电加工机床行业的春天——1988年“中国机床工具博览会”电加工机床展品述评

三月的北京,春意盎然。机床工具博览会的召开,似百花吐艳,迎来了电加工机床行业的春天。一、发展中的电加工机床行业电加工机床行业是一个较年青的行业,经过20多年的发展,已形成了一个以生产电火花线切割机和电火花成型机为主的,以模具加工为主要服务对象的生机勃勃的行业。全国目前有专业和兼业生产制造厂40余家,1986年生产电火花线切割机2400余台,生产电火花成型机600余台,产值近1亿元。产品产量和产值的增长率近几年一直保持在10％     

稀土硅镁铁合金研制成功

稀土硅镁铁合金是由严格定量的稀土、硅、镁和普通碳钢经高温冶炼而成。烯土硅镁铁合金作为一种添加剂、球化剂、精炼剂加入钢铁和有色金属中,与其中的硫、氧、氮等元素具有很强的亲合能力,能与有害元素形成熔点很高的化合物质点。其主要功能是细化了金属的铸造组织,改变了钢铁和有色金属中非金属杂质的形状、大小、分布形状和数量等,减少了非金属杂物对金属性能的有害影响,从而极大地提高了金属材料的机械性能、耐磨性能、低温韧性及高温耐热性能等。这种合金材料可广泛用于发动机、汽车、拖拉机、农业机械、各种常规武器以及船舶等机…     

甲醇制低碳烯烃催化剂专利技术分析

对甲醇制低碳烯烃催化剂领域中国专利进行了检索,研究了我国在该领域的技术发展趋势、主要专利申请人、专利技术布局、专利法律状态等情况,重点分析了近年我国甲醇制低碳烯烃催化剂专利技术发展情况。     

《水利水运工程学报》征稿简则

经国家科学技术部审核、国家新闻出版署批准 ,全国中文核心期刊———《水利水运科学研究》的刊名自2 0 0 1年起 ,更名为《水利水运工程学报》 .《水利水运工程学报》由国家水利部主管 ,南京水利科学研究院主办 ,是面向国内外水利、水运工程行业公开发行的学术性刊物 ,并已加入《中国学术期刊 (光盘版 )》和“中国期刊网”(ＣｈｉｎａｊｏｕｎａｌＮｅｔ) .《水利水运工程学报》主要报道水利水电、水运、海洋和土木建筑等工程的规划、可行性研究、设计、科研、施工、监理和管理等众多方面的新理论、新技术、新方法和新成果 .本学报为季刊 .…     

基于多自由度气动机械手位置伺服系统稳定性控制研究

基于传统易碎薄板机械手位置伺服控制系统稳定性低、自动化分拣效率低等不足,设计了一种基于笛卡尔坐标式的气动码垛机器手和位置伺服稳定性控制系统。首先,设计并介绍笛卡尔坐标式码垛机械手的基本组成结构,对机械手末端吸盘气动回路控制系统进行设计和分析;然后分别对机械手X、Y、Z三个方向的伺服电机控制原理进行分析并设计了一种位置伺服系统的前馈自适应控制算法;最后,将传统位置闭环PID算法和前馈自适应控制算法进行位置跟踪稳定性对比试验。实验结果表明该笛卡尔坐标式的气动码垛机器手和位置伺服稳定性控制系统设计合理,满足实际生产要求。     

输电线路施工的安全管理

输电线路施工是建筑安装行业中比较特殊的一项工作,其本身并没有很高的技术要求,但涉及的范围广泛,外部制约因素多,具有高度的分散性和不可预见性,只有在同时具备"天时、地利、人和"的情况下才能顺利施工。所以,输电线路施工的安全管理比变电站、火电厂内的电气安装难度更大,更具有其独特的要求和特点。     

自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器

对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B.     

CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验

研究了CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能.CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K×4的并行结构体系,其地址取数时间为30ns,芯片尺寸为3.6mm×3.84mm;在工作电压为3V时,CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器抗总剂量高达5×105Rad(Si),能较好地满足军用和航天领域的要求.     

fT为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件

在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.     

一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型

在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的A1GaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-Ⅴ特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-Ⅴ特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.