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采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
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由于自适应编码调制技术在宽带无线网络中对于改善频谱利用率和增加数据速率来说是一项很强的技术,因此本文针对刚提出的CT~TCM接术,将其与RCPT和ARO技术结合起来,讨论了一种新的自适应编码调制方案并对实现该方案的一些具体细节进行了详细的阐述。 相似文献
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随着网络技术的发展,用户对新业务的需求不断涌现,智能网的演进给电信网络乃至数据网络都带来了巨大的变化。Internet和基于IP的网络及业务发展迅猛,为智能网的发展带来活力,智能网与Internet的融合越来越成为一种趋势。无线网络(GSM,CDMA),PSTN,Internet正逐步融合成一个 相似文献
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砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析 总被引:1,自引:0,他引:1
讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。 相似文献
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<正> 随着生活水平的提高,大家都喜欢把自己的房子收拾的漂亮一些,不过装修这种工作说起来简单,操作起来却不胜其烦,搞不好的话,冤枉钱不少花,而且到头来还有可能惹一肚子气生。但是有一个朋友可以帮到我们!这就是PDA。下边就以 PocketPC 机型为例,介绍如何使用 PDA 来帮助我们更轻松地完成装修工作。 相似文献
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杨开国 《制冷空调与电力机械》2003,24(3):64-67
分析了CFH-Ⅱ型翻车机传动齿轮轴承座的座脚螺栓组联接失效(松动)的原因,得出控制和保证合适的螺栓组联接预紧力是防止螺栓联接失效(松动)的关键;依据现场条件,对座脚螺栓进行了设计改进;提出了一种适合现场使用的螺栓预热伸长的装配方法,经实践验证此法是简单可靠的装配方法。 相似文献