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高文栋 《机械工人(热加工)》2007,(10):22-23
一、低压真空渗碳设备的主要特点
低压真空渗碳设备是与低压真空渗碳技术同时出现的一种设备。该类设备的突出特点是选择的多样性,并且具有多种用途和先进的渗碳控制系统。 相似文献
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锭子是纺纱及捻线机上的关键专件,每台主机都配有数百套锭子,在纺纱及捻线过程中锭子的功耗占整机功率的80%,这就要求锭子的单锭功耗要尽量小,所以在锭子标准中都规定了单锭功耗指标,为了实现对这一指标的定量测定,就需要设计研制测定仪器。本文详细介绍了CG—1型单锭功耗、振程测定仪的设计及实践过程。 相似文献
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被列为国家“八五”期间重点建设项目的太钢大型露天矿──尖山铁矿于1991年7月1日开工,1994年8月8日采选工程带负荷联动试车成功,产出铁精矿品位66.2%。仅用3年多时间,基本建成了这座现代化的大型采选联合企业,在冶金矿山工程建设史上创造了新记录!建设现代化的矿山,采用先进工艺、先进技术和先进设备及具有较高自动化水平是其重要的标志。为把尖山铁矿建成我国现代化的、一流水平的大型采选联合企业,十几年来,冶金部鞍山冶金设计研究院与太钢尖山铁矿建设指挥部紧密结合、精心设计,采用了多项国内外最新科技成果和大胆引进了国… 相似文献
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该延期机构的设计采用特殊材料的保险簧片,在无隔爆装置的条件下,保证了平时安全性和作用可靠性,同时通过了12m安全落高试验,本文针对该机构的安全可靠性从设计上进行了计算和分析。 相似文献
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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
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介绍一种能提高交流永磁同步电机数字控制器控制精度的算法,系统采用TI DSP TMS320LF2407A组成核心控制电路。 相似文献