排序方式: 共有51条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
利用X射线光电子谱和原子力显微镜研究经气相和溶液钝化的InP表面的化学健合、表面残余氧含量、表面刻蚀效应和粗糙度。结果表明 ,采用气相多硫化物钝化可以获得均匀、光滑和可重复的表面质量 ,但其热稳定性不如溶液多硫化物钝化的InP表面好 相似文献
22.
Co—Si多层膜的透射电镜研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文用TEM技术系统地研究了超高真空中在Si(111)衬底上交替蒸镀Co、Si形成的多层薄膜,在稳态热退火过程中硅化物的生长规律,观察生成硅化物的成分和晶粒度、薄膜的表面形态和界面特征等微结构的变化。结果表明,随着退火温度的升高Co膜逐渐转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,硅化物晶粒的大小随退火温度的升高而增大,340—370℃退火后在Co耗尽前Co_2Si和CoSi能同时生长(三相共存)。结合XRD分析,证实了上述结果的可靠性。 相似文献
23.
24.
25.
在神圣的沙特阿拉伯王国的麦加,在这座历史悠久的伊斯兰世界名城,中国铁建人经历了时间和环境的严酷考验,将一座高科技轻轨架设在山地丘陵之间,让麦加再次实现了传统与现代文明的对接,使穆斯林朝觐有了更加舒适便捷的交通通道。这支建设队伍中,中铁十八局集团无砟轨道施工队,在施工环境恶劣,时间紧迫的境况下,发扬“老虎团”精神,凭借精湛的专业施工能力,攻坚克难、挑战极限、屡创佳绩,成为麦加工地最具战斗力的专业化施工队伍。 相似文献
26.
利用AES分析研究了经不同腐蚀所引起的n-(100)GaAS表面化学组分的差异,同时应用C-V法、I-V法和G-V法测量了在不同化学组分的n-GaAs表面上电镀形成的Ni/n-GaAs肖特基二极管的主要物理参数和Ni/n-GaAs的界面态的位置,俘获截面积及其界面态密度.研究结果表明,n~GaAs表面化学组分的不同直接影响肖特基势垒的高度、结的陡度、结附近载流子浓度分布、理想因子和饱和电流密度等.找到了最佳的腐蚀条件,获得了接近理想的肖特基结;同时还观察到Ni/n-GaAs界面中存在两种类型的界面态:其一界面态密度低,俘获截面积大;其二界面态密度高,俘获截面积小.这两种界面态与肖特基结的性能和势垒形成或费米能级钉扎密切相关.三种不同组分表面的Ni/n-GaAs界面费米能级钉扎的位置在禁带中几乎相同. 相似文献
27.
硅基发光材料和器件研究的进展 总被引:2,自引:0,他引:2
发光器件和集成电路都是信息技术的基础,如果将经们集成在一个芯片上,信息传输速度,存储和处理能力将得到大大提高,它将使信息技术发展到一个全新的阶段,但是,现有的集成电路是采用硅材料,而发光器件用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体集成电路,虽然经过多年的研制,但至今还不成熟,因此,研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件成为发展光电 相似文献
28.
29.
发光器件和集成电路都是信息技术的基础。如果能将它们集成在一个芯片上,信息传输速度,储存和处理能力将得到大大提高,它将使信息技术发展到一个全新的阶段,但是,现在的集成电路是采用硅材料,而发光器件则用ill-V族化合物半导体。Ill-V族化合物半导体集成电路,虽然经过多年的研制,但至今还不成熟。因此,研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺铒硅、多孔硅、纳米硅以及 Si/SiO_2等超晶格结构材料,并展望了这些不同硅基发光材料和发光器件在光电集成中的发展前景。 相似文献
30.
喷气增焓(EVI)涡旋式压缩机结构及机制较为复杂,性能影响因素较多.为了提高EVI涡旋式压缩机建模精度,本文介绍人工神经网络(Artificial Neural Network,ANN)的建模环境部署以及数据处理方法,并以某压缩机的测试数据为案例,应用人工神经网络进行数学建模,结果显示ANN模型可以满足精度需求,可供相... 相似文献