刻蚀工艺对四面体非晶碳膜生长及其性能的影响

目的研究不同等离子体刻蚀工艺对基体和四面体非晶碳膜(ta-C)的影响,并进一步考察不同电弧等离子体刻蚀时间对ta-C薄膜结构的影响。方法采用自主设计研制的45°单弯曲磁过滤阴极真空电弧镀膜设备,进行不同等离子体刻蚀以及ta-C薄膜的沉积。使用等离子体发射光谱仪表征离子种类及其密度,使用椭偏仪表征薄膜厚度,原子力显微镜表征刻蚀后的基体粗糙度,拉曼光谱仪和XPS表征薄膜结构,TEM分析薄膜的膜基界面结构。结果辉光刻蚀工艺中,作用的等离子体离子以低密度的Ar离子为主;而电弧刻蚀时,作用的等离子体离子为高密度的Ar离子和少量的C离子,并且能够在基体表面形成约15 nm的界面层,并实现非晶碳膜(a-C)的预沉积。随电弧等离子体刻蚀时间增加,ta-C薄膜的sp3含量有所降低。结论相比于辉光刻蚀,电弧刻蚀利于制备较厚的ta-C薄膜。这主要是因为电弧刻蚀时,基体表面形成良好的界面混合层,并预沉积了非晶碳膜,形成a-C/ta-C的梯度结构,有助于增强膜基结合力。     

纳米抗体的特性及其应用研究进展

纳米抗体与传统IgG抗体相比,具有分子质量小、更容易被生产、稳定性好、抗原结合力高等特点,目前在医学、食品科学等很多方面展开了积极有效的研究和应用。本文重点就纳米抗体的结构、特性和在食品科学领域的应用进行综述和分析,并对纳米抗体在食品检测方面的应用前景进行展望。     

粮谷中脱氧雪腐镰刀菌烯醇净化检测技术研究进展

脱氧雪腐镰刀菌烯醇是粮谷中一种普遍存在的真菌毒素,对它的检测和限量非常重要,对其提取、净化、检测技术的新进展等方面进行了综述.     

90nm CMOS工艺低功耗20GHz比较器设计

A low power 20 GHz CMOS dynamic latched regeneration comparator for ultra-high-speed, low-power analog-to-digital converters （ADCs） is proposed. The time constant in both the tracking and regeneration phases of the latch are analyzed based on the small signal model. A dynamic source-common logic （SCL） topology is adopted in the master-slave latch to increase the tracking and regeneration speeds. Implemented in 90 nm CMOS technology, this comparator only occupies a die area of 65 × 150 μm^2 with a power dissipation of 14 mW from a 1.2 V power supply. The measurement results show that the comparator can work up to 20 GHz. Operating with an input frequency of 1 GHz, the circuit can oversample up to 20 Giga-sampling-per-second （GSps） with 5 bits resolution; while operating at Nyquist, the comparator can sample up to 20 GSps with 4 bits resolution. The comparator has been successfully used in a 20 GSps flash ADC and the circuit can be also used in other high speed applications.     

1.6 MHz降压型DC-DC转换器中的斜率补偿设计

PWM电流模控制方式在DC-DC转换器设计电路中得到了广泛应用,也带来了斜率补偿问题.讨论了降压型DC-DC转换器中斜率补偿技术的原理,分析了传统的线性补偿技术并详细介绍了一种改进的分段线性补偿电路,给出了在1.6 MHz降压转换器中的实际应用电路.电路基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺设计,通过Cadence Spectre仿真验证,该斜坡补偿电路有效解决了子谐波振荡以及过补偿问题.     

仪器仪表与化工生产的自动控制

化工生产的自动化控制是一项科技创新,它是一门综合性的技术学科,我们在实际的生产控制中使用仪表仪器进行自动化控制,在现代以计算机科学作为理论的基础,运用先进的软件技术进行对仪表仪器进行自动化生产的控制,本文对仪表仪器与化工生产的自动化进行控制相关问题进行探讨。     

铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响

研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释.实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时εr=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷.     

物料自动分拣系统对应QR码标签信息识别

利用当前方法对QR码标签信息进行识别时,没有对QR码图像进行处理,导致识别效果差,整体识别效率与信息识别率低,影响了物料自动分拣系统的整体运行效率.提出物料自动分拣系统对应QR码标签信息识别方法,首先利用背景区域与目标区域的灰度相关性作为二值化依据,采用局部阈值分割法对QR码图像进行二值化处理,提高QR码的清晰度;引入...     

基于变位分配法地铁车站变形规律研究

以北京地铁某车站工程为背景,基于变位分配法原理对PBA施工引起地层变形进行分阶段研究,提出相应控制措施以减小对周围环境的不利影响,可得出以下结论:(1)PBA工法地层与车站结构的力学响应可分为4个"卸载-加载"的过程,其中"小导洞开挖"和"拱部土体开挖与扣拱"为控制地层变形的关键步序;(2)小导洞开挖前,应及时超前注浆加固周边地层。采用错距开挖、短进尺减少对洞周围岩的扰动;(3)在扣拱阶段,传力途径的转换使洞周地层应力重分布,车站结构产生相应的协调位移;建议采用短进尺,设置横向钢支撑等措施;(4)随着施工步序的推进,洞周地层塑性区范围逐渐增加,最终形成剪切楔破坏;大量张拉性微裂纹伴随剪切性微裂纹构成宏观上的剪切带;(5)对比4个施工阶段地表沉降的比例,数值计算和现场监测分别为4.5∶1∶6∶1和4.3∶1.6∶5∶1,二者基本吻合。