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11.
本文介绍了使用一种等离子体喷枪的常压低温氩等离子体对苎麻脱胶菌物进行了诱变实验,曾发现使用Ar等离子体处理野生的苎麻脱胶菌进行处理后能够有比较快的脱胶速率和较好的脱胶质量,此次脱胶效果好的处理时间为3分钟。2年后作者再次做重复性实验,本次的处理时间分成1分钟、3分钟、5分钟和7分钟四组。结果表明经过处理的脱胶效果确实普遍比未处理的效果要好,因此作者推断等离子体喷枪氩等离子体处理苎麻脱胶菌后可以引发诱变效应。  相似文献   
12.
In order to utilize integrated passive technology in printed circuit boards (PCBs),manufacturing processing for integrated resistors by lamination method was investigated.Integrated resistors fabricated from Ohmega technologies in the experiment were 1 408 pieces per panel with four different patterns A,B,C and D and four resistance values of 25,50,75 and 100 Ω.Six panel per batch and four batches were performed totally.The testing was done for 960 pieces of integrated resistors randomly selected with the s...  相似文献   
13.
In order to undertake theory analysis in the application area of switching,frequency and power devices,an analytical model for capacitance-voltage (C-V) characteristics of ion-implanted 4H silicon carb...  相似文献   
14.
15.
介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置,利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电特性,利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度,得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特性.利用该等离子体装置在大气压下对AZ9918光刻胶进行了干法刻蚀实验,用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的效果,研究了放电等离子体功率以及衬底温度对刻蚀速率的影响,在放电功率为300W时,得到刻蚀速率接近500nm/min.  相似文献   
16.
考虑离子注入沟道和沟道深度的影响,提出了精确的离子注入4H-SiC MESFET器件夹断电压的理论计算方法.注入浓度由蒙特卡罗模拟软件TRIM提取计算.研究了温度、外延层受主浓度、注入离子激活率对夹断电压的影响.  相似文献   
17.
常压冷等离子体清洗技术在微电子工业中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍常压射频冷等离子体清洗设备工作原理以及在微电子工业中的应用,给出用常压冷等离子体清洗设备去除光刻胶的实验结果,简单阐述该技术将对微电子工业工艺过程带来的影响。  相似文献   
18.
李志刚  王守国 《电器》2011,(Z1):425-428
本文介绍了一种新型炉门顶置上开式微波炉的设计思路及最终实现方法。本文的研究成果可作为微波炉行业发展中产品设计思路及理论参考。  相似文献   
19.
防渗墙施工技术在我国近20年发展迅速,工艺趋于成熟.目前已经发展到了抓斗、锯槽机、射水及铣槽机成槽或几种组合成槽等多种施工方法.在防渗墙工程中,不可避免的遇到各种异型槽段.异型槽段的施工,是防渗墙施工过程中的重点和难点.本文通过介绍南京四桥Y型槽的施工技术,给防渗墙异型槽的施工技术提供思路和参考.  相似文献   
20.
常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置,利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电特性,利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度,得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特性.利用该等离子体装置在大气压下对AZ9918光刻胶进行了干法刻蚀实验,用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的效果,研究了放电等离子体功率以及衬底温度对刻蚀速率的影响,在放电功率为300W时,得到刻蚀速率接近500nm/min.  相似文献   
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