GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究

在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10~(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10~(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。     

用电镜对焊接灰斑缺陷的性质和分类的研究

闪光接触焊“灰斑”的得名是由宏观观察焊缝断口,其缺陷的光学及形貌的特征是较周围正常区域更灰暗,无光泽且平坦光滑小平面而,定义的[1,2]。近年来人们用扫描电镜观察灰斑形态归纳为二类形态:一类为平浅等轴韧窝中有夹杂;另一种为纤维鳞片状拉长孔坑FeO型灰斑。[3,4]。我们对约200个灰斑试样进行观察,归类,分析的基础上,认为灰斑有五种不同的形态,并对成因做了分析。第一种形态灰斑为平浅光滑的等轴韧窝,部份韧窝中有夹杂(图1)。用电子探针和X光衍射得知灰斑区域是2Fe和Si,Al,Mn氧化物或其盐类组成。由化学热力学观点分析[2],对应灰斑形成的机理是在焊接过程中打弧造成局部区域温度过高形成深火口而且在高温时间过长使Mn;Si;Al参加置换Fe和     

Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱

本文报道Ga_(1-x)Al_xP混晶的室温喇曼散射测试结果。所用的样品用液相外延方法生长在〈111〉晶向的GaP衬底上。混晶组分x值在0.16—0.65之间。实验结果表明,Ga_(1-x)Al_xP混晶的长波长光学声子谱呈现双模行为,具有类GaP和类AIP两个光学支。     

10Gbit／sX4小型可插拔并行光收发模块的研制

研制了一款基于系统级封装技术的低成本、收发一体和可带电热插拔的4通道小型可插拔（QSFP）光模块,采用850nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列及其驱动器作为发射端,光电探测器（PD）阵列及其跨阻放大器（TIA）作为接收端,通过光路无源对准,实现了低成本光互连。高速度、高密度封装下的瞬态同步开关噪声、芯片间电磁干扰...     

采用Cr4＋：YAG为可饱和吸收体的Nd：YAG调Q锁模

在实验上,以Cr     

ZnSe-ZnTe应变层超晶格的Raman光谱研究

本文报道室温下的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体化合物 ZuSe-ZnTe应变层超晶格的 Raman光谱,得到纵光学声子频移和超晶格结构参数的关系.当超晶格每层厚度大于40A时,纵光学声子模频移随层厚变化不明显,基本稳定在一定值;当层厚小于40A时,纵光学声子模频率随层厚减小而相对其体材料值的变化越来越大,并且应力效应引起的频移比限制效应引起的红移要大得多.ZnSe纵光学声子模频率随层厚减小向低波数移动,ZnTe纵光学声子模频率向高波数移动.从Raman光谱估计这种应变层超晶格的临界厚度约为40A.     

CdTe/ZnTe应变量子阱的静压光致发光研究

在77K和0—50kbar静压范围内研究了阱宽分别为m=4.8,12个单原子层的(CdTe)_m/(ZnTe)_n应变量子阱的静压光致发光。在常压下,m=8和12的量子阱的发光峰比m=4的量子阱的发光峰显著变宽。表明在这两个阱中应变已发生弛豫。用Kronig-Penney模型计算的峰值能量证实了这一点。在所测静压范围内峰宽无明显增加。它们的压力系数从m=12的6.81meV/kbar增加到m=4的8.24meV/kbar。计算表明,势垒高度随压力增加而增加是使压力系数随阱宽减小而增加的主要原因。     

从猪血浆蛋白质中制备无色蛋白胶

使用凝聚剂从猪血浆蛋白质中获得无色蛋白胶。通过用随机质心最优化方法找到分离最优条件为:pH3.7～3.9,№Cl浓度0.24～0.26mol/l,凝聚剂浓度1.1～1.3％,在最优化条件下制备的无色蛋白胶中蛋白质浓度几乎是猪血浆蛋白质浓度的三倍。测定了无色蛋白胶的功能特性并应用于仿真鱼圆和酸乳。