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有些人虽注意保养,但收效甚微。究其原因,主要是认识观念过于陈旧,仍在沿用过去的习惯,没有在自我保健过程中注入新的元素。归纳起来,常见的养生误区有以下6个方面。 相似文献
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在梳理永定河现状问题及已经治理成果的基础上,从整个流域的角度,对永定河流域管理进行了反思和分析,并建议对永定河流域进行统筹规划和综合治理,以实现流域水资源的高效利用、防洪安全,保障经济社会的可持续发展。 相似文献
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宝宝疾病初愈阶段,其脾胃尚虚,如果饮食过量或者吃了辛辣、油腻、厚味儿、不易消化的食物,很容易引起疾病复发,中医称为食复。在中医典籍《素问·热论》中有这样的记载:“病热少愈,食肉则复,多食则遗。”这也是中医反复强调在疾病治疗过程中以及疾病尚未痊愈前都要忌口的原因。宝宝疾病初愈并不等于疾病已经痊愈,中医形象地称疾病初愈的状态为“炉烟虽熄,灰中有火”。疾病初愈时,宝宝体内的致病因素仍未完全祛除,病症所损伤的脏腑尚在恢复中,脾胃仍处于虚弱状态。此时,若对饮食不加以节制和调理,“食复”的可能性极大。 相似文献
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熔体外延法生长的截止波长12 μm的InAs0.04Sb0.96的电学性质 总被引:1,自引:1,他引:0
用Van der Pauw法研究了熔体外延(ME)法生长的截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96单晶电学性质,测量了其电学性质随温度的变化,结果为300 K时,n=2.3×1016 cm-3,μ=6×104 cm2/Vs;200 K时,n=1×1015 cm-3,μ=1×105 cm2/Vs.分析了石墨舟和石英舟中生长的外延材料不同的电学特性及其散射机理.结果表明,电离杂质散射控制所有样品在低温时的电子输运过程,而高温时材料的电子迁移率主要由极性光学声子的散射过程决定;C的沾污对石墨舟中生长的InAs0.04Sb0.96单晶在200 K以下的电子迁移率有明显的影响. 相似文献
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从化学键角度出发,利用Ⅲ—V族二元化合物元素间的电负性差△X*对禁带宽度作图的方法,发现化合物半导体的禁带宽度E_g随组成元素间的电负性差△X*的增加而增加,且基本上成直线关系,电负性差小于0.5的化合物是直接能隙半导体,大于或等于0.5的化合物是间接能隙半导体。由此直线关系导出了一元回归方程并计算得到不同组分下十一个三元合金和九个四元合金的禁带宽度,其值与用内插法等所得计算值及实验值间符合较好,文中对此规律作了定性解释。 相似文献
59.
用熔体外延(ME)法在半绝缘(100)GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96外延层.傅立叶变换红外(FTIR)透射光谱揭示,InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄.通过分析InAs0.04Sb0.96外延层载流子浓度的温度依存性表明,其室温禁带宽度为0.105 5 eV,与透射光谱测得的数值很好地一致.通过测量12~300 K的吸收光谱,研究了InAs0.04Sb0.96/GaAs的禁带宽度的温度依存性.霍尔测量得出300 K下样品的电子迁移率为4.47×104 cm2/Vs,载流子浓度为8.77×1015 cm-3;77 K下电子迁移率为2.15×104 cm2/Vs,载流子浓度为1.57×1015 cm-3;245 K下的峰值迁移率为4.80×104 cm2/Vs. 相似文献
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