Ag层的厚度对ZnO/Ag/ZnO多层膜性能的影响

采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Ag靶的方法制备了不同厚度Ag夹层的ZnO(60nm)/Ag/ZnO(60nm)多层膜.分别用X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、四探针测试仪对样品的结构、光学性质、电学性质进行了研究.结果表明:随着Ag层厚度的增加,ZnO/Ag/ZnO多层膜呈现多晶结构,Ag(111)衍射峰的强度增强.Ag夹层厚度为11nm时,ZnO(60nm)/Ag/ZnO(60nm)膜在554nm处的透过率高达92.3%.随着Ag层厚度的增加,Ag膜的特征吸收峰呈现红移和宽化,ZnO/Ag/ZnO多层膜的面电阻先减小后趋于稳定.     

MCP电子透射膜的制备及半视场特性

介绍了微通道板(MCP)电子透射膜在成像器件中的功能,分析了冷基底溅射制膜技术和有机膜涂覆及焙烧的方法制备MCP电子透射膜的工艺缺陷,提出了一种新的MCP输入面电子透射膜的制作方法.在一块MCP输入面的半圆上制作了4 nm厚电子透射膜,研究了相同条件下MCP带膜半圆和不带膜半圆的光学反射表面显微形貌、输出电流密度特性和半视场亮度特性.     

旋涂法室温制备PEDOT:PSS/Ag NW/PEDOT:PSS透明导电复合膜

用旋涂技术在PET衬底室温沉积透明导电PEDOT:PSS/Ag NW/PEDOT:PSS复合膜。用紫外-可见分光光度计、霍尔效应测量系统、X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜对透明导电复合膜的光学透过率、面电阻、结晶性和表面形貌进行了表征。复合膜XRD衍射图呈现Ag (111) 和 Ag (200)特征衍射峰,Ag纳米线网络具有Ag (111)择优取向的多晶结构。复合膜3-PEDOT:PSS/5-Ag NW/3-PEDOT:PSS在550nm波长的透过率高达83.95%,面电阻低至21.98 ?/sq。     

反馈线性化控制器的可视化设计与仿真

本文以一个实例介绍了反馈线性化控制器的可视化设计与仿真的方法,详细的给出了系统设计与仿真的各个步骤,包括如何建立仿真模型的S函数,利用神经网络辨识系统的可视化参数设计的方法和需注意的问题.仿真结果显示该方法是简单且有效的.     

无碳污染微通道板电子透射膜的工作特性

利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了4nm厚Al2O3非晶态电子透射膜，此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染。探讨了贴膜与气体辉光放电的关系，测量了MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性。实验表明，4nm厚Al2O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子，阻止反馈离子。     

Ga2O3缓冲层厚度对柔性衬底沉积Cu/ITO薄膜性能的影响

Cu and Cu/ITO films were prepared on polyethylene terephthalate （PET） substrates with a Ga2O3 buffer layer using radio frequency （RF） and direct current （DC） magnetron sputtering. The effect of Cu layer thickness on the optical and electrical properties of the Cu film deposited on a PET substrate with a Ga2O3 buffer layer was studied, and an appropriate Cu layer thickness of 4.2 nm was obtained. Changes in the optoelectrical properties of Cu（4.2 nm）/ITO（30 nm） films were investigated with respect to the Ga2O3 buffer layer thickness. The optical and electrical properties of the Cu/ITO films were significantly influenced by the thickness of the Ga2O3 buffer layer. A maximum transmission of 86%, sheet resistance of 45 Ω/□ and figure of merit of 3.96 × 10^-3 Ω^ -1 were achieved for Cu（4.2 nm）/ITO（30 nm） films with a Ga2O3 layer thickness of 15 nm.     

一种增压缸及其制造工艺

内高压成形也叫充液成形是近年来发展起来的一种加工空心构件的先进制造工艺,用于金属管件内高压成形,适用于制造汽车,航空,航天等行业中使用的各类轻体构件和复杂管件.用其制造的零件具有质量轻,刚度好,零件数量少,可减少后续机械加工和组装焊接量和成本低等优点.内高压成型所需的高压力由增压缸提供,增压缸是充液成形设备的心脏.本文...     

微通道板非晶态Al2O3电子透射膜

文中介绍了ＭＣＰ非晶态Ａｌ２Ｏ３电子透射膜在成像器件中的作用，阐述了膜层的选择，形成条件与方法，给出了膜层形成及其与辉光气体放电的关系，测量了膜层及带膜ＭＣＰ的些特性，并进行了初步分析了讨论。     

无碳污染微通道板电子透射膜

提出利用静电贴膜技术制备无碳污染MCP电子透射膜工艺方案,探讨了贴膜与辉光气体放电的关系,制备了4nm厚MCP电子透射膜.实验测得该电子透射膜的成分只有铝和氧元素,MCP带膜前、后的体电阻和暗电流没有变化,MCP带膜后电子增益略有增加.     

Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的结构和光学性质

用射频磁控溅射制备了本征β-Ga2O3薄膜及Zn掺杂β-Ga2O3薄膜,研究了Zn掺杂和热退火对薄膜结构和光学性质的影响。与本征β-Ga2O3薄膜相比, Zn掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过、光学吸收、光学带隙以及光致发光等都发生了显著的变化。退火后的β-Ga2O3薄膜为多晶结构,Zn掺杂以后β-Ga2O3薄膜的光学带隙变窄,薄膜的结晶性变差,薄膜的光学透过降低,薄膜的紫外、蓝光及绿光发射加强。