PWM整流器高功率因数的实现

论述了交流斩波电路中控制部分的工作原理，并对该电路中电抗器的取值进行了计算。采用16位80C196KC单片机能使控制电路非常简单，并容易实现高频开关器件整流器的高功率因数。     

10 Gb/ s 0. 18 􀀁m CMOS 激光二极管驱动器芯片

基于0．18μm CMOS工艺设计的10Gb／s激光二极管驱动器电路。核心单元为两级直接耦合的差分放大器，电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术以扩展带宽，降低功耗。模拟结果表明，在1．8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb／s速率上，输入单端峰峰值为0．3V的差分信号时，在单端50Ω负载上的输出电压摆幅可达到1．4V，电路功耗约为85mW。     

尿素对以硝酸铝和葡萄糖为原料合成氮化铝粉末反应过程中相变及反应速率的影响

以硝酸铝(Al(NO3)3·9H2O)和葡萄糖(C6H12O6·H2O)为原料,利用碳热还原法制备氮化铝粉末,研究了尿素对前驱物的制备及前驱物氮化反应的影响,研究发现添加尿素合成的前驱物和未添加尿素合成的前驱物在氮化反应过程中相变和反应速率存在较大差异。在没有添加尿素合成的前驱物的氮化反应过程中,出现了γ-Al2O3、α-Al2O3、AlON和AIN相,该前驱物的反应速率慢,完全氮化需要在1600℃下才能完成。对于添加尿素合成的前驱物而言,在其氮化反应过程中仅出现了γ-Al2O3和AIN相,没有α-Al2O3和AlON的生成,AIN直接由γ-Al2O3氮化生成,该前驱物的氮化反应速率快,氮化反应温度低,在1400℃下即可实现完全氮化。分析讨论了两种前驱物的氮化反应速率不同的主要原因,并利用XRD、SEM等分析方法对粉末进行了表征。     

钨青铜(TB)型晶体材料的分子设计及其新进展

在TB型晶体结构讨论的基础上，着重阐述分子设计的方法在TB型晶体材料研究中的具体运用，以及近年来所取得的新进展；指出了国内在TB型晶体材料研究方面与国外存在的差距和今后的努力方向。     

Selective recognition in molecularly imprinted polymer and its chromatographic characterization for cinchonine

A molecularly imprinting polymer (MIP) was synthesized via bulk polymerization under different conditions using anti-ague drug cinchonine (CN) as template. Infrared spectra (IR) results show that the template CNand functional monomer α-methyl acrylic acid (MAA) formed complexes before polymerization and the structure of complexes was simulated by Hyperchem. The results indicate that there are hydrogen bond or ionic bond between functional monomer and template molecule in acetonitrile solution. The MIP made in cold-initiated photo-polymerization has higher separation performance than that in the therm-initiated polymerization. The separation of the isomers CN and cinchonidine (CD) can be successfully obtained when its separate factor α reaches 1.82. Scatchard analysis suggests that the MIP recognizing CN with two classes of binding sites. The partition coefficient Kd, 1 and apparent maximum number nmax, 1 of binding sites with high affinity are 131.43 μmol/L and 58. 90 μmol/g, respectively,while Kd, 2 and nmax, 2 of binding sites with low affinity are 2.32 mmol/L and 169.08 mmol/g, respectively.     

山前平原地下水侧向补给潜力空间变异模拟

SWAT模型利用分辨率较高的DEM数据,可以估算山前地下水侧向补给的空间变异,并可以计算不同降水年型下补给量的差别。模拟需要对研究区进行填洼、流向确定、汇流和河网水系的提取四步运算,并对河道临界支撑面积的取值进行分析。分别模拟了平水年和丰水年两种降雨年型下研究区13个出水口的地下水侧向补给潜力。在研究区,由于地形的变化,导致山与平原交接断面上出水口的集水面积变异非常大,因此山前平原所接受的地下水侧向补给量的空间变异也非常大。不同的降雨年型下,降雨量转化为地下水侧向补给量的比例也不同。平水年的转化比例较小,丰水年的转化比例较大。应用SWAT模型时,与ArcView的拓展模块有机结合,可以更方便提取完整的大流域,划分出合理的子流域。     

Processing Expertise Systematically

The lack of a systematic approach to the management of expertise represents a major difficulty for knowledge engineers.In this paper,we present a framework for assessing knowledge-based expert systems.We show by examples how this framework may be used to guide the development of these systems.Finally ,we discuss the implications of this work and suggest areas of interest for future research.     

胶溶法合成 TiO_2超微粒子

用胶溶法合成了 TiO_2超微粒子。研究了反应物浓度、胶溶剂用量、胶溶温度对胶溶过程的影响,以及表面活性剂 DBS 的量与 Ti 萃取率的关系。探讨了合成超微粒子 TiO_2的最佳条件,分析了产品的特性。200℃热处理得到的产品为非晶型圆球状,粒度均匀,平均6.0nm,在许多有机溶剂中具有良好的分散性和透明性。550℃得到晶态锐钛矿型超微粒子 TiO_2,粒度为8.5nm。700℃热处理得到金红石型TiO_2,粒度为33.2nm。     

Fabrication and Room-Temperature Single-Charging Behavior of Self-Aligned Single-Dot Memory Devices

Self-aligned single-dot memory devices and arrays were fabricated based on arsenic-assisted etching and oxidation effects. The resulting device has a floating gate of about 5-10 nm, presenting single-electron memory operation at room temperature. In order to realize the final single-electron memory circuit, this paper investigates process repeatability, device uniformity in single-dot memory arrays, device scalability, and process transferability to an industrial application     

金属材料性能试验数据的统计处理

详细阐述了试验数据的表示方法以及数据统计的方法，分析了测量数据的不确定性产生的原因及其确定和测量误差产生的原因及其传递。