离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究

本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有５个发光峰分别位于１．５３６μｍ、１．５５４μｍ、１．５７０μｍ、１．５９８μｍ和１．６４０μｍ，其中１．５３６μｍ发光峰最强．结合背散射谱，认为其有效的发光中心为处于Ｔｄ对称中心的填隙铒Ｅｒ３＋离子．在Ｅｒ与Ｏ、Ｎ、Ｃ共掺样品应分别存在Ｅｒ－Ｏ、Ｅｒ－Ｎ和Ｅｒ－Ｃ发光中心，其对应的ＰＬ发光峰分别为１．５７０μｍ、１．５３６μｍ和１．６０８μｍ．     

硅基1.55μm共振腔增强型探测器

报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术.高反射率的SiO2/Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上,然后键合到InGaAs有源区上,键合温度为350℃,无需特殊表面处理,反射镜的反射率可以高达99.9%以上,制作工艺简单,价格便宜.并获得硅基峰值响应波长为1.54μm,量子效率达22.6%的窄带响应,峰值半高宽为27nm.本方法有望用于工业生产.     

窄发散角量子阱激光器的结构设计与分析

本文对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析，提出了实现２０°～３０°垂直发散角的有效途径，并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度等重要参数的影响．     

通用Stewart平台运动学正向数值求解方法及应用

为了得到通用Stewart平台的运动学正向求解非线性方程组的全部解或者使其求解效率满足实时应用,研究人员进行了长期的研究,找到多种解决方案,但是不同方案之间缺乏系统的比较.为此,对并联机构的运动学正向数值求解研究进行了综述;并且,针对通用Stewart平台的四种典型运动学正向数值求解方法,在精度一致的前提下,比较了计算效率.结果表明,改进的Jacobi矩阵法的计算时间开销在1ms以内,计算效率最高,建议在实时场合下应用.     

热光Si共振腔型可调谐滤波器

报道了利用Si基键合技术和化学机械抛光工艺制作的垂直结构的Fabry- Perot可调谐滤波器,调谐机理为pn结正向注入电流引起的热光效应.调谐范围可达2 3nm,响应时间约为30 0 μs,并给出了获得更快响应和更低能耗的热光和电注入可调谐滤波器件结构改进方案.     

SiGe共振腔增强型探测器的制备

利用SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型SiGe探测器.底镜沉积于EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内,在1.2～1.5μm范围内,反射率高达99%.探测器的共振峰在1.344μm,光响应为1.2mA/W.与普通结构的探测器相比,文中所报道的探测器光响应有8倍的增强.     

GaAs／GaAlAs多量子阱CCTS结构双稳态激光器的实验研究

本文报道了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱（ＭＱＷ）双区共腔（ＣＣＴＳ）结构的双稳态激光器．该器件利用多次离子注入形成电隔离很好的双电极结构，吸收区上加上一定反偏电压时得到了双稳特性，观察到了器件工作于双稳态时对光谱边模的显著抑制．     

GaAlAs/GaAs DH 激光器的L-I特性

对所研制的质子轰击条形GaAlAs/GaAs DH激光器的L-Ⅰ特性及其随温度的变化进行了测量。研究了L-Ⅰ特性随考验时间的变化。个别激光器考验已超过10~4小时,仍可保持正常激射。部分激光器的L-Ⅰ特性出现了扭折,研究了这种扭折附近的近场光强分布及发射光谱。基于实事实,提出了一种有源区Al含量横向不均匀分布的物理模型,可定性地解释扭折的产生。     

今年橡胶供求矛盾突出

<正> 近年来,国家统配橡胶分配逐年减少,1987年比1986年递减20.7％,1988年比1987年又递减7.2％,相反,全国橡胶需求量却逐年增大,1987年比1986年增加12％,1988年比1987年增加7％,供求矛盾加剧,市场价格上扬。今年全国橡胶制品生产计划需要消耗橡胶量75万吨,可供分配资源仅能满足53％,缺口36.4万吨。缺口大部分需靠进口弥补,而1987年以来国际市场橡胶价格急升,1°橡胶八个月之间涨幅达45％,加之国     

展望21世纪信息光电子与光子技术的发展

本文报告我国信息光电子技术研究与开发的若干主要进展和加速实现我国信息光电子产品商品化的措施。