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1991年 | 1篇 |
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NTP授时广泛应用于Internet中,为计算机提供较精确的时间。本文主要研究在广域网中NTP授时的精度相关问题,NTP通过网络为计算机进行授时,而网络传输过程中时延的不确定性,授时过程也必然存在一定的偏差。本文提出了一种通过GPS高精度时间测量NTP授时精度的方法,建立了一套实验方法,设计了一套实验方案,并采集了一段实验结果,对实验结果数据进行分析、处理,得到了一组相对客观稳定的实验结果。通过长期的实验测试,得到了在一段时间内NTP授时的精度的结果,该结果表明NTP授时精度在10毫秒数量级上。 相似文献
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采用溶液共混法制备了钛酸钡/聚偏氟乙烯(BT/PVDF)复合材料,研究了BT粒度分布及含量对复合材料介电性能、电气强度、储能性能和热稳定性的影响.结果表明:相较于单一粒径BT,双粒径BT共同填充的协同作用使复合材料具有更加优异的综合性能,且协同作用在两种粒径的BT等质量比时表现最为显著.随着填料含量的增加,复合材料的介电常数增大,热稳定性提升,介质损耗因数保持在相对较低的水平.当BT质量分数为60%,两种粒径BT的质量比为5:5时,复合材料在100 Hz的介电常数达到46.5,是纯PVDF的5倍;其储能密度与极化强度分别为0.18 J/cm3和0.0119 C/m2,相比纯PVDF分别提高了176%和310%.热失重5%的分解温度达到478.4℃,分别比S-BT和L-BT单独填充的PVDF基复合材料提高了1.3℃和30.3℃. 相似文献
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研究用于径向基函数(RBF)网络训练的一种微分进化正交最小二乘(DEOLS)算法。把微分进化(DE)算法的种群作为正交最小二乘(OLS)算法的候选径向基函数集合,利用OLS对DE的种群个体进行评断,以确定RBF网络的隐结点的数目、中心和宽度。该算法融合了DE的强大搜索能力和OLS的高效评断能力,隐结点的选择比OLS要合理,同时避免DE的复杂性。最后使用实验验证了该算法的优越性。 相似文献
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本文依托河口村水库工程安全监测项目,通过坝基、坝体沉降变形监测资料分析,系统地研究深厚覆盖层面板堆石坝沉降变形变化规律。成果表明:(1)坝基和坝体沉降填筑期随填筑高度增加而增大,静置期随时间增加而增大,整体呈先增加而后减小直至趋于零的趋势;(2)坝基和坝体沉降趋稳,主要受坝基地质情况和坝体填筑高程影响;(3)堆石坝沉降整体与坝型呈不对称分布,其最大沉降量约占坝高的0.72%,符合一般土石坝沉降变形规律。监测成果为保证大坝填料、混凝土面板施工以及评价大坝安全性状提供科学依据,亦可为类似工程提供借鉴和参考。 相似文献
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紫恒·帝景花苑,青海首家国家3A级住宅项目、国家绿色建筑示范社区。项目位于城北生物园区经二路及宁大路之间。占地十六万平米,总建筑面积三十二万平方米。一级资质开发商一一紫恒地产倾力筑造,2013年全面升级,推出精装修成品住宅,由中国建筑标准设计研究院承担其室内设计任务及选材咨询工作,实现人居品质的极致升级。 相似文献
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温泉11定向井的目标点位于平行岭谷区内的大山地形之中,受地理条件的限制,该井设计为一口水平位移达1650~1750m的定向井。该井使用F320-4DH型钻机设备及常规定向井施工技术,应用兰德马克井眼轨迹控制软件优化设计井身结构、井眼轨迹,并采用滑动钻具、满尺寸双稳定器等多种钻具组合来控制井眼轨迹,采用无固相和低固相聚合物钻井液、聚磺防塌钻井液来保证井壁的稳固。该井在实际施工中充分利用高陡构造地层的自然造斜规律,实钻斜深4332m,垂深3825.59m,最大井斜角45.49°,水平位移1705.57m,钻井周期238d,全井无事故和严重复杂情况的发生,是川渝地区水平位移最大的一口定向井。通过该井的钻井实践证明,在川东高陡构造中,只要技术措施得当,利用常规钻井技术和设备,完全能够完成水平位移小于2000m的定向井。 相似文献
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四川白玉铜铅锌共生矿清洁分离技术研究 总被引:3,自引:1,他引:2
四川白玉铜铅锌共生矿矿石性质复杂,铜铅矿物嵌布粒度极细,铜锌矿物致密共生,分离较为困难。采用铜铅部分混合优先浮选-选铅-选锌-铜铅混合精矿加压浸出分离工艺流程,以EM-WB-12为铜矿物捕收剂进行选矿试验,并在选铅时进行了粗精矿再磨,实验室试验可获得Cu+Pb品位28.09%,铜、铅回收率分别为85.00%、53.38%的铜铅混合精矿,铅品位和回收率分别为52.68%、30.13%的铅精矿以及锌品位和回收率分别为52.72%、73.62%的锌精矿,同时伴生银得到了有效回收。对铜铅混合精矿进行加压浸出,取得了Zn浸出率94.36%,Cu浸出率91.21%的优良指标,渣中Pb脱硫后品位达到40%。在此基础上进行了选矿扩大试验,其试验指标较好地验证了实验室试验结果。 相似文献
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This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs). 3D damaged model of SiGe HBTs single-event effects (SEE) is built by TCAD simulation tools to research ions angled strike dependence. We select several different strike angles at variously typical ions strike positions. The charge collection mechanism for each terminal is identified based on analysis of the device structure and simulation results. Charge collection induced by angled strike ions presents a complex situation. Whether the location of device ions enters, as long as ions track through the sensitive volume, it will cause vast charge collection. The amount of charge collection of SiGe HBT is not only related to length of ions track in sensitive volume, but also influenced by STI and distance between ions track and electrodes. The simulation model is useful to research the practical applications of SiGe HBTs in space, and provides a theoretical basis for the further radiation hardening. 相似文献