在二氧化硅衬底上制备磁光Ce：YIG薄膜用于磁光波导型器件

对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究．用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片．上淀积Ce1YIG薄膜,再对此薄膜进行晶化处理,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜．本文讨论了晶化过程中,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响．结果表明：采用波长为630nm的可见光测量,薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为0．8deg／μm．同时,晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向,其居里温度点为220℃．所得Ge1YIG薄膜的参数表明：所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器．     

出席IEC/ISO/OIML国际会议介绍

我受国家技术监督局委派,前往挪威国奥斯陆市,出席了自5月24日～6月4日举行的IEC/OIML/ISO系列联合会议,技术性汇报如下: 一、国际电工委员会电声学技术委员会(IEC/TC29)会议本次会议于5月22日～5月28日在SAS国际旅社召开会议,由TC29主席,瑞典的B.Johansson教授主持,挪威IEC国家委员会给予条件配合。出席会议的除主席及秘书(L. Nielsen)外,各国代表团人数为:捷克1人,中国1人,丹麦2人,法国4人,德国3人,意大利1人,日     

口腔粘膜下纤维变病理发生的超微结构研究

口腔粘膜下纤维变(Oral submucous fibrosis,OSF)在湖南,广东,广西一些地区及印度、东南亚一些地区居民具有咀嚼槟榔的习惯的地方是一种常见病。OSF发生在口腔各部位有时侵犯咽和食管。它是一种粘膜下纤维化伴有上皮增生、萎缩、白斑等慢性过程,继而引起牙关紧闭和进食困难,有的发生癌变。因此有些学者视该病为癌前病变的一种严重危害人民健康的常见病。国内虽已有少量病理学的光镜报告,但在国内外尚未见超微病理发生学的报导。本研究材料来源于湘潭市整群抽样流行病学调查的11046人,按Pindborg氏临床诊断     

高稳定度CPM飞秒激光特性的研究

利用最优化动力学参数的方法,获得了高稳定度的CPM飞秒激光器运转特性。激光器输出平均脉宽43fs,中心波长624nm,平均功率20mW,脉宽不稳定度±3.3％,频率不稳定度小于10~(-6)。     

基于多软件联合仿真的载货汽车平顺性提升方法研究

针对改善某载货汽车行驶平顺性的问题,对某整车制造企业生产的某型载货汽车进行了研究,提出一种新的方法对该车顺性进行提升.首先,应用ADAMS/Car建立载货汽车的刚柔耦合样机模型;其次,建立ADAMS/Car与Simulink的联合仿真模型;最后,利用MATLAB编写加速度RMS(加权加速度均方根值)程序,并应用Isight/Optimization软件中的多岛遗传算法优化此联合仿真模型.以载货汽车不同车速行驶在随机级路面(C级),驾驶室座椅处加速度RMS值来评价整车平顺性的优劣.结果表明:采用提出的方法设计优化后,驾驶室座椅处X向的加速度RMS值最大降低了12.84％,座椅处Z向的加速度RMS值最大降低了13.08％,座椅处综合加速度RMS值最大降低了11.46％,平顺性能得到了提升.     

听力仪器及其校准（一）

听力仪器及其校准（一）中国计量科学院章句才１引言听力仪器是指用于检查听觉功能，评估听力程度，改善听力水平，支持语言训练的设备。包括：听力计、阻抗／导纳仪（由于兼有纯音测听功能，故也称阻抗听力计）、听觉电反应系统（包括脑干诱发电位“ＡＢＲ”，耳蜗电图“...     

一种高速低功耗的欠压锁定电路

设计了一种高速低功耗的欠压锁定电路。在迟滞比较器的输出级采用轨对轨输入共源放大器电路,检测VUVLO由高电平跳变为低电平的过程,自适应地控制输出级的尾电流源大小,以减小输出建立时间,使得后级电路能够快速响应电源变化。基于华虹0.35 μm BCD工艺进行设计与仿真,结果表明,在输出级的尾电流大小为1.3 μA时,相比传统电路,该电路能减少30%的输出建立时间。这不仅降低了功耗,还提高了电路响应速度。     

宽带测向系统信号选择方法的研究

根据排队论,认为宽带测向系统接收多部雷达信号脉冲流是一个泊松（possion)流。依据泊松流和实时处理的要求,提出用卡尔曼滤波拟合法。经过实验,取得了满意的效果。     

高速基带匹配滤波器的FPGA实现及验证

根据SDH数字微波通信系统高阶QAM解调器的设计要求,针对数字化基带滤波的信号处理特点,提出一套高速匹配滤波器的FPGA实现方案。首先基于窗函数设计法,完成了滤波器的软件设计和仿真;然后基于QuartusⅡ6.0开发平台,采用并行流水结构和Verilog HDL语言参数化设计法实现滤波器FPGA设计;最后结合QuartusⅡ和Matlab,从时域和频域验证滤波器性能。实践表明此方法设计的滤波器效率高、方便调试,具有较好的重用性和可移植性。     

RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型

提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度.