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71.
72.
河口村水库供水水价与资金筹措方案分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用库容分摊法、效益现值比例分摊法等,测算了河口村水库公益性开发功能与经营性开发功能应分摊的固定资产投资及成本费用。在此基础上,测算了工业及城镇生活供水的成本水价和盈利水价;调查了工程受益区现状水价水平;分析了水库供水用户的可承受水价。在综合考虑水价水平、投资结构、项目财务状况及管理体制设计等因素的前提下,推荐河口村水库供水水价为0.72元/m3。资金筹措方案为项目固定资产动态总投资275819万元。其中:贷款39223万元,占14.2%;资本金236596万元,占85.8%。 相似文献
73.
74.
MA钢重载齿轮失效分析魏洪涛彭丽翠(中信重型机械公司计检中心,洛阳471039)MA钢是中信重机公司经过多年研制开发出的一种新型重载齿轮用钢,它是一种位错板条马氏体(M)+板条相界残余奥氏体薄膜(A)的复相低碳马氏体型超高强度钢,从九一年以来已多次成... 相似文献
76.
为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31~38 GHz频段的毫米波宽带高效率功率放大器芯片。测试结果表明,该功率放大器芯片在31~38 GHz宽带范围内,线性增益为26~29 dB,饱和输出功率为21.5 dBm,动态电流低于100 mA,饱和效率≥37%,在32~35 GHz内最高效率达45%。 相似文献
77.
GaAs PIN二极管具有开态电阻小、截止频率高以及功率容量大的特点,采用GaAs PIN二极管制作的开关插入损耗较小、隔离度较高、并且功率的线性较好。基于河北半导体研究所GaAs PIN工艺制造了一款单刀双掷开关芯片。该开关采用单级并联结构。通过微波在片测试,在小信号条件下,6~18 GHz范围内插入损耗小于1.45 dB、隔离度大于28 dB,输入输出反射损耗小于7.5 dB。把开关装入夹具中进行功率特性测试,在连续波输入功率37 dBm,12 GHz条件下测试输出功率仅压缩0.5 dB,具有非常好的功率特性。在4英寸(100 mm)晶圆上开关的成品率较高,具有非常好的工程应用前景。 相似文献
78.
基于GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一种5~ 12 GHz的收发一体多功能芯片(T/R MFC),其具有噪声低、增益高和中等功率等特点.电路由低噪声放大器和多个单刀双掷(SPDT)开关构成.为了获得较低的噪声系数和较大的增益,低噪声放大器采用自偏置三级级联拓扑结构;为了获得较高的隔离度和较低的插入损耗,SPDT开关采用串并联结构.测试结果表明,在5~ 12 GHz频段内,收发一体多功能芯片的小信号增益大于26 dB,噪声系数小于4 dB,输入/输出电压驻波比小于2.0,1 dB压缩点输出功率大于15 dBm.其中,放大器为单电源5V供电,静态电流小于120 mA;开关控制电压为-5 V/0 V.芯片尺寸为2.65 mm×2.0 mm. 相似文献
79.
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺寸降低30%以上;限幅器级间采用电感匹配结构,提升MMIC的工作带宽;LNA采用并联负反馈、源极电感负反馈以及电流复用拓扑结构,实现超低功耗和良好的稳定性。芯片采用整体最优化设计,在片测试结果表明,在工作频带内,限幅LNA MMIC芯片的增益为(25±0.2)dB(去除1 dB斜率),噪声系数小于1.6 dB,总功耗小于100 mW,耐功率大于46 dBm,该芯片尺寸为2.8 mm×2.4 mm,充分体现了集成工艺的性能和尺寸优势。 相似文献
80.
386等档次较高的微机,为了在关机后继续保存一些机器的参数,广泛采用了CMOS电路.微机开机密码就是存储在CMOS电路中的,即使关机后也不会丢失.但是如果一旦遗忘,就无法启动机器进入操作系统,下述方法能快速处理这个问题.首先,断开机器电源,打开机箱,将主机板上供电电池两端短接使其充分放电.在放电过程中,最好加一 相似文献