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新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
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黄河流域委属大河控制站站网布局分析检验与调整 总被引:4,自引:0,他引:4
简要论述了黄河流域委属大河控制站的基本情况,通过资料分析,按“直线原则”计算了黄河大河控制站布站数目的上、下限,并调查分析落实了各河段近期和中长期治理开发对水资料的需求,确定各河段测站数目的采用值;对照现有站数,结合测站位置,功能,测验,生活条件等,逐段逐站进行审查,综合评估,决定测站的撤,迁,留,并对密度不足的河段提出了设站意见。 相似文献
186.
Cif2000平台下的核磁共振测井解谱方法研究 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了在Cif2000多井解释平台下的核磁共振解谱方法与编程实现。解谱采用加入平滑因子后在特征矩阵的奇异值分解中截去小的非零奇异值的方法,可以在低信噪比时得到稳定的弛豫谱,在油田实际应用中证明了该方法的有效性。根据该方法在Cif2000平台上编制了完整的解谱处理程序,可以直接用于油田的生产实际。 相似文献
187.
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试论会计电算化系统的内部控制 总被引:6,自引:0,他引:6
阐述了会计电算化系统产生和发展对内产控制的影响,以及内部控制的实施方法。 相似文献
190.
The formula and program for calculating the total and negative first harmonic interaction impedance from the data of “large
perturbation measurement” are given. This program is a part of the programs for CCTWT design. 相似文献