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22.
普光气田具有井深、井底温度高、压力高,地层压力系统复杂等特点,固井质量要求很高,固井难度较大。气井生产一段时候后,原固井水泥环与套管间产生微裂缝,气体通过微裂缝上窜至井口,导致井口附近严重憋压,造成很大的安全隐患。本文在总结气窜形成机理,特别是对微裂缝——微环隙的成因进行了较为全面的分析和总结的基础上,通过大量的室内固井水泥浆探索实验,研制出了以CW-1、NJ-1和GS-1为组合的最佳方案,该方案选用乳胶作为主剂,膨胀剂和抗高温稳定剂为辅助剂,配合一定的前置冲洗液,提高了水泥与钢管的界面胶结强度,增强了水泥浆的致密性,增大水泥浆对气体阻力,有利于增强防气窜能力。该水泥浆体系具有较好的流变性能和低失水性,较大的水泥石韧性和抗压强度,适合在普光气田固井现场中应用。 相似文献
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1 循环硫化床干法脱硫工艺 干法脱硫基本上采用脱硫剂循环使用的方法。我们开发设计的与之配套的电除尘器脱硫工艺参见图1。从锅炉空气预热器排出的烟气,经过一级除尘器后进入回流式循环硫化床脱硫塔。净化的烟气从脱硫塔顶部排出进入二级除尘。由于脱硫塔有内部回流装置, 相似文献
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北衙金矿4000 t/d选厂是一座常规全泥氰化炭浆厂。投产后,各项工艺指标基本达到了设计水平,但尾渣金、银品位偏高,金浸出率不到90%,银浸出率不到30%。为了进一步降低尾渣品位,提高金、银浸出率,选厂进行了一系列的工艺技改及试验研究。经过研究得出,采用"边磨边浸"工艺流程可以有效地提高金、银的浸出率。于是选厂进行技改,运用了"边磨边浸"工艺流程。技改后,工艺指标得到了明显的提高,年平均金浸出率提高了2.97%,达到92.40%,银浸出率提高了9.07%,达到35.49%;尾渣金品位下降了0.10 g/t,降至0.16 g/t,尾渣银品位下降了3.43 g/t,每年可为选厂增加5000万元以上的经济效益。 相似文献
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基于将矩形函数近似展开为有限数目复高斯函数叠加,推导出高斯-谢尔模型(GSM)光束通过有限尺寸透镜的聚焦场光强分布的近似计算解析公式,给出了数值计算值,并与数值积分计算结果进行了比较.结果表明,在复高斯函数的数目N只取十项的情况下,除了很靠近透镜出射面处以外,本文方法得到的聚焦光强分布与直接进行数值积分计算的结果符合较好,特别是在实际工作中较为关心的焦面附近,二者符合很好.本文方法与数值积分计算所得结果的差别将随着GSM光束的相干性变差和截断参数的增大而有所减小.与常规的数值积分方法相比较,本文方法的优点在于大幅度地节约了机时,有效地提高了计算效率.要进一步提高靠近透镜出射面处的计算精度,可通过适当增加N来实现.(OG21) 相似文献
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本文介绍了我国近20年的火电站焊接技术的现状和发展。认为研究和掌握20世纪末出现的一系列新钢种的焊接技术,研究和开发老旧机组的延寿焊接技术是当前我国火电焊接技术的主要内容。文章介绍了这些新钢种的共同特点,并以T91/P91为代表讨论了焊接这些钢原主要困难,同时也简要讨论了老旧机组延寿焊接方面需要研究解决的问题。 相似文献
28.
公路是国民经济的命脉,混凝土路面作为公路的主要形式之一,因其优越性与灵活度得到广泛应用。然而,越来越多的工程事例表明,混凝土路面在使用之后的不长时间里,就会出现断角、表面破损等一系列问题。本文根据城市轨道交通混凝土的应用现状,阐述设计混凝土耐久性试验研究,并通过其实践应用,从各方面总结如何提高混凝土耐久性。 相似文献
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利用EBSD技术统计了薄规格取向硅钢片中初次再结晶和二次再结晶前期组织中{411}〈148〉、{111}〈112〉、{100}〈025〉取向晶粒尺寸分布,分析了三种不同取向的晶粒对Goss晶粒异常长大的影响。结果表明:初次再结晶组织中不同的取向晶粒对应的平均晶粒尺寸(d)存在差异,{411}〈148〉取向晶粒的平均尺寸最大,其次为{100}〈025〉取向晶粒,{111}〈112〉取向晶粒的平均尺寸最小。Goss取向晶粒异常长大的过程中优先吞噬{111}〈112〉取向晶粒,其次是{411}〈148〉取向晶粒,最后是近{100}〈025〉取向晶粒和近黄铜取向晶粒。{111}〈112〉、{411}〈148〉取向晶粒对Goss取向晶粒异常长大的影响主要体现在二次再结晶的前期。因此,可以推断取向硅钢中最终残留的"岛晶"可能来源于近黄铜取向晶粒或近{100}〈025〉取向晶粒。 相似文献
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对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶铁芯分别进行普通热处理与横磁处理,并检测铁芯经两种热处理后的各项磁性能。获得了各频率下损耗与幅值磁密的关系。结果表明,横磁处理降低损耗效果较明显,该方法在高频电力电子变压器铁芯领域具有潜在应用前景。损耗分离结果表明,横磁处理后,磁滞损耗、涡流损耗、剩余损耗在总损耗中所占比例分别为不变、升高、降低。横磁处理后,磁畴结构改变,以磁矩旋转磁化为主要磁化方式,降低畴壁共振造成的异常损耗是除降低磁滞损耗外,降低总损耗的另一原因。 相似文献