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991.
系统面向中石油域用户提供了安全、高速的数据传输服务.实现了数据传输DES加密、用户登录LDAP限制、系统安全审计、空间容量扩容等功能.充分利用SAN网络光存储设备,同时也为油田网络存储应用的开发提供了成功经验.  相似文献   
992.
介绍了当前国内外采油污水软化技术的研究现状,及几种常用的软化技术的软化机理及其应用。提出各油田应根据采油污水水质情况,选择合适的污水软化处理工艺,研制新设备及药剂、开发新工艺、应用新技术是采油污水处理技术今后的重点。  相似文献   
993.
分析了齐鲁分公司200kt/a乙苯/苯乙烯装置乙苯/苯乙烯塔(T-401)分离效率低的原因,即降液管设计偏小,液体在降液管内流速过快,引起液体飞溅;安装分布器使用的石棉垫片溶胀而粉碎后堵塞了分布槽;分布器上使用的垫片脱落形成缝隙而漏液;填料装得不密实,留有缝隙;二级分布槽变形等.针对存在问题提出了相应的整改措施,并考察了整改措施实施效果.结果表明,整改后该塔的分离能力满足了工艺要求,并有一定的操作弹性.  相似文献   
994.
在宣汉-达县地区,以往仅依据地震属性来预测飞仙关组储层分布,钻探结果与实际情况不符,为此本文提出量化分析预测结合主参数分析的新方法和新思路。在量化分析中首先对飞仙关组储层进行高分辨率反演,获得储能系数图;然后结合主振幅剖面和主频率剖面分析,对储层进行预测。在研究区,本方法的预测结果与实钻情况相吻合。  相似文献   
995.
提出一种可用于说话人识别的自适应RBFN阵列。RBF网设计的核心在于确定网络中心的数目及位置,该自适应算法有效地融合了IOC与ROLS算法的优点,不仅能动态调节RBF网的隐节点数,还能使网络的数据中心自适应变化,很好地优化了网络的结构。用与文本无关的闭集说话人识别系统对该算法进行了验证,实验结果表明,该方法与传统的RBF算法相比,自适应RBF网具有较好的鲁棒性以及精简的网络结构等优点。  相似文献   
996.
源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟   总被引:3,自引:3,他引:3  
研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的减小 ,抗总剂量辐照的能力不断加强 .体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件 ,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关  相似文献   
997.
报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果.  相似文献   
998.
通过PL 谱和Raman谱对MOCVD生长Si基Al N的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1 ,Et2 ,Et3,分别在Ev 上2 .6 1,3.10 ,2 .11e V.Et1 是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2 、Et3都是由于衬底Si原子扩散到Al N引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2 .Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,Al N中Et1 和Et2 两个深陷阱中心也是稳定的  相似文献   
999.
该文针对稀疏分布的多发射/接收阵元所形成的多通道雷达系统,提出了一种分布式多通道雷达成像技术。利用发射/接收阵元角度分集和信号分集的特点,将各个通道上的信号进行相干合成获得在目标散射函数波数域二维支撑域上的等效观测。经过支撑域整形和数据重采样,可反演出目标散射函数的二维图像。该雷达成像系统不需要庞大的天线,只需要多通道雷达的单次快拍即可成像,从而避免了ISAR成像中的运动补偿问题。并且由于采样点在波数上的位置已知,可对重构的目标二维散射函数进行准确地定标。文中给出了具有宽带发射信号的多通道成像系统,仿真结果表明了该系统具有很好的成像性能。  相似文献   
1000.
用于雷达的LDMOS微波功率放大器设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
硅LDMOS晶体管以其大输出功率和高效率等优点作为微波功率放大器广泛应用于雷达发射机中.在大信号S参数无法获得而厂家提供的1710 MHz~2110 MHz范围内的源阻抗和负载阻抗参数又不能用时,利用一公司的ADS软件,采用负载牵引法得到了输入和输出阻抗.在对晶体管绝对稳定性分析的基础上,运用共轭匹配,成功设计出P-1大于30W、功率增益在1580MHz~1650 MHz频率范围内、增益保持在30dB以上和PAE大于30%的2级LDMOS微波功率放大器.同时,得到了最终的版图并且运用MOMENTUM对它进行了2.5D仿真,得到了理想的结果.  相似文献   
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