WXAMPS theoretical study of the bandgap structure of CZTS thin film to improve the device performance

The carrier recombination was one of the factors limiting the further improvement of the Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film solar cells. In this paper, a proper bandgap structure was designed to solve this problem. The effects of the different bandgap structure on the CZTS thin film solar cells were studied by the solar cell performance simulation software wxAMPS. A graded bandgap structure was designed and optimized. The bandgap with a front bandgap gradient and a flat bandgap gradient had a favorable effect on the CZTS thin film solar cells. Finally, the fill factor (FF) and conversion efficiency (η) of the CZTS thin film solar cell were increased from 36.41% to 42.73% and from 6.85% to 10.03%, respectively. In addition, the effect of donor and acceptor defect densities in CZTS absorber layer near the CdS/CZTS interface on the device performance was studied, η of the CZTS thin film solar cell was increased from 5.99% to 7.55% when the acceptor defect concentration was 1012—1013 cm-3. Moreover, the thicknesses of the CZTS absorber layer were optimized. The FF and η of the CZTS thin film solar cell were increased to 63.41% and 15.04%, respectively.     

光电耦合器辐照损伤的噪声检测

分析了光电耦合器辐照噪声特性,提出了光电耦合器辐照噪声的检测方法,搭建了光电耦合器噪声测试电路.实验结果表明,噪声参量比电参量更能灵敏真实地反映光电耦合器的辐照损伤程度.     

基于SCR的ESD保护电路防闩锁设计

SCR器件作为目前单位面积效率最高的ESD保护器件,被广泛研究并应用到实际电路中.SCR所具有的低保持电压特性可以带来很高的ESD性能,但同时也会导致闩锁.文章从提高保持电压和触发电流这两方面入手,研究在实际电路应用中如何防止ESD保护电路发生闩锁.     

一种动态功能重构SRAM的设计与实现

SRAM作为常用的存储器,在速度和功耗方面有一定的优势,但其较大的面积是影响成本的主要原因。文章设计了一种256×8位动态功能重构的SRAM模块,在完成基本SRAM存储功能的前提下,通过设置重构标志信号tag及附加的控制逻辑信号,复用基本SRAM模块存储资源,使系统完成FIFO的顺序存储功能。整个设计一方面拓展了基本存储体的功能,另一方面,FPGA验证结果显示：实施重构方案后同一块FPGA器件的硬件资源利用率明显提高了。最后,采用插入门控时钟的低功耗优化方案进行了DC综合,结果显示动态功耗降低了59．6％。经过“重构”的方式后,只增加了少量电路便可以实现动态数字电路的基本功能,一方面完成了功能上的拓展,另一方面提高了存储模块硬件资源的利用率,使SRAM具有了更高的性价比。     

亚微米BiCMOS电路纵向NPN管的ESD保护研究

文章以0.6μmN外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究。实验表明,由于基区的内在电阻不一样,在该工艺条件下,CEB、CEBE结构比CBE、CBEB结构SNAPBACK效应明显,机器模式下ESD保护能力强。此外,还研究了兼容低压Vz工艺,单级保护NMOS输出管的纵向NPN器件的ESD行为,流片显示采用EB结齐纳击穿的纵向NPN能有效单级保护CMOS的输出级。     

与5V CMOS标准工艺兼容的20V N-CDMOS器件研究

文章主要介绍了在0．5μm5VCMOS标准制造工艺的基础上,不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度,借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N—CDMOS器件的漂移区长度、沟道长度与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟和实验设计,最终获得20V高压N—CDMOS最优化的器件结构与工艺参数。其制造工艺与现有5V低压工艺完全兼容,工艺简单、集成度高,可广泛应用于功率器件的芯片上。     

一种基于DDS技术的电磁超声激励电源

为使激发电磁超声的能量转换效率最大化,介绍一种基于直接数字合成(DDS)技术的电磁超声(EMA)激励电源.电源具有脉冲窄,峰值电流大,且重复频率、脉冲频率、脉冲个数、激励时间延迟均可调等特点.详细介绍了DDS信号产生电路、单片机控制电路、功率放大及其与换能器的匹配等硬件和软件.     

低功耗SM4-CCM算法硬件架构设计

物联网已被广泛应用于各行各业。在智慧医疗、智能制造等应用领域,物联网设备采集的数据与用户隐私甚至生命财产安全关系密切。为了保障数据的机密性和完整性,防止数据篡改或泄露,以RFC 8998公布的认证加密算法SM4-CCM为对象,研究和设计了一种低功耗的SM4-CCM算法硬件架构。在TSMC 90 nm工艺、1.0 V供电电压下的实验结果显示,该设计的功耗仅为1.338 mW,面积为31.4 K门,而吞吐率达到32.12 Mbps@100 MHz。实验结果表明,该设计的功耗、面积、吞吐率等性能指标能够满足物联网数据保护需求。     

磺化硅胶催化合成2-叔丁基对甲基苯酚

以4-甲基苯酚、叔丁醇为原料,磺化硅胶(SSA)为催化剂,合成了2-叔丁基对甲基苯酚。并获得了较佳合成条件:酚醇摩尔比1:1,催化剂用量为(以对甲苯酚质量计)11.75%,反应时间为3 h,反应温度80℃。产物的平均收率为89.4%,酚的选择性大于92%。该催化剂具有较高的催化活性,可回收重复利用。     

煤矿建设实现滚动发展的渠道

煤矿建设实现滚动发展的渠道煤炭部昆明设计研究院李冰在煤炭工业基本建设实行两个根本性转变的进程中，滚动发展已成为煤炭工业工程项目首先考虑的建设形式，煤炭部近日发布的《煤炭工程设计暂行规定》明确指出：“煤炭工程设计必须考虑‘以煤养煤，滚动发展’”，将此作...