氯盐体系中铋湿法冶金的基础研究

根据同时平衡原理，对氯盐体系硫化铋矿浸出过程和三氯化铋水解过程进行了详细的热力学分析，绘制了Ｂｉ２Ｓ３－Ｈｃｌ－Ｈ２Ｏ系Ｅ－ｐＨ图，Ｅ图有及三氯化铋水解过程ｐＨ－（Ｂｉ＾３＋）ｒ和溶解度－ｐＨ图，为铋湿法冶金提供重要的理论依据。     

我国向国际计量机构提供一批高温铂电阻温度计,得到好评

应国际计量局的要求,我们于今年三月去巴黎参加国际温度谘询委员会时,送出一批我国研制的高温铂电阻温度计,受到各国的热烈欢迎。许多国家都争着要中国的温度计,有的还提出要向中国订货。八十年代国际计温学界的头一件大事就是修改国际实用温标,而研制高稳定的高温铂电阻温度计又是修改温标的重要技术关键。英、美、苏、日等国早在六十年代初就着手研制高温铂电阻温度计,卅多年来虽然取得了不少进     

Infineon公司推出全新的微控制器（MCU）产品

NI PCI-6230隔离式M系列数据采集卡具备模拟和数字I／O线，以及内置的直接连接到工业传感器的数字隔离功能。内置隔离功能的NI PCI-7390位置（脉冲）运动控制器可与安川SigmaⅡ、三菱MR-J2S以及松下Minas A等常用的运动电机直接连接，并可与NI视觉和数据采集硬件实现高级的同步功能。     

光纤光栅在预应力钢绞线应力测量中的应用

利用光纤Bragg光栅（FBG）传感器对预应力钢绞线的应力测量进行了研究,通过分析预应力钢绞线的特点确定FBG的安装工艺并进行了试验。试验结果表明,在预应力钢绞线单根钢丝上粘贴FBG基本上可以不受钢绞线结构形式的影响而表征钢绞线的总体应力情况。断裂试验表明,FBG的断裂应变极限为5457με,因此FBG的传感零点需偏移5000με。     

大规模并行计算机系统及其拓扑重构的重现

本文介绍了由Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ构成的大规模并行计算机系统，和实现其互连网络结构动态重构的方法。     

基于流动单元、ANFIS和多元统计分析建立高含水储层渗透率模型

常规测井解释以砂层组或单砂层为解释单元,忽视砂层内部不同流动单元渗流特征的差异,因此储集层解释模型可靠性不高.尤其当油田进入高含水期,储层参数发生了变化.用传统的解释方法计算渗透率很难达到理想的精度.提出利用流动单元、自适应神经模糊推理系统(Adaptive Neuro-Fuzzy Inference System,ANFIS)和多元统计分析理论建立高含水油田渗透率模型,并应用于丘陵油田高含水储层评价中,取得了良好的效果.     

库车地区砂岩孔隙结构对胶结指数影响及饱和度误差分析

库车地区砂岩储层以高压低孔隙度低渗透率为显著特征.且储层结构复杂.给储层测井评价带来很大困难.以大量实验数据为基础.采用对比分析与数值模拟计算方法,分析了库车地区砂岩胶结指数m与孔隙大小、储集空间类型、泥质含量及其结构等因素之间的关系.并对其机理进行探索.在此基础上,讨论m指数对饱和度计算的影响.库车地区砂岩电测井主要受岩性、孔隙结构影响,对流体性质响应不灵敏,在饱和度计算过程中,m指数选择不当时,给计算结果带来15%～30%左右的误差.     

Purcell模型与Thomeer模型相结合的高精度渗透率模型研究

碳酸盐岩储层孔隙结构复杂,渗透率建模困难。相比于孔隙度,通过对压汞资料分析的一些孔隙特征和孔隙系统结构信息,例如最大孔喉半径与渗透率关系更为紧密。用压汞资料评价渗透率,最早是Purcell在1949年首次提出的,后来被Thomeer,Swanson等人深化。基于Purcell渗透率模型,在Thomeer研究的基础上,利用数学推理,在不经过岩心拟合孔隙度和排驱压力参数的情况下,推导了出一种新的预测碳酸盐岩的渗透率模型。随机选取中东地区H油田孔隙类型为单峰和双峰的碳酸盐岩岩样各50块,应用到Thomeer模型,Swanson模型和新模型中。分析了孔隙类型为单峰和双峰两种模态下三种渗透率模型的计算误差,结果表明,在单峰情况下,新模型与其他两种经典模型相比,结果有明显改善;在双峰情况下,新模型与其他两种经典模型相比,精度也有一定的提高。     

一日三餐君子动口不动手

一向讨厌弄厨的李师傅,这天突然发现自己再不必为做早餐发愁了——还未等他把气化炉搬出室外,就遇到了三拨卖早点的人,而“豆浆油条”、“烘糕——热的”一类的吆喝无疑让怕麻烦的李师傅喜出望外,于是他赶紧把已经打燃火的炉子扭熄,开口叫住小贩,仅花三块多钱便满意地获得了一份供一家三口食用的热气腾腾的早点。 现在这种君子动口不动手的吃现成饭方式当然已不仅局限于早晨,每当11点过后,包子或馒头的早     

栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究

源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量测试分析发现,栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47%;随着信号频率的改变,漏极电流按μnCoxW[α (0.13 0.64f)VGS (0.13 0.32 f)VGS2](VGS-Vth)2/L的规律变化;脉冲信号宽度对漏电流崩塌影响较小.基于实验结果的理论分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间并被表面态所俘获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道二维电子气浓度减小,从而导致形成电流崩塌效应的主要原因之一.该结论有助于AlGaN HEMT器件脉冲条件下电流崩塌效应理论解释和器件应用.