一种轻量级数据加密标准循环掩码实现方案

随着智能卡技术的不断发展,智能卡芯片的安全性也面临越来越大的挑战。在众多加密算法中,数据加密标准(DES)算法是一种应用较广的对称加解密算法。为了抵御各种侧信道攻击,使用最为广泛的是在算法中通过掩码技术来消除真实密钥和功耗相关性,该文提出一种新的适用于DES的循环掩码方案,和之前文献中的预计算掩码方案相比,不仅预计算量大大减少,而且整个DES运算过程的中间数据都是带有掩码的,把掩码拆分后,还可以防护高阶攻击。     

半导体激光器参量估计的改进算法

为了精确估计带外腔半导体激光器的线宽展宽因数,采用了光反馈自混合技术和梯度最优算法,可以达到数据-理论的最佳拟合,同时提出了改进的梯度迭代公式,并在参量迭代时引入可变步长,取得了仿真和实验数据.该算法不仅测量精度较高,而且抗噪声性能较好.仿真结果表明,当信噪比大于20dB时,线宽展宽因数的相对标准差小于2.55%.实验数据处理结果表明,线宽展宽因数的相对标准差小于5.1%,对半导体激光器的应用是有帮助的.     

5大集团争抢泰国大单华为"出半价"胜出内幕

2005年1月24日下午2点25分,号称134.4亿泰铢的泰国CATTelecom的CDMA2000网络建设项目竞标开始。参与者除了爱立信、摩托罗拉和华为3家公司之外,监督席中竟然坐着泰国总理他信(Thaksin)、信息通信部部长SurapongSuebwonglee和来自美国、瑞典和中国的驻泰国使馆代表,由于是残酷的电子竞标,几乎是价低者得,现场弥漫着浓重的杀气。“133.29亿(泰铢)!”摩托罗拉第一个报价。“122.7亿(泰铢)!”爱立信将价格拉低了1亿泰铢。最后一个出场的华为再次拉低了报价,“115亿(泰铢)!”在令人窒息的竞标下,价格不断拉低。终于,最后一轮竞争开始了,摩托…     

解读云南广电之腾飞模式

云南广电一手抓内部整合,获得了市场、资金、资源和产业优势;一手抓新干线网建设,与华为合作建设的“ULH+ASON”传输网将促进数字电视和数据增值业务的大腾飞     

基于A7102C的CAN总线接口微功率数传电台

设计一种由STM32处理器和A7102C无线收发芯片组成的CAN总线接口数传电台。介绍了电台的结构、软硬件的设计原理,并给出了硬件的原理图;实验表明,电台发射功率为14.9dBm,接收灵敏度为-110dBm,实测有效通信距离能达到1.2km,满足小尺寸、低成本、远距离的设计要求。     

HSDPA系统中一种感知用户终端缓存状态的QoE保障调度算法

针对HSDPA系统中现有调度算法无法满足实时业务QoE的缺点,提出一种保障实时业务QoE的调度算法。该算法根据用户反馈的信道质量信息和在基站获取到的用户终端缓存状况信息。确定用户的优先级并据此调度优先级最高的用户,进而保证实时业务的吞吐量和QoE需求。仿真结果表明,与轮询调度算法、比例公平调度算法相比,提出的调度算法不仅能够保证实时业务的QoE需求,而且能满足非实时业务基本的吞吐量需求。     

影响表贴式电阻器重用可靠性的工艺问题

介绍了《WEEE指令》及《废弃电器电子产品回收处理管理条例》中关于电子产品环保设计的要求,环保设计实施的一个重要方面就是元器件的重用;由于表贴电阻器的使用量大和更新换代周期长,因此这类器件具备重用的特点;分析了影响表贴电阻器重用寿命的几个工艺问题,如机械应力与热应力对重用电阻器可靠性的影响;环境腐蚀对重用电阻器可靠性的影响;金属间化合物IMC生长对重用电阻器可靠性的影响。同时给出了这些问题造成电阻器失效的模式以及针对这些问题的分析和判断方法。     

透明介质材料的超快激光微纳加工研究进展

透明介质材料具有高透光性、高耐热性和良好的耐腐蚀性,被广泛应用于航空航天、微电子器件和光学元件等领域,这些应用对透明介质材料微纳加工的精度与质量提出了一定的要求。超快激光具有超高的峰值强度与超短的脉冲持续时间,可突破衍射极限并极小化热影响区,具有出色的加工精度与加工质量,为透明介质材料的微纳尺度加工提供了多样化的手段。综述了透明介质材料的超快激光微纳加工研究进展,包括超快激光加工透明介质材料的内部结构、相关机理和应用领域三个方面,并对透明介质材料的超快激光微纳加工进行了总结与展望。     

民族院校《电路分析》课程教学改革与实践——以西藏民族学院为例

分析了目前民族院校中《电路分析》课程教学过程中存在的问题,结合近年来从事电路分析教学经验和全国大学生电子设计大赛指导经历,从民族院校少数民族学生的特点以及创新人才培养的角度出发,提出了针对民族院校《电路分析》课程教学改革的几条方案。     

立方相SiC MEMS器件研究进展

主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适的刻蚀方法,还需保证金属与碳化硅欧姆接触的稳定性,同时高温引线键合与封装工艺亦不能忽视。随着材料生长和加工成本的不断降低,3C-SiC基MEMS器件将会逐步走向商品化。