碾压砼坝坝面作业施工机械的匹配

运用正交模拟，探讨碾压砼坝坝面作业的最佳匹配，可大大减少方案的计算量。     

应用反演法计算尼日利亚Num River油田断层的三维几何形态和滑动向量

本文把一种能确定任何形状和规模正断层的三维几何形态的一种通用自动方法应用于尼日利亚Nun River油田的三维地震反射数据的反演。除了计算断层的几何形态处,此法亦能自动追踪扩张方向(例如滑动向量的水平分量),而不需要事先对断层的形状和扩张方向有任何了解。计算结果是通过最大限度地缩小由两个或多套断层间的不拟合值而找到的。在本文讨论的例子中,预测断层面与地震成像的断层极为一致。尽管计算扩张方向与断层的平均走向斜交,此参数值仍不能较好地求解。我们的方法与标准的平衡剖面法在两个重要的方面有显著的不同。首先,我们假设扩张方向是未知的;第二,应用反演理论能确保了解所计算断层的几何形态的正常置信度区间。这一点对勘探或生产规模上遇到的一系列问题都有着重要意义。特别是,一旦确定了三维位移场,上盘构造的三维重建恢复等难以解决的重要问题变傅容易解决了。     

苏联乌拉尔优地槽造山作用形成的花岗岩类中的金

本文介绍了苏联主要产金区东乌拉尔优地槽从造山作用早期到造山作用期后3种不同的花岗岩类组合中金的分布特征,讨论了某些产矿(金)花岗岩类金的含量增高原因以及花岗岩类中磁铁矿、黑云母、黄铁矿、榍石和白云母等矿物中金含量,并认为可能有金的专属性岩浆的存在和探讨了金矿生成的原因。     

清除高剂量离子注入中产生的表面沾污

采用Auger电子分光镜(AES)检测由高剂量离子注入产生的硅上表面沾污层。纵向剖面分析证明当在注入机靶室的真空系统中用普通扩散泵油,Si~ 或BF_2~ 的高剂量注入导致～100A厚的碳质表面层。注入机剩余真空的碳氢化合物的物理吸附以及辐照感应聚合反应是形成这种沾污层的最大原因。在重注入硅中经常观察到这种沾污层可引起非均匀腐蚀特性和非欧姆接触结构。用有机溶剂清洗或过氧化物清洗溶液,在550℃下退火100分钟,并按势垒层剥除工艺估计阳极氧化及HF解吸作用。只发现HF解吸和阳极氧化对完全清除聚合层有效。实质上,用过氟化聚醚油替换靶室真空系统中的普通扩散泵油清除沾污。最近几年,在制造双极晶体管,FET源和漏区以及在其它各种应用中,对用高剂量离子注入工艺的要求日益增长。然而,已知离子束感应吸附的碳氢化合物聚合,导致在离子注入的样品(1.2)上形成碳化表面沾污层。注入机的剩余真空是碳氢分子的主要来源。沾污层的厚度随剂量的增加而增长,所以,重注入Si呈现出可注意到的沾污问题,反冲碳可产生结构上损伤浅P—n结的反相电流,并在注入退火后形成硅碳化物。为了更好的了解这种沾污问题并阐明解决方法,使用Auger电子分光镜(AES)检查在各种注入条件下制备的高剂量注入的硅表面层。估计了各种表面层的剥离技术,也分析了注入机真空系统中的注入温度效应和扩散泵油的种类。最后,估计化学腐蚀和欧姆按触结构对表面沾污的效应。