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11.
搅拌反应器中混合隔离区的存在是强化流体混合的主要障碍。打破搅拌槽中的对称性流场结构,破坏混合隔离区,可以提高流体混合效率。采用Matlab软件编程计算最大Lyapunov指数(LLE)和多尺度熵(MSE),比较了不同桨叶类型、柔性片长度、柔性片数量和桨叶离底高度以及转速对流体混合的影响。结果表明,长短叶片复合型刚柔桨(RF-LSB)桨叶通过刚柔耦合错位连接,柔性片的形变与随机振动对流体的非稳态扰动,使流场结构不稳定性和不对称性增强,强化了流体混合效果。当柔性片数量为3,搅拌转速为90 r/min时,RF-LSB体系比刚性桨和刚柔桨体系的LLE值分别提高了20.22%和7.98%;三种体系[RF-LSB(柔性片数量为3)、刚性桨和刚柔桨体系]的混合时间(θm)与单位体积功耗(Pv)呈指数型关系,当Pv相同时,RF-LSB(柔性片数量为3)的θm最小,表明RF-LSB(柔性片数量为3)更有利于流体混沌混合。  相似文献   
12.
<正>为保证矿井安全排水,《煤矿安全规程》第281条规定:水仓、沉淀池和水沟中的淤泥应及时清理,每年雨季前必须清理1次,而水砂充填及水力采煤的矿井,对水仓或沉淀池的清理次数要根据具体情况来定。水仓清挖处理工作消耗工时较多,近十几  相似文献   
13.
研究硝酸、硫酸混酸浸取低品位铜矿,探求低品位铜矿中提取铜最佳工艺条件。结果表明:液固比为4∶1,硫酸浓度50g/L,硝酸浓度150g/L,反应温度80℃,反应时间8小时。在此浸出条件下,铜的浸出率可达96.8%。  相似文献   
14.
电化学沉积技术,作为集成电路制造的关键工艺技术之一,它是实现电气互连的基石,主要应用于集成电路制造的大马士革铜互连电镀工艺和后道先进封装Bump、RDL、TSV等电镀工艺。受WLP、2.5 D、 3 D、 S I P等先进封装技术的推动,未来3年市场空间可达1 5~2 0亿美元。  相似文献   
15.
电镀电源的控制是高速自动电镀线的关键技术,相对于传统的模拟量控制方法,485总线控制的整流器具有抗干扰能力强、系统搭建简单等特点。但485总线存在轮询周期长的缺点,调整电流的实时性差。本文在以Modbus-ASCⅡ协议为基础,通过分组调度算法执行通信协议宏,有效的提高485总线的通信能力,满足高速电镀工艺的电源控制要求。  相似文献   
16.
魏红军 《电子机械工程》2014,30(4):12-14,23
根据系统设计要求,为了充分利用设备空间、减少系统耗电,对设备舱的冷却系统进行了研究。通过对风冷源及液冷源的集成布局及控制优化,确定了集成冷却系统的方案。介绍了集成冷却系统的工作原理,结合产品的特点进行优化,设计出了符合产品要求的冷却系统。  相似文献   
17.
对冲天炉风圈、加料漏斗的技术改进,使冲天炉的故障率明显降低,维修费也大大下降。很好地保证了熔炼工序的顺利进行。  相似文献   
18.
主要研究了用在管式PECVD沉积SiO_2-Si_3N_4叠层钝化膜对电池片效率及组件PID的影响。叠层钝化膜可以通过管式PECVD工艺一次性完成。沉积SiO_2-Si_3N_4叠层膜与常规Si_3N_4膜进行对比,电池片效率可以提升0.07%,其中短路电流和开路电压提升明显。沉积SiO_2-Si_3N_4叠层膜电池的组件可以实现PID合格。  相似文献   
19.
二甲醚(DME)羰基化制乙酸甲酯(MA),MA加氢合成乙醇工艺是一种新颖、绿色且经济的乙醇合成路线,催化剂成型对实现该工艺工业化具有重要意义。本论文选用拟薄水铝石及硅溶胶为黏结剂,对丝光沸石分子筛(MOR)进行挤条成型,制备了一系列不同黏结剂种类与含量的成型MOR催化剂。通过强度测试以及Weibull函数统计分析,探究了黏结剂对成型MOR的强度以及强度可靠性的影响;X射线衍射、N2物理吸附、NH3程序升温脱附、吡啶吸附原位红外等表征结合活性评价,探究了黏结剂对MOR的物理结构、酸性以及催化性能的作用。结果表明:黏结剂的引入不会影响MOR的晶体结构,且以拟薄水铝石为黏结剂时,催化剂力学性能及DME羰基化催化性能最佳。通过建立MA时空收率、TOF与微孔比表面积之间的定量关系,确定黏结剂不影响MOR内单位活性位点催化能力,产物时空收率与催化剂微孔比表面积呈线性正相关。  相似文献   
20.
穿透硅通孔技术(TSV)是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案,是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中,电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台,建立了考虑加速剂和抑制剂作用的硅通孔电镀铜仿真模型,仿真研究得到了基于硫酸铜工艺的最优电镀药水配方,并实验验证了该配方的准确性。  相似文献   
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