半导体激光器在不同制冷条件下散热研究

对半导体激光器在不同制冷条件下的散热进行实验研究.通过设计温度测试系统,分别在被动制冷、单条水路主动制冷和U型回路主动制冷的条件下,测量了多个高功率LD在不同工作电流下的温度,研究了在不同制冷条件下LD温度随电流的变化,发现U型回路主动制冷条件下,LD的散热效果最好.     

浅谈防焊显影不净

针对防焊出现的显影不净问题,通过实际的生产跟进分析验证,找出造成显影不净的主要因素：无尘房的温湿度、油墨本身的性能、油墨在产线（开油到显影的停放时间）。为解决此类问题提供思路。     

具有非线性能量收集的RIS辅助无线供电通信网络的吞吐量优化

为了提高无线供电通信网络（WPCN）的信息吞吐量及传能效率并实现系统可持续工作,研究可重构智能表面（RIS）辅助WPCN的吞吐量优化问题。采用非线性能量收集模型,并对RIS进行能量分配,通过联合优化RIS的反射相位和能量分配系数,基站的发射波束赋形,基站能量传输,下行能量传输和上行信息传输的时间分配,以最大限度提高网络用户信息传输的吞吐量。所考虑的优化问题的优化变量高度耦合,难以直接求解。提出基于分块优化、松弛变量引入和半正定松弛方法的高效算法求解该问题。仿真结果表明,与现有的基准方案对比,所提算法能显著提高系统吞吐量和可靠性。     

可用于高密度高速度领域的一种新型两端静态存储单元的设计

A vertical two-terminal silicon PNPN diode is presented for use in a high-density memory cell. The device design for high-speed operations was studied with experiments and calibrated simulations, which proves that the proposed memory cell can be operated at nanosecond range. The static and dynamic power dissipations were also studied, which indicated the availability of the proposed memory cell for VLS1 applications. Moreover, the memory cell is compatible with CMOS process, has little impact from process variation, and has good reliability.     

FED显示驱动电路结构及其场发射特性分析

从场发射的基本原理出发,分析了影响场发射电流的内外因素。阴极表面强电场是产 生发射电流的必要条件,但像素的不均匀性和场发射特性的非线性导致无法产生精确的发射电流,由此带来了亮度调节的可控性差;阴极驱动电路作为发射电流回路的一部分,其电路结构直接影响发射电流的控制特性,分析表明电流驱动模式能对阳极束电流进行精确控制,是实现FED亮度控制的理想驱动方式。     

位置敏感光电探测器

位置敏感光电探测器具有广泛的用途，介绍了器件的工作原理，输出信号的位置表达式及各种不同几何图形，等效电路，位置线性度和清晰度等参数性能，存在的缺点，以及不同几何结构的器件性能比较。     

多波长可调谐Ti：Al_2O_3飞秒激光器的研究

研制出一种多波长可调谐自锁模Ｔｉ：Ａｌ２Ｏ３激光器．能够同步产生二个或三个波长的飞秒脉冲序列．最短脉冲为４８ｆｓ，平均功率为７０ｍＷ．脉冲中心波长间距在２６～４９ｎｍ范围内可变。激光器波长调谐范围为７５０～８３０ｎｍ。     

钛宝石再生放大器

钛宝石再生放大器最近我们利用中国科学院上海光机所生长的钛宝石激光晶体，研制成功了钛宝石激光再生放大器。放大器输出光脉冲能量为３．６ｍＪ，工作中心波长为８００ｕｒｎ，重复频率为每秒１０次。再生放大器的腔为平凹腔。凹面镜曲率半径Ｒ－４ｍ。腔长正．７６ｍ。...     

Bi代石榴石磁光膜／金属反射层／玻璃多层结构磁光盘的优化设计

从磁光读出和热磁写入两者结合的角度提出一个新的优化目标函数．并用其完成了Ｂｉ代ＤｙＧａＩＧ／金属反射层／玻璃多层结构磁光盘的优化设计。结果表明新优化目标函数更具实际意义。     

45 fs掺铬氟化锂锶铝激光器

４５　ｆｓ掺铬氟化锂锶铝激光器掺铬氟化锂锶铝（Ｃｒ３＋：ＬｉＳｒＡｌｆ６）晶体，是最近几年研制成功的新型、近红外宽带可调谐激光器，调谐范围在７５０～１０００ｎｍ。我们用氟离子激光器泵浦Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ（为Ｃｒ３＋：ＬｉＳｒＡｌＦ６的简写）晶体，实现了...