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41.
王美玲 《同煤科技》2001,(3):41-42,44
两段炉煤气热值低,迫切要求提高煤气灶具燃烧效率。从提高灶前压力和扩大喷嘴口径两方面计算和分析,得出相应解决办法。  相似文献   
42.
TBM311型固态中波发射机在全国只生产了十几部.这种中波发射机是进口美国哈利公司板块,电源部分由北京广播器材厂广播所自行设计组装的.我台1998年初安装使用,该机较电子管中波发射机有明显的优点:工作效率高,节省费用,安全可靠等.但在前期使用中,信噪比却一直偏低,约在56dB~58dB之间.为了解决这一问题,一年多来,我台对该机进行了反复研究和探讨.现将修理过程介绍如下:  相似文献   
43.
针对目前离心式压缩机中冷器寿命短、换热能力低的问题,拟对结构进行改造,并经换热设计计算验证此结构可满足生产需求。  相似文献   
44.
介绍了一种基于分段直线拟合和栅格划分去噪相结合的快速室内地图构建方法。当自主车获取的二维激光数据无法为导航提供依据时,自主车停止运动,并对环境进行三维扫描。利用LMS的线状点云作为初始输入,用曲率对点云分段,最后用MLS直线拟合对曲线的点云数据进行平滑处理。数据采集完成后,利用云台的俯仰角度数据,将所有输入的线状数据还原到三维场景产生环境三维模型,使用栅格划分方法对模型进行划分,删除点数量不足的栅格,最终生成基于环境特征的局部地图供自主车导航使用。该方法建模速度快,能够满足自主车导航中对环境感知的需求。  相似文献   
45.
为提高超精密定位平台的行程和精度,设计了一种新型的气动伺服定位平台。金属波纹管为单级驱动机构,采用有限元法设计气浮导轨。以气浮导轨支撑,研究无摩擦条件下的较大行程和精密控制。结合实验数据对波纹管的机械特性进行分析。根据初载曲线,进行参数辨识,建立了基于PI模型的定位平台系统迟滞模型,并对模型进行了验证。为改善系统动态特性,设计了复合控制器。前馈控制基于PI逆模型进行设计,反馈控制采用数字PID控制,并通过粒子群算法进行参数优化。对系统分别进行阶跃响应,锯齿波和正弦波跟踪实验。结果表明,参数优化后,系统阶跃响应的定位精度达到50 nm,平均跟踪误差,锯齿波输入为0.12μm,正弦波输入为0.18μm,能够满足超精密定位的要求。  相似文献   
46.
针对我国西北部地区以高原山地为主,海拔高、气候恶劣、空气稀薄、水资源短缺且昼夜温差较大,人民的基础生活设施不完善,居住条件差,处境艰难,日常生活十分不便的问题,设计了一套太阳能智能集雨供暖系统。利用高原地区充足的太阳能作为核心能源,对频繁性的降雨进行全自动收集并进行净化处理,一部分用于饮用,一部分用于夜间供暖。该系统为独立结构,可用于牧民、景点、大棚等,使得人们居住更加舒适、便捷、环保和智能。  相似文献   
47.
遗传模糊C-均值聚类算法应用于MRI分割   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过分析知经典的将图像分割成C类的常用的模糊C-均值聚类算法(FCMA)依赖于初始聚类中心的选择,通常得到的是局部最优解而并非全局最优解,又由于遗传算法能搜索到全局最优解,因此将遗传算法(GA)与FCMA相结合,对MRI直接进行聚类,利用遗传算法搜索全局最优解,从而有效地避免了模糊C-均值聚类算法收敛到局部最优的问题,并在此基础上实现了对MRI的分割,得到了比较满意的效果。  相似文献   
48.
开尔文探针力显微镜(KPFM)是一种可以对材料表面电势进行纳米级成像的工具,是研究纳米材料表面特性的一种重要手段。高定向热解石墨(HOPG)具有表面光滑、导电性好的特点,在原子力显微镜(AFM)的KPFM模式下,向HOPG表面施加不同电压,测量HOPG的表面电势,以结果作为参照,采用控制变量法分别对比了滤波器阶数、灵敏度和驱动值三种参数对表面电势测量的影响。实验结果表明:滤波器阶数、灵敏度和驱动值均对表面电势的测量有不同程度的影响,不同程度增加滤波器阶数、灵敏度和驱动值都可以起到提升信噪比的作用,其中灵敏度的提升对信号的影响最为显著。  相似文献   
49.
我市连晚稻本田杂草以鸭舌草、节节菜、矮慈姑等双子叶杂草为主,发生量大,危害严重。近年来虽推广使用丁草胺等药剂除草,但对双子叶杂草的防效较差。1986年我们对丁西颗粒剂进行了试验,结果发现丁西颗粒剂不仅除草效果好,杀草谱广,而且只要一次施药就可控制整个连晚稻本田期的杂草危害,现将结果整理如下。  相似文献   
50.
采用射频磁控溅射技术,在锆合金基体上制备厚度约为1.8 μm的SiC涂层,对其在不同温度下进行退火处理。利用SEM和AFM对微观形貌进行分析,讨论不同温度对SiC涂层表面形貌的影响,利用XRD对涂层的结构进行研究。结果表明:随着退火温度从400 ℃升高到800 ℃,涂层表面粗糙度呈现先减小后增大的趋势,其中在600 ℃时表面粗糙度最小,为0.122 μm;退火温度低于600 ℃时,SiC涂层不会出现晶态转变,当温度高于700 ℃时涂层开始出现非晶态向晶态的转变,XRD衍射图谱中开始出现SiC对应的衍射峰,且随着退火温度的升高,涂层的晶化程度进一步增大。  相似文献   
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