广东电力特种光缆存在的问题及解决方法

分析了广东电力系统特种光缆应用在工程建设、运行维护等方面出现的问题，以及对电网保护等业务的影响，提出了解决办法和方案，特别是从电网安全运行角度去理解ADSS电腐蚀问题，以及近期广电集团的具体措施。     

Cit-CSP及其应用

介绍了Cit-CSP--Cit/E-commerce信息安全保障平台子系统，并阐述了它所提供的消息摘要、块加密、加密(公钥)、签名和MAC等功能和服务。     

透红外大尺寸氧氟化物玻璃研究

锗酸盐和氟铝酸盐透红外玻璃材料作为窗口或头罩材料具有广泛的应用前景。结合锗酸盐玻璃含有少量水的问题，在成分中引入氟化物，实验表明：随氟化物含量增加．玻璃中羟基含量逐渐降低。同时通过对熔制温度的调整，获得了不合羟基的红外玻璃。针对氟铝酸盐玻璃在冷却过程中易析晶的问题，在氟化物组分中加入少量重金属氧化物TeO2，得到析晶性能好的氧氟铝酸盐玻璃。同时给出了两类红外材料的一些物理、化学性质。     

清华屏蔽实验反应堆中子注量率能谱的调节和测量

叙述了采用多种屏蔽过滤方法,通过实验获得多种条件下的中子注量率能谱的调节和测量。     

二厘米微波衰减标准装置不确定度的验证

采用传递比较法对二厘米微波衰减标准装置不确定度进行了验证。测量标准装置的重复性以组内实验标准偏差sn(A)定量表征，测量标准装置的稳定性用组间实验标准偏差sm定量表征。     

“新时期统计文化建设研讨会”综述

统计文化是一种行业性的亚文化,是科学文化与人文文化的结合。在新的历史时期,统计文化有着丰富的内涵和表现形式,其中深层次的精神文化居于核心地位。统计文化对统计人员的影响往往体现在统计职业道德之中。统计文化建设是一项复杂的系统工程,必须坚持以人为本。     

中国部分地区甲型肝炎病毒基因型分析

目的　分析中国部分地区甲型肝炎病毒 (HepatitisAvirus,HAV)的基因型。方法　采自辽宁 (LN1、LN2、LN3 )、上海 (Lu3 8)和云南 (YN)甲型肝炎病人的粪便标本共 5份 ,从中分离纯化HAV并提取病毒RNA ,以逆转录 半嵌套聚合酶链式反应 (RT hnPCR)合成VP1 2A交接区及VP1氨基端 ,经克隆筛选后进行测序分析。结果　所分离到的 5株HAV野毒株VP1 2A交接区 168个核苷酸 (nt)的片段与IB亚型的野毒株HM175比较 ,核苷酸差异 >7.5 % ;与IA亚型的日本野毒株AH1、AH2、AH3、FH1、FH2和FH3比较差异 <7.5 % ,因而均属IA基因亚型。但与IB亚型的野毒株MBB比较 ,LN1、LN3和Lu3 8在该区域的核苷酸差异 <7.5 %。进一步将LN1的VP1 2A交接区 3 3 9nt的片段、LN3和Lu3 8的VP1氨基端的核苷酸序列与MBB进行比较 ,核苷酸差异 >7.5 % ,表明这 3株HAV仍属IA基因亚型。结论　所分离到的HAV野毒株LN1、LN2、LN3、Lu3 8和YN均属IA基因亚型     

雷达仿真系统中电磁干扰环境的仿真设计和实施

雷达仿真系统是为检测雷达设备的抗干扰能力以及在各种电磁环境下的工作性能而设计的，包括有源干扰和无源干扰的模拟仿真。本文阐述了无源干扰即杂波的散射模型和仿真过程；从同步脉冲干扰的基本原理出发，阐明在雷达工作环境仿真系统中距离拖引、速度拖引、虚假目标等同步脉冲有源干扰的设计和实施过程；并针对工作在搜索和跟踪交替模式下的相控阵雷达提出自适应综合干扰方式；最后分析并总结了系统仿真时为真实、有效地模拟电磁干扰环境应注意的关键问题。     

LaNiO3薄膜热稳定性的研究

LaNiO3导电金属氧化物薄膜在现代应用科学研究中作为电极和过渡阻挡层倍受青睐，它具有很好的导电特性和稳定性。该文采用射频溅射法制备了具有(100)择优取向的赝立方结构LaNiO3-x薄膜，并进行了原位热处理。实验结果表明，在265℃的处理条件下，LaNiO3薄膜表现出不稳定性，晶格中的氧在2h内失去了2.7％。氧的损失对品格结构没有明显影响，但薄膜的导电性能明显下降，折射率和消光系数也具有相同幅度的下降。对薄膜的应用具有一定的影响。该文从LaNiO3薄膜的导电机理方面对实验现象给出了分析和解释。     

PbZr0.52Ti0.48O3薄膜红外椭圆偏振光谱研究

用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5～ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 .