OSCA-CFAR在K分布杂波背景下的性能分析

本文证明了形状因子已知条件下有序统计平均（OSCA）恒虚警检测器在K分布杂波背景下具有恒虚警性能，分析了均匀K分布杂波背景和多目标情况下该检测器的性能，并与OS和OSGO-CFAR进行了比较，仿真结果表明OSCA在两种环境下均具有最好的检测性能。     

InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究

利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN／GaN多量子阱（MQW）蓝光发光二极管（LED）,研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。     

动态主观散斑的时间相关性研究

根据散射屏移动时动态主观散斑时间相关公式,分析了成像系统主要参数对动态主观散斑时间相关性的影响：一般情况下屏表面参数对散斑的时间相关性影响较小;激光光斑大于成像系统物面分辨斑时,散斑的时间相关性由透镜孔径大小决定;激光光斑小于成像系统物面分辨斑的尺寸时,减小激光光斑尺寸能减弱散斑时间相关性。对于以上结果进行了相关的理论模拟和部分实验验证,通过模拟发现,激光光斑小于成像系统物面分辨斑时,散斑时间相关长度和光斑尺寸大小成正比。结论对于激光投影系统中利用时间平均进行的散斑抑制具有指导意义。     

Michelson干涉型光纤弱磁场传感器信号检测电路研究

针对Michelson光纤弱磁场传感器的特点,设计和实现了控制和信号检测系统。着重对传感器信号检测部分的电路进行了分析和研究,采用了相位自跟踪锁定放大技术进行微弱信号检测;针对磁致伸缩材料的非线性响应特点,设计了定偏闭环反馈系统,使探头始终工作在最佳偏置磁场下。经实验验证,系统灵敏度高,抑制噪声能力强。     

基于网络发行的PDF文档版权保护系统的设计与实现

针对目前文档版权管理领域的需求,提出了基于网络发行的PDF文档版权保护整体解决方案.在系统中,采用了一种新的基于机器指纹的版权保护方法,使内容许可证与用户的机器指纹及用户的个人信息绑定.PDF文档内容采用高强度的对称密钥算法加密,客户端采用Acrobat插件开发技术来实现,最终PDF文档得到了内容级的加密保护,并且文档只能在本地按照内容许可证的要求进行解密及可控使用,从而在整个数字内容生命周期实行版权保护.     

双基地雷达的主要性能分析与试验方法研究

双基地雷达的主要性能指标均与收/发两站的布站方式及目标所处的空间位置有关,这与单基地雷达有很大的差异,不能直接采用单基地雷达的试验方法来检验双基地雷达的主要性能指标。为解决双基地雷达的试验与性能评估问题,重点围绕双基地雷达的探测范围、测量精度、分辨力等主要性能进行了理论分析与计算,据此提出了合理可行的双基地雷达主要性能试验方法,有关研究成果已经在一个实用双基地雷达中得到了成功的应用。     

低相位噪声压控振荡器设计

分析了LC压控振荡器(VCO)相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器.采用TSMC 0.18 μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路进行仿真.在电路的偏置电流为6 mA、电源电压VDD=1.8 V时,输入控制电压为0.8～1.8 V,输出频率变化为1.29～1.51 GHz,调谐范围为12.9%,相位噪声为-134.4 dBc/Hz@1MHz,功耗仅为10.8 mW.     

基于改进混合蛙跳算法的CVRP求解

该文提出基于实数编码模式的混合蛙跳算法(Shuffled Frog Leaping Algorithm,SFLA)求解容量约束车辆路径问题(Capacitated Vehicle Routing Problem,CVRP);把具有极强局部搜索能力的幂律极值动力学优化(Power Law Extremal Optimization,-EO)融合于SFLA,针对CVRP对-EO过程进行设计和改进。改进的-EO采用新颖的组元适应度计算方法;采用幂律概率分布来挑选需要变异的组元;根据最邻近城市表,采用幂律概率分布挑选变异组元的最佳邻近城市,执行线路间或线路内的变异。求解测试库中的实例,证明该改进算法有效。     

Cu掺杂对ZnO量子点光致发光的影响

通过溶液法合成了Cu掺杂ZnO量子点。X射线衍射(XRD)和高分辨电子透射电镜(HRTEM)图像显示Cu掺杂ZnO量子点具有六角纤锌矿结构,晶粒大小为4～5nm。Cu掺杂抑制了ZnO量子点颗粒长大。室温光致发光(PL)谱观察到紫外带边和可见区两个发射峰。随着Cu掺杂浓度的增大,紫外荧光峰位发生缓慢红移,由366nm移到370nm;可见区发射峰位发生蓝移,由525nm移到495nm;同时,两个发射峰强度降低。光谱结果表明:Cu的掺入,一方面抑制表面与O空位有关的缺陷,在495nm出现了与Cu1+有关的发射峰;另一方面,Cu离子掺入ZnO量子点引入一些非辐射中心,降低了自由激子发射。     

基于介电电泳组装技术的PEDOT/PSS-SWCNTs气体传感器的研究

采用介电电泳技术组装制备PEDOT/PSS-SWCNTs纳米气敏薄膜,并研究外加交流电场的频率、电压及组装时间与气体传感器的导电及气敏性能的关系.结果表明,良好分散在PEDOT/PSS基质中的SWCNTs定向排列在叉指电极对之间.当频率在0.5～10 MHz的范围内,传感器的电导率及气敏响应的变化不大.由电场电压引起的传感器性能的变化趋势与组装时间引起的相似,即随着电压或时间增大,传感器的电阻增大,而气敏响应则先增后减.当电场频率为2 MHz、电压为5V、组装时间为3 min时,PEDOT/PSS-SWCNTs纳米气敏传感器对10 9级别的H2S气体最为灵敏.