LD抽运高功率连续波1.34 μmNd∶GdVO4激光器研究

报道了利用光纤耦合大功率半导体激光器 (LD)抽运Nd∶GdVO4晶体 ,采用平凹谐振腔 ,输出 1 34μm波长的高功率连续波固体激光器。在抽运功率为 1 4 75W时 ,获得最大输出功率为 4 6 2W ,光 光转换效率为 31 3% ,斜率效率达 32 9%。利用实验测得的阈值抽运功率和斜率效率 ,计算了Nd∶GdVO4晶体在 1 34μm波长处的受激发射截面     

电子对抗指挥自动化系统等级互操作研究

本文就电子对抗指挥自动化系统等级互操作的概念进行了阐述 ,指出在信息作战环境下实施等级互操作的必要性 ,并对电子对抗指挥自动化系统的互操作等级层次进行了分析     

GaN肖特基器件电学性质的模拟研究

基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算,主要研究MIS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质(电场强度分布和不同结构的I-V特性等)的影响.模拟结果显示MIS结构的肖特基器件中的界面层主要影响器件的电流特性以及开启电压,提高自身的电场强度,降低暗电流,而本征漂移层则主要影响器件的电场强度分布,对器件的正向电流有比较明显的影响.通过器件模拟可以在一定程度上优化器件结构,提高器件性能.     

掺杂焦磷酸对KDP晶体光散射的影响

掺杂焦磷酸的情况下降温生长了ＫＤＰ晶体,采用激光层析法对晶体的光散 观察,掺杂后晶体的光散射现象明显加剧;晶体的锥面、柱面和椎柱交界面处的散射点密度并不相同,其原因在于焦酸对ＫＤＰ晶体的锥面和锥面的影响不同。     

基于Verilog HDL语言的CAN总线控制器设计及验证

在此利用Verilog HDL设计了一款CAN总线控制器,首先根据协议把整个CAN总线控制器划分为接口逻辑管理、寄存器逻辑和CAN核心模块3个模块,然后用Verilog HDL硬件描述语言设计了各个功能模块,并使用Modelsim软件对各个模块的功能进行了仿真,最后使用FPGA芯片对设计的CAN总线控制器验证,并连接了一个包含该FPGA CAN总线控制器的4节点CAN总线网络。测试结果表明所设计的CAN总线控制器能够完成设定的功能。     

氟铝酸盐铝钎剂的研究现状和发展趋势

Nocolok钎剂是铝及铝合金钎焊过程中应用较广泛的无腐蚀钎剂.该钎剂熔化温度558℃,最大不足在于操作温度(600℃)过高,只适用于少数铝合金.从制备方法和添加第3种甚至更多种盐来改变钎剂的活性和性能这两方面对氟铝酸盐铝钎剂研究的进展和展望进行了综述.     

2017年移动转售行业展望:更多企业实现盈利

我国移动转售业务历经三年试点,截至2016年11月底,42家获得试点批文的转售企业中,共41家企业正式放号,移动转售用户2016年年净增2018.70万户,达到4077.42万户,占我国移动电话用户数的3％.展望2017年,移动转售行业又将如何演绎? 2017年移动通信转售业务发展趋势 移动转售业务将进入平稳增长阶段 回顾移动转售业务发展历程,自2015年3月起,移动转售用户规模保持月净增超过100万户,自2015年10月起连续6个月净增超过200万户.2016年4～6月增速有所放缓,4月开始的实名制整治工作使得转售企业改变了依赖实体代理渠道粗放发展模式,非实名增长用户水分得到挤压.     

基于蒙特卡罗模拟的光纤浊度传感器

在后向散射式浊度测量方法的基础上,采用光纤传感技术,设计了一种Y形光纤束探头结构的浊度传感器,并在光纤束探头前端配置平面镜作为光反射配合目标。根据朗伯比尔定律通过实验研究了消光系数与浊度的线性关系,基于蒙特卡罗法建立了待测液中的光子散射模型,模拟不同检测情形下的传感器接收光强,优化得到光纤束到平面镜的最佳距离。标定接收光强与消光系数的关系曲线用于测量。此法简单高效,能检测消光系数低至0.059cm-1的水质,平面镜的有效使用将传感器灵敏度提高10倍以上。此传感器可用于便携式检测,结合空分和时分复用技术可实现在线监测。     

电子侦察卫星作战效能FASSA-SVR评估模型

在电子侦察卫星支援对海作战背景下,为充分发挥卫星作战潜能,提出了基于萤火虫麻雀算法(FASSA)优化支持向量回归(SVR)的卫星作战效能评估模型。首先,运用萤火虫算法(FA)对麻雀搜索算法(SSA)进行改进;然后,建立了电子侦察卫星作战效能评估指标体系;最后,运用FASSA算法优化SVR的相关参数,依据所构建的效能评估指标体系,构建了电子侦察卫星作战效能评估模型。仿真结果表明,该模型具有较高的效能评估精度,在各项指标上均优于其他模型。     

热沉尺寸对半导体激光器有源区温度的影响

半导体激光器随着输出功率的提高在各领域的应用日益广泛,但芯片温度升高引起的功率饱和问题仍然是目前研究的重点之一。利用ANSYS软件对工作波长为808nm的单芯片半导体激光器的芯片有源区温度与封装热沉尺寸的关系进行了稳态热分析,模拟得出不同热沉参数条件下封装激光器芯片有源区温度的变化曲线,并提出一种散热较好的结构方案。