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11.
在物联网高速发展的同时,也暴露出一系列的安全问题。本文首先总结了物联网卡业务运营过程中出现的风险场景,然后探讨了物联网卡风险行为特征的提取方法,最后提出了物联网卡异常行为的提取规则,搭建物联网业务运营风险监控系统,以告警并协助处理异常网卡,保障物联网的完全运营。 相似文献
12.
13.
介绍了美国、以色列、法国等西方发达国家在数字化中波红外焦平面探测器方面的研究现状及发展趋势。从数字读出电路(ROIC)角度出发,阐述了上述三个发达国家开发的列级ADC数字化中波红外焦平面探测器的最新研究成果。在SWaP概念牵引下,以色列、法国都推出了小像元(中心距为10 m及以下)、高温工作、数字化输出的百万像素中波红外焦平面探测器组件。最后介绍了昆明物理研究所在数字化红外焦平面探测器组件研究方面取得的最新进展。昆明物理研究所突破列级ADC数字读出电路关键技术后,研制出一系列中心距(15 m、20 m、25 m)的640512列级ADC数字化中波红外焦平面探测器组件,主要技术指标与国外同类数字化中波红外焦平面探测器组件相当。 相似文献
14.
An all-optical header extraction scheme based on the reflective semiconductor optical amplifier (RSOA) is presented, which
can be used to process variable-length and bit-rate transparent packets. Through selecting the appropriate carrier-lifetime
of the RSOA, the payload pulses obtain smaller gains than header pulses and are considered to be compressed. By using the
reflective structure, the header pulses can acquire larger gains than the payload twice, and the contrast radio (CR) is improved.
The simulation results show that the CRs can reach 22.8 dB and 18 dB for the packets with header pulses at the rates of 2.5
Gb/s and 10 Gb/s, respectively, and these values can be optimized through properly selecting the structure parameters, such
as the small-signal gain and saturation energy. 相似文献
15.
碲镉汞线性雪崩焦平面探测器具有高增益、高带宽及低过剩噪声等特点,在航空航天、天文观测、军事装备及地质勘探等领域展现了巨大的应用潜力。目前,国内已经开展了碲镉汞线性雪崩焦平面器件的研制工作,但缺乏评价其性能的方法及标准,同时对其的应用仍然处于探索阶段。首先分析了表征线性雪崩焦平面器件性能的关键参数,同时基于碲镉汞线性雪崩焦平面器件的特点,探讨了雪崩焦平面器件在主/被动红外成像、快速红外成像等领域的应用,最后对碲镉汞雪崩焦平面器件的未来发展进行了展望。 相似文献
16.
首次报道了利用相分凝技术在非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点的化学溶液方法.对所制备的ZnO/ZnMgO/SiO2进行了原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、椭圆偏振光谱(SE)表征.XRD表征表明当六配位Zn2+以替位的形式取代六配位Mg2+时,会导致相同衍射条件下立方ZnMgO的2θ比立方MgO的2θ小.SE表征发现ZnO量子点的量子效应导致了ZnO量子点的激子吸收能(3.76eV)比ZnO体晶的能带隙(3.37 eV)大.AFM表征表明:导致薄膜的XRD的衍射峰、α吸收峰和PL发射峰皆很宽的部分原因是由于组成所制备薄膜的晶粒尺寸分散较大、形状不一引起的. 相似文献
17.
18.
利用广电的接入网络与中国移动通信公司合作,采用EPON +EoC 模式,使用HomePlug AV 7400系列EoC产品,实现有线数字电视双向网络的建设,开展广播电视双向高清互动点播与双向宽带数据业务,彻底解决早期使用BPL EoC产品所造成的带宽瓶颈等问题。 相似文献
19.
采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77~147 K温度范围对器件R_0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R_0A分布进行了研究,77 K下HgCdTe薄膜内的体缺陷及非均匀性对器件性能产生了重要的影响;127 K下由于体扩散电流增加,缺陷对器件的作用显著弱化.77 K和127 K下器件R_0A随P/A比增大而减小,表明表面效应对器件具有重要的影响.基于Vishnu Gopal模型对器件1/R_0A值和P/A关系进行了拟合分析,证实了器件存在较大的表面漏电现象,且通过表面钝化工艺的改进,有效减小了表面效应对器件性能的影响. 相似文献
20.
首次采用叠加能量离子注入技术制备C^+注入SiO2薄膜样品,室温下观测到很强的蓝光发射。通过测量样品的光致发光谱对退火条件的依赖关系,研究了样品的发光特性。对发光机制进行了初步探讨。 相似文献