驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

控制系统的非线性分析及设计

利用控制系统的计算机辅助设计(CACSD)的Matlab软件包，采用非线性分析设计法，对某雷达控制系统进行了分析与设计，实测性能良好，并在工程中得到应用。     

基于移动端多天线系统的无线衰落信道模型

根据当前无线移动通信对多天线移动接收端性能仿真的要求，讨论并建立了适于空时信号处理的移动端矢量信道模型。通过分析无线移动信道特点。研究了影响接收信号幅度相位的诸多因素，建立了相应的数学模型。并对随机参数选取进行了探讨。其中考虑到移动端接收信号到达角扩散的特点，采用GBSB椭圆模型产生了适于移动端接收信号仿真的随机角度，改进了一种瑞利衰落生成算法。最后信道的数值仿真结果符合理论和经验。同时，通过TD-SCDMA系统链路级仿真，也证明了该信道模型的有效性。     

NiCuZn铁氧体和银内电极的共烧行为

NiCuZn铁氧体正作为磁介质广泛地应用于低烧多层片式电感，因此有必要对其与银内电极的共烧行为进行研究。该文主要介绍NiCuZn铁氧体／银内电极多层复合体共烧过程中的烧结收缩、界面反应、扩散对介质性能的影响。尖晶石结构中存在相当数量的空位，这为银离子提供了一定的溶解度，因此在共烧过程中银对铁氧体的相组成影响较小。银对铁氧体性能的影响体现在两个方面。一方面是由于银具有相对低的烧结温度，从而在烧结过程中起到助烧剂的作用，促进致密化过程，提高烧结体的密度和磁导率；另一方面，银促使铁氧体中的铜在晶界处析出，导致晶界处应力，使磁导率降低，晶粒生长也被一定程度地抑制。     

包装机中塑料薄膜常热式热封参数的实验研究

文中通过对包装机中常热式热封过程的分析及有效的实验，获得较为可靠的热封实验数据，并利用专业统计软件spss对实验数据进行处理，得到包装机中塑料薄膜的封口强度与操作参数之间的关系，为设计人员提供了一种获得最优操作参数的有效方法。     

高非线性光纤及其应用

介绍了各种高非线性光纤的原理，并对其在超连续（SC）脉冲的产生和波长变换上的应用作了讨论。     

ADSS光缆的力学计算

介绍了ADSS光缆的力学计算，给出了光缆弧垂、张力、应变和悬长等计算公式，并对普遍采用的“悬链线”和“抛物线”两种计算方法加以比较。     

铜基催化剂孔隙率对气体有效扩散系数的影响

研究了18种具有不同孔结构参数的粒状铜基甲醇合成催化剂孔隙率对有效扩散系数的影响。结果发现，催化剂微孔孔隙率增大，曲节因子亦增大，扩散阻力增加。将孔隙率与催化剂曲节因子关联，得到了半经验方程，用它可估算催化剂的曲节因子。     

Z900MCM综述

介绍了Z900 MCM设计和布局,可控塌陷芯片连接(C4)工艺在Z900 MCM组装中的应用。从设计上通过加入垂直电感器及去耦电容器减小其噪声。通过基板测试和功能测试,剔除有缺陷的基板和芯片。Z900 MCM采用先进的MCM—D技术和MCM返工及冷却技术。Z900 MCM平均无故障时间高达40年。     

松潘-甘孜褶皱带的深部地壳构造特征及油气前景

四川松潘-甘孜褶皱带一直是地球科学家关注的一个焦点。近年来，石油地质学家也对它表现出了很大的兴趣。根据地震测深、重、磁、电等的探查，发现该褶皱带深部有一低速高导层，而对大火成岩省一峨眉玄武岩喷溢-地幔柱的认识深化均表明，四川松潘-甘孜褶皱带是可望获得油气勘探突破的靶区，重要的是断裂构造、圈闭、储集层的耦合与优化。