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本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生 相似文献
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新型NTC热敏电阻材料—含铜Mn系铁氧体的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了含铜Mn系铁氧体的阻温特性,目的是用廉价的铁氧体取代价格昂贵的、传统的Mn Ni Co氧化物、负温度系数热敏电阻。通过Cu~(2+)离子取代Fe~(2+)离子或Mn~(2+)离子,及改变淬火工艺,可以改变Mn系铁氧体整体电阻率ρ和材料参数B,得到可与传统氧化物器件相比拟的性能。 相似文献
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本文描述了可复用软件成分的基本特征和结构,给出了软件复用过程流程,论述了可复用成分的开发方法,讨论了可复用成分之间的关系及可复用软件成分库的组织及其基本结构,给出了成分库的检索方法。 相似文献
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