500kV SF6电流互感器内部故障及分析

通过对一起500kV SF6电流互感器因内部损伤引起故障的原因分析,指出了设备制造厂家和设备管理中存在的问题。对该起故障的保护信息、现场检查情况、设备的内部结构进行了具体分析,确定了故障原因。对该设备的制造、运输和维护检查中的若干问题提出了改进的建议。     

基于LCL滤波器的并联有源电力滤波器电流闭环控制方法

并联有源电力滤波器(active power filter,APF)需要具有较高的补偿带宽和较低的开关纹波含量。LCL滤波器由于可以兼顾低频段增益和高频段的衰减,是APF输出滤波器的较好选择,但LCL滤波器是3阶系统,增加了控制难度。通常应用于APF电流控制的瞬时值反馈内环结合重复控制外环的双环控制性能较好,但其主要是针对单电感滤波器进行设计,难以直接应用于LCL滤波器控制。提出一种简单的内环方案,利用数字控制固有的一拍计算延时进行LCL滤波器的稳定控制,只需一个反馈量,结构简单;由于内环有效地改善了系统的特性,作为外环的重复控制器的设计相对简单。基于LCL滤波器的双环控制方案赋予了系统较高的稳态补偿精度和快速的动态响应。实验结果证明了所提出控制方法的有效性。     

能量收集认知多跳中继网络中断性能分析及优化

针对能量收集认知无线网络中的多跳中继传输问题,该文构建了一种新的具有主网络干扰的功率信标(PB)辅助能量收集认知多跳中继网络模型,并提出单向传输方案.在干扰链路统计信道状态信息场景下,推导了次网络精确和渐近总中断概率闭合式.针对精确总中断概率表达式的复杂性和非凸性,采用自适应混沌粒子群优化(ACPSO)算法对次网络总中断性能进行优化.仿真结果表明,PB功率、干扰约束、次网络跳数、能量收集比率、主接收端数目和信道容量阈值等参数对中断性能影响显著,所提算法能快速和有效地对网络中断性能进行优化.     

一种基于深度可分离卷积的轻量级人体关键点检测算法

针对网络模型执行过程耗时过长的问题,受到像素切割网络架构中的编解码结构启发,设计了一种高效的轻量级主干网络,使用深度可分离卷积作为基本的卷积模块,利用了多维自学习模块(Multidimensional Self-Learning Module, MSLM)对特征矩阵进行自适应的学习来增强有用信息权重,同时使用编解码结构对其主干结构进行效率上的优化,设计出了深度可分离网络(Codec Depth Separable Network, CSDNet),相比于MobileNet性能提升了72%,精度提升了5.2%。     

基于哈特曼原理的两相流气相参数研究北大核心CSCD

本文提出哈特曼光线追踪的方法来测量气液两相流的气相参数,并进行了理论和实验研究。首先,采用哈特曼模板获得阵列光束,通过模拟追踪光线在气液两相流中的传播过程,研究出射光线与两相流中气泡尺寸、位置等参数之间的关系,其次,建立BP神经网络模型来实现气泡参数的准确反演,仿真结果表明,气泡定位相对误差在7%以内,气泡粒径的相对误差在±4%以内。在此基础上搭建了实验系统,以已知大小的透明颗粒在垂直管道沉降模拟单个气相通过管道的过程,进行了实验研究,结果表明气泡粒径的相对误差可控制在±6%以内。     

一种高抗辐射的SOI电脉冲时间间隔测定电路

研制出一种高抗辐射的 SOICMOS电脉冲时间间隔测定器集成电路。在阐述其工作原理的基础上 ,进行了抗辐射设计与版图设计。通过实验分析找到了向 SOI材料的 Si O2 埋层注入 F+ 离子的优化注入条件 ,有效地抑制 SOI CMOS器件的阈值电压的漂移 ,提高了电路的抗辐射性能。采用注入 F+离子 SOICMOS工艺投片后测试结果表明 :该电路与同类体硅电路相比 ,具有高速、低功耗、测量精度高以及优良的抗辐射性能     

长周期光纤光栅对外界折射率的敏感性

研究了长周期光纤光栅对外界折射率的敏感特性,包括耦合波长和耦合系数随外界折射率变化的情况。运用耦合模理论,通过理论分析计算和实验测试,给出了在外界折射率小于、接近和大于光栅包层折射率等不同情况下,耦合波长和耦合系数随外界折射率变化的规律。     

多级染料激光放大器中激光增益与放大自发辐射强度的理论研究

利用激光增益和放大自发辐射 (ASE)理论 ,对不同条件下的染料激光放大器的激光增益和ASE强度进行了数值计算。分析了当入射光强远小于和大于有效饱和光强时 ,激光增益和ASE强度与入射光相对强度的关系 ,讨论了在两种条件下ASE系数以及染料池端面反射系数对激光增益和ASE成分的影响。最后利用这些结果 ,对连续激光的多级染料放大系统的优化设计进行了讨论。     

自动控制原理考试系统的设计与实现

对基于Visual Basic 6．0开发的自动控制原理考试系统的系统结构做了阐述，并简要介绍了该系统的设计思想、主要功能及实现方法。     

基于L298N芯片对离子渗氮中压强的控制

离子渗氮工艺对炉体内压强的控制要求比较高，本文设计了一种基于L298N芯片驱动直流电动机控制的气体流量控制器，可用于控制反应炉的抽气气体流量，提高了炉体压强控制精度，降低了生产成本。