攻击检测方法未提取信号时频特征,而存在检测速度慢,甚至不能完全检测出是否受到攻击的问题,提出一种基于非平稳信号时频分析的DDoS攻击检测方法.因为攻击特征通常表现为一组非平稳的宽带信号,所以需要先构建DDoS攻击信号模型,采用包络延扩展方法,对其进行采样完成模型构建,同时因DDoS攻击非平稳宽带信...  相似文献   
12.
LED作为一种高效节能的光源,在集鱼灯方面的应用越来越受到重视,是目前光诱渔业研究的重要内容之一。文章采用两种颜色的LED光源,在700 mA电流驱动下,通过颗粒比6:1的比例将3 500 K CRI75的白光LED和主波长为500 nm的青光LED混合,制备出一种特殊LED混合光谱。此光谱在对目标鱼类的视觉敏感范围内有效能量成分比例类似于传统的金卤集鱼灯。  相似文献   
13.
本文采用激光诱导大分子有机硅熔(HMDS)气相反应,通过加入附加反应气和工艺参数的优化控制,在不同合成条件下制得单相非晶Si3N,β-SiC纳米粉和宽组份变化范围的SiNxCr纳米复合粉(平均粒径:10-30nm),与通常采用的硅烷相比,采用此有机硅烷激光合成在等同实验条件下粉产率可提高3-5倍,成本降低1倍,且具有粉体组成,结构易于控制等优点,是一种具有商业化应用前景的高性能硅基钠米陶瓷粉制备技  相似文献   
14.
本文围绕高含硫气田集输系统的腐蚀防控议题进行了探讨,概述了集输系统的主要工艺,然后分析了高含硫气田集输系统发生腐蚀的原理,最后提出了集输系统腐蚀的防控措施,供相关人士参考。  相似文献   
15.
量子阱中强耦合极化子的性质   总被引:4,自引:1,他引:4  
采用改进的线性组合算符和变分相结合的方法,导出了量子阱中强耦合极化子的振动频率和有效质量;讨论了阱宽和电子-声子耦合强度对强耦合极化子的有效质量的影响以及极化子的速度对振动频率、基态能量、基态结合能和有效质量的影响。通过数值计算结果表明;强耦合极化子的有效质量随阱宽的增加而减少,随电子声子耦合强度的增加而增大;极化子的振动频率、有效质量和基态结合能随极化子速度的增大而增加,极化于的基态能量随速度的增大而减小。  相似文献   
16.
针对短丝纤维卷绕牵伸齿轮箱故障信号不易提取的问题,提出了基于图像纹理信息的特征提取方法。通过对齿轮箱振动信号进行小波包双谱分析,获得具有稳定纹理信息的振动信号双谱图,采用基于小波变换对双谱图进行图像融合,提高图像的综合纹理特征。采用灰度共生矩阵的四个特征参数对振动信号的双谱图进行加权融合特征提取。在短丝生产线上对齿轮箱常见的齿轮破损和裂纹进行了实验分析,结果表明本文方法的故障识别率达到85%以上。  相似文献   
17.
在立卧加工的转换中,存在加工误差,因此需进行立卧转换偏差补偿.对此应建立相关补偿参数,测量对应值进行补偿,使立卧加工中心能充分地扩大其加工范围,并保证加工精度.  相似文献   
18.
硅溶胶浸渍处理对Si3N4结合SiC窑具材料抗氧化性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
以Si粉、SiC颗粒和细粉为原料,酚醛树脂为暂时结合剂,90 MPa机压成形制得125 mm×25 m×12 mm长方形坯体试样.坯体经干燥、固化后,采用硅溶胶对其进行1~4次真空浸渍处理,而后在氮气气氛的电窑中进行氮化反应烧结制得相应的Si3N4结合SiC试样,研究浸渍处理对材料体积密度、显气孔率、气孔分布、1 250℃抗氧化性的影响.研究表明:硅溶胶浸渍处理可明显提高材料的致密度,降低材料的气孔孔径,明显提高材料的抗氧化性能.随着浸渍处理次数的提高,材料的抗氧化性能增强.综合工艺经济性因素,2次硅溶胶浸渍处理综合效果最佳.  相似文献   
19.
李亚利  梁勇 《金属学报》1995,31(1):B021-B025
本文采用激光诱导高纯硅烷气相反应在不同的合成条件下制备出平均粒径为20-100nm,晶粒度为18-37nm的各种纳米Si粉。研究了实验参验参数对粉体形成的影响并采用多种测试手段(TEM.XPS.XRD.FTIR.BET)研究了粉体粒子形貌、键结构特征及表面状态。结果表明,粉体由团聚态形状不规各单分散球形的多晶粒子组成。较低的激光功率和加大稀释Ar气量有利于单分散细粒子的形成。粉体氧杂质含量为2.0  相似文献   
20.
激光诱导二甲基二乙氧基硅烷气相合成碳化硅超细粉   总被引:1,自引:0,他引:1  
李亚利  郑丰 《硅酸盐学报》1994,22(5):500-503
本工作首次采用有机硅试剂二甲基二乙氧基硅烷为反应物,进行了激光导气相反应,制备出平均粒径为40nm的非晶SiC粉末,粉末中C/Si比随反应气流量的变化而变化。非晶SiC粉末在1873K,氮气中退火1h后转变为β-SiC及α-SiC,同时,粉末中部分氧杂质及自由碳脱出粉末。  相似文献   
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