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11.
随着摩尔定律逼近极限,碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)被认为是5 nm以下CMOS晶体管的有力替代者。CNTFET具有准一维结构,栅极可有效控制导电沟道的导通/关断;同时,载流子在沟道内可实现近弹道输运,具有极高的迁移率。因此,CNTFET在低电压环境下,可提供较大的电流传输能力,为实现纳米级超大规模模拟/逻辑电路提供了解决方案。文章综述了CNTFET紧凑模型的发展现状,分析了现阶段面临的漏极电流精确模型、隧穿效应、寄生效应、多纳米管模型等存在的问题,重点探讨了针对这些问题的解决方案。最后对该紧凑模型未来的应用前景进行了讨论。 相似文献
12.
随着红外技术和探测器性能的进步,中波和短波红外技术在恶劣天气中具有更优秀的成像性能,在民用、军事和航空航天等领域中得到了越来越广泛的应用。读出电路作为连接探测器阵列与后级图像处理电路的关键模块,其性能对中短波红外相机系统性能具有重要影响,决定了最终的成像质量。文章综述了中短波红外图像传感器读出电路的发展现状,分析了读出电路中噪声、动态范围、帧频等问题,重点探讨了针对以上问题的解决方案。最后对读出电路未来设计的改进方向进行了讨论。 相似文献
13.
14.
利用蒙特卡罗方法和~(252)Cf中子源研究了在准直热中子入射束下,15%~30%(质量分数)碳化硼含量的Al-B_4C复合材料的中子吸收系数和宏观截面。结果表明,Al-B_4C复合材料的中子吸收系数随碳化硼含量增加而增大,相同碳化硼含量的材料其中子吸收系数随厚度的增加按指数规律变化;~(252)Cf中子源测试得到的中子吸收系数比0.0253eV单能热中子计算得到的吸收系数低0.5%~4.3%;Al-B_4C复合材料的宏观截面随着碳化硼含量的增加呈线性递增的关系,而且理想热中子0.0253eV下的递增率(0.97925cm~(-1)/%)大于~(252)Cf中子源构建0~1eV中子下的递增率(0.58537cm~(-1)/%)。 相似文献
15.
通过直接氯化法,制备高纯无水InCl3,得到实验最佳反应温度为600 ℃。以热力学平衡计算为理论依据,用吉布斯自由能函数和平衡分压对体系中的反应方向和限度进行数据分析,确定不同温度下反应得到的理论产物,并通过分子动力模拟计算,进一步揭示体系中反应温度和反应机理的关系。理论计算结果表明,在反应温度为665 ℃以下时,In与Cl2反应生成In2Cl6后再分解为InCl3和其他副产物,在反应温度为665 ℃以上时,可直接得到主要产物InCl3;而实验结果与理论计算存在的65 ℃误差,说明反应过程中平衡状态与非平衡状态间存在差异。 相似文献
16.
阐述了基于PXI总线和LabWindows/CVI软件平台的战术导弹测控系统的研制方案,结合信号特性对系统的组成和总体技术结构进行了分析,介绍了软硬件设计方法及系统容错设计;从导弹控制系统分析、设计和动态性能评估的角度出发,提出了动态测控思想,并有创意地提出了将系统中单一的目标灯替换为目标灯点阵,按导弹运动轨迹,控制目标灯点亮的时序这一思想,最后利用控制指令算法对该思想进行了验证;使用证明,该系统工作可靠,出色地完成了对导弹装备的测试与故障诊断任务。 相似文献
17.
条件均值谱选取记录的结构抗倒塌易损性分析 总被引:4,自引:0,他引:4
以抗倒塌易损性分析方法中的强震记录选取环节为研究对象,为了更好体现不同场址的地震动危险性差异,利用目标地区地震概率危险性分析的设定地震解耦结果构建条件均值谱(CMS),进而将其进行多次调幅得到对应的目标谱,将匹配选波结果作为增量动力分析方法(IDA)的输入.以自振周期为0.5、1.0和1.5 s的3个平面框架为算例,在中国两个城市的地震安全性评价工作的基础上构建CMS谱,进行IDA分析,并将与当地一致概率谱、罕遇地震规范谱以及ATC63数据集得到的结果进行对比讨论,结果表明基于规范目标谱得到的抗倒塌易损性概率曲线最陡峭,基于一致概率谱与ATC63数据集得到的抗倒塌易损性概率曲线次之,CMS对应的抗倒塌易损性概率曲线最平缓.同时,对于较长周期的1.5 s结构,本文建议采用包络CMS谱来考虑多阶振型的影响,否则采用单点周期CMS谱会使得倒塌易损性计算结果显著低估实际的倒塌超越概率. 相似文献
18.
开展大规模风电场并网送出电网继电保护实时数字仿真(RTDS)试验,指出现有风电场送出电网继电保护存在的问题,给出风电场送出电网保护配置建议:110 kV送出线路的主保护采用分相电流差动保护,后备保护采用解微分方程算法的距离Ⅰ段,或将相量距离Ⅰ段保护延时0.15 s动作,同时配置常规距离II、III段及零序电流保护;送出变压器主保护采用差动保护,励磁涌流判据采用间断角鉴别、时差法等方法,后备保护配置复合过电流保护及零序电流方向保护;330 kV送出线路主保护配置2套独立工作的分相电流差动保护,采用电压突变量选相元件及基于零序分量的方向元件,后备保护配置与110 kV送出线路相同。(详见2013年第33卷第7期) 相似文献
19.
20.