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采用溶胶凝胶方法成功地制备了掺杂稀土铽离子的 Zn O和 Mg0 .1 5Zn0 .85薄膜。通过对 X射线衍射结果的分析表明 ,稀土离子替代了 Zn2 +的格位 ,进入了半导体基质的晶格中。从阴极射线发光结果可以发现 ,在Mg0 .1 5Zn0 .85O基质中 ,可以观察到来源于稀土铽离子各能级的发射 ,而 Zn O:Tb的薄膜只能观察到较强的铽离子 5D4 — 7F5能级的跃迁。这可能是由于 Mg0 .1 5Zn0 .85O基质的能隙 (3 .65 e V)比 Zn O更宽 (3 .3 e V) ,其对铽离子的能量传递更有效的缘故。 相似文献
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从控制PVC异型材挤出机的工艺参数的角度,分析并论述了挤出机工艺参数对PVC异型材低温落锤性能的影响。 相似文献
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内循环好氧三相流化床处理造纸中段废水 总被引:6,自引:0,他引:6
本实验采用内循环好氧三相流化床处造纸中段废水,经过一段时间的驯化,获得了稳定的出水。CDO去除经保持在65%以上,系统对进水污染负荷的变化具有较大的承受能力。出水Cl^-的浓度有所增加,说明驯化后的微生物可能对有抽氯化物具有一定的降解作用。水气比在1/120至1/140之间可获得最好的COD去除效果。后进行絮凝处理后,出水COD降为60-80mg/L,BODo 50-60/L,色度为100-150CU,挥发性酚的质量浓度小于0.0265mg/L。 相似文献
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基于体全息技术的WDM器件 总被引:2,自引:0,他引:2
利用体全息技术制作波分复用器件是一种新方法。本文介绍了此种方法的基本原理和器件的基本性能,并报道了国外对该项技术的研究进展。 相似文献
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Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光,在50kV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm^2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍,分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT:一种用Ⅰ线光致抗蚀剂,对源、漏及栅全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT;另一种将源、漏及栅分割成两部分,其中精细部分由电子束曝光,其余部分由光学系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ 相似文献
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头盔显示器的关键技术及有关设计问题综述 总被引:6,自引:1,他引:5
头盔显示器可以提高驾驶员的态势感知能力,红外传感器提供的信息,使驾驶员的态势感知能力大大加强,头盔显示器提供的红外图像,使恶劣的天气和黑夜不再成为驾驶员作战的障碍,概述了头盔显示器的发展过程和关键技术,介绍了当前空军用头盔显示器的技术问题,解决方法,设计示例。 相似文献
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基于充放电原理实现的微电容测量电路 总被引:1,自引:0,他引:1
具有抗分布电容以及简单实用等特性的充放电电路是目前微电容测量中广泛采用的一种测量电路。本文对基于充放电原理的微电容测量电路进行了深入研究,并介绍一种基于充放电原理的实用电路。 相似文献