倾斜放置二维数字阵列雷达天线参数优化

介绍了二维相控阵或二维数字阵列天线锥形扫描与俯仰、方位扫描时的坐标变换,重点阐述了倾斜放置二维相控阵或二维数字阵列天线按俯仰、方位扫描时的坐标变换关系,基于该坐标变换,得出倾斜放置二维平面相控阵或二维平面数字阵列天线扫描区域边界在变换域上呈椭圆形的结论。基于这样的结论,可以实现对阵面倾斜角度、几何参数的优化。     

LD泵浦Nd:YVO4-KTP绿光激光器整体控温的设计

报道一种微型全固态绿光激光器的整体控温技术。对绿光激光器的温度敏感性做了详细的分析。采用单片机系统模糊控制使温度稳定度小于 0 .1℃。     

双层异质结碲镉汞甚长波红外焦平面探测器研究进展

报道了甚长波碲镉汞红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长p-on-n异质结材料,并基于湿法腐蚀、表侧壁钝化、In柱互连工艺,制备了第一支甚长波碲镉汞台面型焦平面器件。在60 K的工作温度下,该器件的截止波长达到14.28 μm,有效像元率为94.5%,平均峰值探测率达到8.98×10¹⁰ cm·Hz^1/2·W^-1。     

基于回波特性分析的激光雷达硬件故障定位方法研究

针对传统方法存在的激光雷达硬件故障定位精度差、定位时间较长的问题,设计基于回波特性分析的激光雷达硬件故障定位方法。首先对回波信号进行建模,并利用波形分解算法分析回波信号,并利用小波滤波方式滤除其中的噪声,然后通过与正常数据的对比识别出异常雷达数据,并利用接收机所接收到的信号判断发射功率测量误差、天馈系统、测试通道以及接收机信号主通道是否出现异常情况,结合标校和定标信号快速定位至最小硬件单元。实验结果表明:与传统方法对比,该方法的定位精度较高,定位过程耗时较小,证明该方法具有较强的实用性。     

基于非锐化掩模的实时自适应图像增强算法

针对传统的非锐化掩模算法的局限性,依据图像中各像素点及以其为中心的若干相邻像素点的均方差值,提出了自适应图像增强算法的原理,并分析其硬件实现方法,然后给出了该算法与其它算法应用于图像增强的对比结果,最后在FPGA（field programmable gate array）实验板上进行验证.实验结果表明,此算法有效的增强图像的细节区域,防止图像边缘区域出现过冲现象,抑制图像平坦区域的噪声放大.因此,该算法取得了良好的视觉效果,硬件实现简单,适合于实时条件下图像的增强.     

应用于雷达方位超分辨的改进Richardson-Lucy算法

方位超分辨是国内外雷达界持续探索的一项技术难题。为解决高斯噪声情况下天线低通效应造成的方位低分辨力问题,利用基于泊松噪声情况下Richardson-Lucy(RL)算法对其进行研究。针对RL算法中高斯噪声被放大出现虚假目标和RL算法收敛速度慢的缺点,提出了一种改进RL算法。该算法首先使用低通滤波去除高频段的噪声,然后利用加速RL算法进行方位超分辨。仿真结果表明:与原RL算法相比,改进RL算法能降低高斯噪声的影响,消除虚假目标;在信噪比低至0 dB时,相对于半功率波束宽度,改进RL算法的最大分辩倍数为1.8倍,与维纳逆滤波算法相比具有较强的噪声适应能力,可以应用于雷达方位超分辨。     

大规模交互式视频服务系统研究综述

以视频点播(Video On Demand)系统(简称VODs)为核心的多媒体通信技术的研究是信息科学领域最为活跃的研究热点之一。本系统而全面地介绍了有关大规模交互式视频服务系统理论研究的国内外研究现状。主要的研究内容及其研究目的和关键性问题；最后提出了该研究的理论意义与实践价值。     

一种高精度的CMOS带隙基准电压源

设计了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源.该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达3×10-6/℃,电源抑制比可达75 dB.还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.     

臭氧与氧化氢对蚕豆叶片超微结构的影响

目前研究大气污染对植物的影响主要以混合污染为主,我们模拟了兰州地区存在的臭氧与氟化氢复合污染,以蚕豆(Vicia faba.L.)为供试材料,成熟植物株采用开顶式熏气处理。臭氧浓度为0.098μg/m~3—0.167μg/m~3。氟化氢浓度梯度为(0.75mg/m~3—0.83mg/m~3)。每天熏气8小时,连续5天为一个实验段。比较对照(图1),低浓度的氟化氢处理的叶片,其叶肉细胞无变形损伤,只是其中出现许多小液泡,叶绿体变圆,其被膜区域性模糊,叶绿体中基质及质体小球的电子密度增加。基粒—基质类囊体系统有所膨胀,尤以基质类囊体明显,另外基粒片层的松散度加大(图2)。线粒体及其它细胞器保持完好。臭氧熏气5天后,叶肉细     

全钝化高性能InAlAs/InGaAs/InP HFET

<正>《Electronics Letters》1992年第7期报道了全钝化高性能InAlAs/InGaAs/InP HFET的研制。由于亚微米栅InAlAs/InGaAs/InP HFET具有优良的直流和微波性能,业已受到极大关注。但现有器件仍存在若干问题,例如:I/V特性中的弯折现象、栅极截止电流较高以及漏源击穿电压较低等。本文介绍的全钝化工艺使上述问题得以解决。由于采用了具有表面耗尽