Ni42Cr6Fe封接合金氧化膜和氧化物晶须的结构

用ＴＥＭ、Ｘ－Ｒａｙ、ＳＥＭ等技术研究了Ｎｉ４２Ｃｒ６Ｆｅ玻封合金在高温湿Ｈ２中形成的氧化膜及氧化物晶须的结构。结果表明：氧化膜主要由Ｃｒ２Ｏ３和（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４两组相成，氧化膜底层是以Ｃｒ２Ｏ３为主的组织，氧化膜表层是以（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４为主的组织；Ｓｉ在氧化膜与合金界面分布，Ａｌ则在内氧化层中形成内氧化物质点；氧化膜表面生长的氧化物晶须的杆部为（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４单晶，头部为     

EBSP对磁控溅射铟的晶化组织的研究

铟广泛应用于光电器件的封装互连中。这是因为铟独特的性质能够满足光电器件 ,尤其是能满足红外器件封装时对互连材料的要求 :低互连温度 ,低温工作条件下良好的机械性能。研究铟的组织和性能间的关系十分重要 ,但是在室温时用常规的金相方法获得铟真实的原始组织却很困难 ,常规的金相方法通常会获得假相。因为室温下的铟处于它的热加工区域 ,常规的金相制样过程会导致铟的动态回复和再结晶。用扫描电镜的EBSP技术直接观察按真实工艺步骤沉积的铟的原始组织 ,发现铟以多晶态存在 ,平均晶粒尺寸为 1.2 6 μm ,并且在 9μm×9μm局部范围内没有织构存在 ;铟的纳米硬度是 19.73MPa。     

微电子封装中FeCl_3蚀刻液沉淀失效及再恢复

在微电子封装中,多处要使用FeCl3溶液进行蚀刻,如PCB布线,细间距引线框架等。在实际湿法蚀刻的研究中,发现使用高玻美度的FeCl3溶液蚀刻效果好。而高玻美度溶液的低温结晶现象比低玻美度(40癇e)要明显得多,对科学研究和生产带来较大的不利。本文分析研究了FeCl3蚀刻液失效产物和产生机制,提出了失效的温度因素、杂质离子因素、时间因素的影响过程和再恢复的方法。     

LY12/Cu双金属层合板的疲劳性能(Ⅰ)——面裂纹

考察了爆炸复合层状双金属板LY12 /Cu界面两侧材料弹塑性失配对面裂纹疲劳扩展行为的影响。结果表明 ,界面两侧材料的弹塑性失配对复合板面裂纹的扩展驱动力具有重要影响。当裂纹由弹性模量、屈服强度高的一侧向低的一侧扩展时 ,实际驱动力大于外加名义值 ;当裂纹由弹性模量、屈服强度低的一侧向高的一侧扩展时实际驱动力小于外加名义值 ,从而造成裂纹扩展的加速或止裂 ,其影响离界面越近效果越显著。但弹性失配在裂纹开始扩展直至界面的整个过程都起作用 ,而强度失配只在裂尖距界面一定距离内 (Rp)才起作用     

爆炸复合LY12/20g双金属板疲劳裂纹扩展行为研究 Ⅰ.面裂纹

考察了爆炸复合双层金属板ＬＹ１２／２０ｇ中界面两侧材料弹塑性失配村面裂纹疲劳扩展行为的影响．结果表明,当裂纹由弹性模量、屈服强度高的一侧向低的一侧扩展时,实际驱动力大于外加名义值：当裂纹由弹性模量、屈服强度低的一侧向高的一侧扩展时、实际驱动力小于外加名义值,从而造成裂纹扩展的加速或止裂、其影响离界面越近效果越显著,但弹性模量失配在裂纹开始扩展直至界面的过程中都起作用,而强度失配只在裂尖距界面一定距离范围内（ＲＰ）才起作用．     

62Sn─36Pb─2AgSMT封装焊点的等温剪切低周疲劳特征

研究了表面封装焊在剪切应力作用下等温低周疲劳特征，得到疲劳寿命与循环应力幅的关系曲线．分析了６２Ｓｎ─３６Ｐｂ─２Ａｇ焊点的低周疲劳失效机理。结果表明：６２Ｓｎ─３６Ｐｂ─２Ａｇ表面封装焊点在剪应力控制等温低周疲劳过程中有明显的循环蠕变行为，焊点的失效是由于疲劳与蠕变的交互作用造成的。在２５℃，低应力水平下，焊点的失效主要受疲劳过程控制，而高应力水平下，焊点的失效主要受蠕变过程控制；１００℃等温低周疲劳的失效机理与室温疲劳相似，其由疲劳机理向蠕变机理转化的应力水平τ_（＋）较室温下为低，但在相对应力水平（τ_＋／τ_ｂ和τ_＋／τ_ｂ＇）相同时，１００℃与室温时疲劳裂纹的扩展速率ｄａ／ｄＮ基本一致。     

Zr对Fe-Ni-Co-Cu系合金晶粒长大及性能的影响

为解决Fe-Ni-Co-Cu系合金应用中因高温退火晶粒粗大而引起的质量问题,研究了Zr对此类合金再结晶过程中晶粒长大特性的影响。结果表明,Zr可有效地细化合金的晶粒。经1050℃退火后,合金晶粒度为5—6级。本文研究了Zr在合金中存在的形式,以探明Zr抑制高温晶粒长大的原因。分析了添加Zr形成的第二相质点类型、尺寸对抑制晶界推移的作用,并讨论了影响Zr抑制晶粒长大效果的因素。实验结果表明,Zr可使与合金晶粒度有关的性能(如抗焊料渗透性、热加工性、化学稳定性及抗应力腐蚀开裂性能等)得到改善,而对合金的热膨胀性能、力学性能、氩弧焊可焊性等均无大的影响。合金的应用试验表明,添加适量Zr后,使用性能良好。     

微量元素Zr,Hf对Ni47Cr6Fe玻封合金氧化膜生长的影响

研究了微量元素Ｚｒ，Ｈｆ对Ｎｉ４７Ｃｒ６Ｆｅ玻封合金在高温湿氢气中的氧化速度，氧化膜形貌，应力及组成的影响。结果表明，Ａ１，Ｓｉ的少量添加促进合氧化，但Ｚｒ，Ｈｆ的微量添加抑制合金氧化，Ｚｒ与Ｈｆ对合金氧化速度的影响基本相同；Ａｌ，Ｓｉ促使氧化膜凸起生长，Ｚｒ，Ｈｆ促使氧化膜平滑生长，Ｚｒ，Ｈｆ的添加增加氧化膜内应力，而添加Ｓｉ，Ａｌ降低氧化膜内应力。Ｎｉ４７Ｃｒ６Ｆｅ合金氧化膜主要由Ｃｒ２Ｏ３和     

Cd掺杂扩散诱发InSb晶体缺陷的X光研究

文章采用了双晶衍射和同步辐射X射线貌相实验手段,对扩散掺杂Cd前后InSb单晶中位错密度的变化进行了对比分析。研究证实了扩散会导致InSb位错密度增加,导致双晶衍射的半高宽增加。较低的半高宽数值对应的X射线貌相中未观察到位错线,只有具有较高的半高宽数值的InSb单晶的X射线貌相上才显示了位错线。本文认为酸蚀可以有效去除InSb浅表面的高缺陷层。