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41.
卟啉类光电功能材料的研究进展   总被引:6,自引:0,他引:6  
卟啉及其衍生物是一类具有优良的光电性能的有机半导体材料.引起人们广泛的关注。本文对卟啉类光电材料在模拟生物光合作用中心的光致电荷转移和能量转移,有机太阳能电池.分子光电器件。有机电致发光和光存储等领域的研究进展做一简要介绍。  相似文献   
42.
本文从龙口市广播电视台的实际情况出发,详细论述了机房大屏幕监播控制系统的用户需要分析,从系统的设计、功能、实施等多方面阐述了该系统的应用情况。  相似文献   
43.
对微波陶瓷基印制板的制造工艺流程进行了简单的介绍,对所采用的工艺技术的有效性进行了较为详细的论述。  相似文献   
44.
重庆市通信管理局局长苏少林在对电信市场“十大关系”的论述中提出,要正确把握和处理好基础业务与增值业务的关系。落实科学发展观,统筹考虑不同电信业务的协调发展。电信业务分为基础业务和增值业务。基础电信业务关系到国家安全、网络安全和国家通信资源的优化配管,在通信发展中起着固本的作用;增值电信业务,尤其是第  相似文献   
45.
一种微透镜阵列的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨修文  祝生祥  谢红  路素彦 《光电子技术》2003,23(3):170-172,181
介绍一种利用表面张力的作用、以光纤作材料、用分离的自聚焦透镜制作微透镜阵型的方法,这种方法具有制作工艺简单、无须昂贵设备等优点,用此方法实际制作了具有良好连续面型的微透镜阵列,并对制作的微透镜阵列进行了测试,效果较好。  相似文献   
46.
乔飞  杨华中  罗嵘  汪蕙 《微电子学》2004,34(1):85-87,90
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。  相似文献   
47.
一种新的基于快速功控的多普勒估计   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对采用快速功控的移动通信系统提出了一种简便的多普勒估计方法。该方法利用功控后的接收信号电平的平稳性与最大多普勒频移有密切关系这一特点,通过测量接收信号电平的平稳性估计多普勒频移。文中在单径瑞利衰落信道条件下对这一方法进行了仿真验证,并同文献中提出的COV方法进行了比较,仿真结果表明在信道变化不是太快时本方案有较好的估计精度。  相似文献   
48.
介绍基于移动通信技术的机动平台远程监控系统的组成及工作原理,对实时通信情况下通信信道的设置进行了初步分析。  相似文献   
49.
介绍了在波分复用(WDM)系统中分布式光纤拉曼放大器(FRA)的理论分析模型。在此基础上,对增益平坦设计所需考虑的因素进行了分析;最后通过试验证明了它的有效性。  相似文献   
50.
砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。  相似文献   
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