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Two types of 5μm thick hybrid orientation structure wafers,which were integrated by(110)or(100) orientation silicon wafers as the substrate,have been investigated for 15-40 V voltage ICs and MEMS sensor applications.They have been obtained mainly by SOI wafer bonding and a non-selective epitaxy technique,and have been presented in China for the first time.The thickness of BOX SiO2 buried in wafer is 220 nm.It has been found that the quality of hybrid orientation structure with(100)wafer substrate is better than that with(110)wafer substrate by"Sirtl defect etching of HOSW". 相似文献
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本文提出了一种基于混合晶向硅材料的高性能PMOSFET 器件。采用硅玻键合、化学机械抛光、硅刻蚀和非选择性外延等方法,成功制作了集成有(100)和(110)晶向的混合晶向硅片。基于这种混合晶向材料,成功研制了沟道宽长比为50:8 的PMOSFET器件,器件测试结果表明:制作在(110)晶向上的PMOSFET 器件在低场条件下,电流驱动能力提高了50.7%,最大迁移率增加了150%,是当前见于报道的PMOSFET迁移率提升指标较高的一颗器件。 相似文献
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本文研究了一种应变SiGe沟道的NMOS器件,通过调整硅帽层、SiGe缓冲层,沟道掺杂和Ge组分变化,并采用变能量硼注入形成P阱的方式,成功完成了应变NMOS器件的制作。测试结果表明应变的NMOS器件在低场(Vgs=3.5V, Vds=0.5V)条件下,迁移率极值提升了140%,而PMOS器件性能保持不变。文中对硅基应变增强机理进行了分析。并利用此NMOS器件研制了一款CMOS倒向器,倒向器特性良好, 没有漏电,高低电平转换正常。 相似文献
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烤烟高茎壮苗深栽结合一次性施肥对烟叶质量和效益的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了烤烟高茎壮苗深栽结合一次性施肥技术对烟草生长及产质量的影响。结果表明,与常规栽培相比,深移栽烤烟的根重、主根根长、须根数量、根系分布范围、烟叶产量、产值分别增加了20%、37.2%、25%、66.2%、18.6%、17.1%,呈极显著差异。上部叶片全氮、烟碱含量分别降低了29%、9.2%;应用高茎壮苗7叶节深栽结合一次性施肥和减少氮肥施用量技术可节省用工量39.5个/hm2,节省用肥量15%。高茎壮苗7叶节深栽结合一次性施肥技术可以在保证烟叶产、质量与现行技术方法基本一致的前提下,达到优质烤烟生产节本增效的目的。 相似文献
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钢丝绳中钢丝在捻制前后性能变化反映了钢缝绳生产中出现的质量不稳定性。分析了钢丝绳变级的影响因素,提出了降低钢丝绳变级率的途径。 相似文献