催化-分离脱氢膜反应器的透氢性能研究

1 前言在化学化工领域中利用膜材料的选择性渗透和催化作用来改善反应性能正越来越受到人们的重视。与传统的颗粒状催化剂-固定床反应器体系相比较,膜催化反应器在质量传递、热量传递和活化反应物方面有较大的差异。例如,用传统的固定床反应器由于受热力     

分光光度法测定微量表面活性剂在油/水体系中的分配系数

测定微量阴离子表面活性剂浓度的分光光度法被推广到测定油相中的微量阴离子表面活性剂浓度,进而用于表面活性剂在油/水体系中分配系数的测定.两种情形下氯仿层的吸光度只取决于测量体系中自由阳离子表面活性剂的浓度,因此可用单一阳离子的标准曲线作工作方程.用该法测定油相和水相中的阴离子表面活性剂浓度,工作方程斜率不同,测量下限分别可达2.5×10-5 mol·L-1和1×10-6mol·L-1.     

复杂分馏塔的分段控制

本文讨论了一种复杂分馏塔的生产过程的控制问题,提出了对全系统进行两级分段控制的方案。对每个子系统的控制是采用一个带前馈补偿的自校正调节器。前愤补偿可有效的消除各子系统间的相互干扰,及外界对子系统的干扰。二级系统的任务在于进行各子系统调节器的目标设定值间的协调,以使收率尽可能提高。实践验证说明了这种控制系统的性能是良好的。     

硝化法制备对氨基间硝基苯磺酸的研究

以对氨基苯磺酸为起始原料 ,经过乙酰化、硝化、水解三步来制备标题物。通过正交试验找出了酰化的最佳反应条件为 :对氨基苯磺酸与乙酐的摩尔比为 1∶1.0 5 ,反应总时间为 1.5h ,反应温度为 2 5℃ ,酰化介质为酰化反应前用碳酸钠及水将对氨基苯磺酸完全溶解 ,使混合液 pH值为 5～ 6 ,反应过程中不再补加碳酸钠 ,其酰化转化率可达 99.6 % ,酰化产物的固体收率可达 96 .0 % ;硝化反应的最佳条件为 :硝化剂用 90 .2 %的硝酸 ,对乙酰氨基苯磺酸与硝化剂的摩尔比为 1∶1.0 5 ,反应温度为 10℃ ,浓硫酸与对乙酰氨基苯磺酸的摩尔比为 8.3∶1,其硝化转化率可达 96 .0 % ,硝化反应的选择性好 ,对氨基邻硝基苯磺酸的量不到 1.0 %。     

AC/MMA接枝改性天然胶乳的制备及性能研究

以丙烯基氯（AC）和甲基丙烯酸甲酯（MMA）接技改性天然胶乳，采用正交试验方法研究引发剂用量，反应温度，单体配比，胶乳浓度等对接枝聚合反应中单体转化率和接枝率的影响，测试了改性天然胶乳的粘度，粘接性能及其硫化胶膜的力学性能，耐溶剂性和阻燃性，结果表明，适宜的接枝聚合反应条件为：引发剂异丙苯过氧化氢（CHP）和四乙烯五胺（TEP）的质量分数分别为0．58％和0．36％－0．72％（占橡胶质量的百分率）、反应温度为30℃、单体体积配比v（MMA）：v(AC）＝1．5：1、胶乳质量分数为53．3％，所得接枝胶乳粘度较高，粘结性能较好，耐溶剂性能剂，且有较好阻燃性。     

基于改进卡方统计的微博特征提取方法

通过对微博文本特征信息的分析与研究,提出一种基于改进卡方统计的微博特征提取方法。扩充微博信息分类特征,在传统的卡方统计量的基础上,引入了频度等因素,改进特征选择方法;在传统的特征项权值计算的基础上,提出了新的改进卡方统计量的方法,改进权重计算效果。对上述方法利用经典KNN和SVM算法进行了测试,实验结果表明该方法提高了微博信息分类的准确率。     

基于环形微热板的ZnO微气体传感器设计

提出一种新型的设有环形结构微热板的硅基ZnO微气体传感器。利用ANSYS软件,将环形电极结构与传统的蛇形结构进行温度分布的模拟仿真,发现该结构能供给传感器更高的温度且中心温度分布均匀,进而解决了现有传感器功耗大的缺点。通过对RF磁控溅射ZnO薄膜的工艺摸索,得出了适宜作气敏薄膜的制备参数。该传感器在250℃下对（200-1000）×10-6CH4气体有很好的响应。     

掺锰BaTiO3 PTCR陶瓷的电子顺磁共振研究

利用电子顺磁共振（EPR）方法对Mn掺杂的BaTiO3 PTCR陶瓷在120－450K的温度范围内进行了研究，研究结果表明：高自旋Mn^2 离子的6重谱线非常明显，表征谱线位置的g因子为2．009 9,Mn^2 离子信号弱弱与BaTiO3晶体结构密切相关，Mn^2 离子信号的温度分布呈U型，即在三方相和立方相时，信号强度较强，而在四方相和斜方相时信号很弱，这是因为在四方相和斜方相中，由于BaTiO3晶体结构的扭曲和畸变，导致Mn^2 和Vo空位缔合生成Mn^2 -Vo复合缺陷，未成对电子的消失以及复合缺陷n^2 -Vo的生成最Mn^2 在四方相和斜方相（200－380K）消失的主因，实验中没有发现Mn^3 和Mn^4 的信号，而与实验的环境条件一致，掺Mn后样品Curie点的漂移可能是Mn进入晶格的一个判据，此外，由于试样的n(Ba)/n(Ti)=1，因而没有发现钡空位VBa及其它的复合缺陷（如：VBa-Mn^2 ,Mn^3 -Vo,La^3 -Mn^3 等），Mn^2 离子等电子陷阱的生长是Curie温度处电阻骤然增加的主要原因。