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951.
952.
The microstructure and properties of tetrahedral amorphous carbon (ta-C) films deposited by the filtered cathodic vacuum arc technology has been investigated by visible Raman spectroscopy, AFM and Nano-indentor. The Raman spectra have been fitted with a s 相似文献
953.
李振华 《理化检验(物理分册)》2003,39(5):261-263
对在爆裂的水冷壁管正常管段和鼓包处所取的试样分别进行化学分析、金相检验、硬度测定和高温拉伸试验。分析结果表明,在近烧嘴的炉管长期处于超温工作状态,引起该部位材质严重劣化,高温强度不断下降,当该部位的高温强度低于锅炉炉管对材质所要求的技术条件即会发生爆裂。对炉管的继续使用提出了应急的预防措施。 相似文献
954.
部分样本雷达信号的参数估计 总被引:1,自引:0,他引:1
线性调频信号参数检测是SAR对抗的一个重要问题 ,其估计参数的方法有多种 ,但对于分析部分样本LFM信号而言 ,绝大多数估计方法的误差很大。在用快速相关解线调估计和分析部分样本LFM信号存有误差的基础上 ,提出了一种改进的快速相关解线调算法运用于部分样本LFM信号的起始频率和调频斜率参数的估计 ,减小了误差。最后对改进的算法进行了仿真 ,证实了改进后的有效性。 相似文献
955.
双层堤基水文地质结构特殊,堤基承压水常具独特的“渗而不流”特征。在“不流”条件下,堤后盖层薄弱处受超高承压水头顶裂破坏,产生的局部冒水孔实属承压自流井,由此形成的管涌实质为井涌。底部进水的承压井流影响范围不大,井涌的破坏范围更小,据此可区分出有害管涌与无害管涌。前者局限于堤脚附近,小范围压渗为首选方案;对后者,既无需专门防治,更不必追求根治。 相似文献
956.
钕铁硼在低音扬声器磁路中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍适用于低音扬声器的两种不同充磁方向磁体联合应用磁路。讨论了联合应用磁路所用钕铁硼磁体的压制成型、磁性能检验、装配和充磁。 相似文献
957.
阐述了ADSLMODEM远程管理的意义及应遵循的原则,并对远程管理的方案作了简要阐述,最后比较分析了不同方案的优缺点。 相似文献
958.
959.
对甲基丙烯酸三氟乙酰氧乙酯(TFAOEMA)的阴离子聚合及原予转移自由基聚合进行了研究。常用的阴离于引发剂如丁基锂、1,1-二苯基已基锂等很难引发TFAOEMA的阴离子聚合,而碱性较弱的引发剂如三乙基铝却容易引发,且产率较高。以氯化亚铜、五甲基二乙基三胺、溴代丙酸乙酯为引发体系的TFAOEMA的本体原子转移自由基聚合符合活性聚合特征。但在四氢呋喃为溶剂的原子转移自由基聚合中却存在活性中心失活现象。以末端含卤素的聚甲基丙烯酸甲酯为大分子引发剂,引发TFAOEMA的原子转移自由基聚合,得到了含氟双嵌段聚合物。 相似文献
960.
Lianshan Yan Yeh C. Yang G. Lin L. Chen Z. Shi Y.Q. Willner A.E. Yao X.S. 《Lightwave Technology, Journal of》2003,21(7):1676-1684
We demonstrate the first programmable group-delay module based on polarization switching. With a unique binary tuning mechanism, the device can generate any differential group delay value from -45 to +45 ps with a resolution of 1.40 ps, or any true-time-delay value from 0 to 45 ps with a resolution of 0.7 ps. The delay varying speeds for both applications are under 1 ms and can be as fast as 0.1 ms. We evaluate both the dynamic and static performances of the device while paying special attention to its dynamic figures of merit for polarization-mode dispersion emulation and compensation applications. Our experiment shows that the device exhibits a negligible transient-effect induced power penalty (<0.2 dB) in a 10-Gb/s nonreturn-to-zero system. 相似文献