新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应

典型的磁性隧道结是“三明治”结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成.当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变.自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR)以来,非晶势垒的AlOx磁性隧道结在磁性随机存储器(MRAM)和磁硬盘磁读头(Read Head)中得到了广泛的应用,2007年室温下其磁电阻比值可达到80％.下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展,迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构.2001年通过第一性原理计算发现:由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有自旋过滤(Spin Filter)效应,单晶外延的Fe(001)/MgO(001)/Fe(001)磁性隧道结的TMR比值可超过1000％,随后2004年在单晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200％的TMR比值,2008年更是在赝自旋阀结构CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中获得高达604％的室温TMR比值.伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化,共振隧穿和自旋依赖的库仑阻塞磁电阻等新效应以及磁性传感器、磁性随机存储器和自旋纳米振荡器及微波检测器等新器件逐渐成为科学和工业界所关注的研究与应用热点.对磁性隧道结(MTJ)材料及其器件应用研究和进展进行了简要介绍.     

常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究

介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效果进行检测与分析,证实了该设备对硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性.结果表明,该设备在常压下刻蚀硅,操作简单且不易对材料表面产生损伤.     

常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究

介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效果进行检测与分析,证实了该设备对硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性.结果表明,该设备在常压下刻蚀硅,操作简单且不易对材料表面产生损伤.     

长丰县小型农田水利工程管理改革创新研究

20世纪90年代长丰县率先在合肥市开展了小型水利工程产权和灌溉用水制度改革,取得了一定的成效,但是近年来随着农村生产方式的转变,已建成的小型农田水利工程在管理上出现了管理主体不明晰、管护主体缺失、责任难以落实、工程老化失修、效益逐渐衰减等突出问题,影响了工程安全运行和效益充分发挥。根据2011年、2013年中央及安徽省水利厅关于开展全省小型农田水利工程管理改革创新试点工作方案的要求,积极探索长丰县小型农田水利工程管理灌溉创新十分必要。     

能够高效脱胶的苎麻脱胶菌菌种初步研究(英文)

本文介绍了新发现的一些能较好脱胶的菌种。实验结果表明,确实是这些菌种起到了脱胶作用,而不是麻上自带的自然菌种。小试实验表明这些菌种具有比较好的脱胶能力,应该能够进行工业化生产。本研究是初步的,这些菌种的特性还有待于进一步研究。     

常压射频低温冷等离子体清洗光刻胶研究

介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备,用该设备进行了清洗光刻胶的工艺实验研究.实验结果表明:在100mm硅片表面涂上9912光刻胶,用等离子体进行清洗的速率可达500nm/min,测量了清洗速率与放电功率、氧气流量和衬底温度之间的变化关系;并对离子注入(B ,5×1015cm-2)后的光刻胶进行了清洗实验,得到清洗速率为300nm/min.清洗后的电镜分析证明,经等离子体清洗后,硅片表面无损伤、无残胶.     

偏压频率对类金刚石膜制备质量的影响研究

利用多弧离子镀技术制备类金刚石膜,研究不同偏压频率对类金刚石膜组成和性能的影响.采用扫描电镜、拉曼光谱仪、X射线光电子能谱(XPS)和纳米压痕仪对类金刚石膜进行分析,结果表明:偏压频率对类金刚石沉积的膜厚没有影响,但沉积粒子团簇尺寸随着偏压频率的增大而减小;当偏压频率为3kHz时,沉积粒子团聚严重且颗粒较大,表面质量较...     

液相掺杂法可提高ZnO压敏电阻器的性能

用液相掺杂法制备的粉体制成了ＺｎＯ压敏电阻器。ＳＥＭ测试分析及密度测试结果证明,瓷片的微观结构得以改善,从而提高了ＺｎＯ压敏电阻器的性能,其中非线性系数达到６７,通流能力为传统法制作的ＺｎＯ压敏电阻器的２倍。     

Er-Y-Cr-Si化合物在极低温区的巨低场磁热效应（英文）

高性能低温低场磁热材料在气体液化等领域具有重要的应用前景.本团队通过真空电弧熔炼的方式成功合成了一系列多晶Er_1-xY_xCr₂Si₂(0≤x≤0.8)样品,这些材料表现出巨大的低场磁热效应.其中Cr含量为0.1的样品显示出最好的低场磁热性能以及接近2 K的合适的工作温区.更重要的是,在0-1 T的磁场变化下,该样品的最大磁熵变峰值以及最大绝热温变峰值分别高达19.2 J kg^-1 K^-1和4.3 K.其磁熵变峰值为目前已报道的20 K以下温区合金类磁热材料的最大值.通过Arrott曲线,平均场理论以及约化磁熵变曲线等手段,证明了磁相变特征为二级相变.物理机理分析表明,10%的Y替代导致高达15.9%的磁熵变峰值增强的原因在于替代样品所具有的大饱和磁化强度以及小饱和磁场.