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41.
偏振无关的全光纤窄带通梳状滤波器 总被引:1,自引:1,他引:1
提出了一种基于二阶高双折射光纤(HBF)Sagnac环Sagnac环镜的全光纤窄带通梳状滤波器。二阶HBFSagnac环镜由单环构成,环中包含2段HBF。对照由2个一阶HBFSagnac环镜级联实现的窄带通梳状滤波器,进行了理论推导和试验证明。结果表明,当二阶HBFSagnac环镜中的2段HBF的长度设定为L1∶L2=1∶2,入射光与HBF快轴间的夹角为θ1+θ3=45°、θ2=45°时,实现了类似于2个一阶HBFSagnac环镜级联的传输谱,具有窄带通和宽信道间隔的特点。与对照的方案相比,边模抑制比高出3dB,此外还具有插入损耗低、实现简单等优点。理论推导与实验结果吻合。 相似文献
42.
43.
信息技术的发展推动着教育改革迈向智慧校园建设的新阶段。虚拟现实为智慧校园建设提供技术助力,智慧校园为虚拟现实技术发展提供应用载体。文章针对当前教育信息化发展的时代背景,探讨了智慧校园的发展趋势和建设过程中面临的瓶颈问题,分析了虚拟现实技术在智慧校园环境共享、教学服务、科学研究、智慧阅读、会议交流、信息管理等方面的应用层次和突破方向,以期推动未来智慧教育发展走向更深、更强。 相似文献
44.
A method for measuring the frequency stability of tunable laser is proposed by using confocal Fabry-Perot(F-P)interferometer.The F-P interferometer is used to get the output frequency of the laser as a reference,and the method eliminates the need of an independent optical source as a frequency reference.Using this technique,the frequency stability of the tunable external-cavity diode laser(ECDL)is measured to be 2.26×10~(-9)with an integration time of 20 ms. 相似文献
45.
介绍了碳基材料生产的特点、碳基材料数字化系统的主要架构及其硬件设计与数据系统管理能力,分析了碳基材料生产过程的复杂性和产品批量小品种多的特点,导致其生产追溯及生产控制困难度增加的实际情况,应用数字化技术,构建数字化管理体系,实现了碳基材料产供销的协同管理,有效避免了生产过程中由于产供销各环节信息孤岛导致的信息滞后、管理不畅造成生产周期长、库存积压严重等问题,在制品产供销效率提升方面有显著的改进效果。 相似文献
46.
47.
调幅广播具有距离远、覆盖范围广的优点,是实现区域、国家和国际覆盖的最佳手段之一.DRM以适应形势的需要,数字调幅广播的国际标准. 相似文献
48.
用透射电子显微镜对PbTiO_3/SrTiO_3(001)薄膜内部所形成的复杂畴组态以及畴壁处的位错进行了系统的研究。透射电镜结果和几何相位分析(GPA)表明,薄膜内部两个交叉的a畴内部出现了180°畴壁,导致在局部区域形成了全闭合畴结构,在铁电畴壁处观察到高密度位错。高分辨HAADF-STEM像分析显示,在90°畴壁处容易形成a<011>型位错,在180°畴壁处容易形成a<100>型位错,表明位错的形成与铁电畴壁类型存在强耦合关系。 相似文献
49.
静态图像中人体行为分类的一般方法是先手动标定出行为对象,再单独对行为对象进行特征提取和分析,不仅费时费力还丢失了场景信息。针对此问题提出了结合场景特征与行为对象特征的图像表示方法,充分利用图像的所有信息。此外为了减小量化误差,在特征编码阶段,采用局部约束线性编码(Locality-constrained Linear Coding,LLC)算法,并将其应用在空间金字塔模型的向量量化中。该算法与传统的矢量量化算法和稀疏编码算法相比,能够降低量化误差。最后在Stanford 40 Action数据集上对文中方法进行实验和验证,结果表明,结合场景特征与行为对象特征并使用LLC编码算法能够获得更好的分类效果。 相似文献
50.
两种实验合金(DD00和DD0WR)被设计用于阐明难熔元素W/Re对镍基单晶高温合金再结晶行为的影响。对比DD00合金,加入W/Re的DD0WR合金的再结晶形核阶段被延长,晶粒长大速率减慢,这也意味着DD0WR合金的再结晶行为明显受到抑制。通过透射电镜(TEM)明场像观察,随着热处理时间地延长,DD0WR合金的位错密度消除得更慢。结合TEM中扫描透射电子显微探测器(STEM)和X射线能谱仪(EDS)观察发现,在DD0WR合金中,位错和晶界处有W/Re元素富集。据此可知,对于DD0WR合金,由于难熔元素W/Re在位错和晶界处富集,阻碍了位错运动和晶界迁移,有效地抑制了再结晶的发生。 相似文献