曲边介质波导的有限元分析

本文应用曲边有限元方法有效地计算了曲边质波导的色散特性，编制了相应的计算程序,应用本文方法计算得到的椭圆旬质波导和组合椭圆介质波导的主模和高次模的色散曲线与文献[2],[3]的结果相当吻合。     

油泵柱塞和轴承外套失效分析

对断裂的油泵柱塞、轴承外套从成分、组织、工艺等方面进行了检验分析。结果表明，柱塞首先断裂，断裂后的柱塞碎片卡住了轴承外套，使轴承外套过载脆断。而柱塞的断裂是由于热处理不当，造成淬火加热温度过高，使柱塞的显微组织出现粗大的针状马氏体，并引起淬火裂纹，导致柱塞的韧性下降，脆性增大，随着载荷作用和液压油的渗入，裂纹进一步扩展，当裂纹扩展笃柱塞有效载面积承受不了全部工作应力时，发生脆性断裂。     

基于Intel 87c196kc的某机载设备随动系统数字控制器的实现

介绍了某机载光电设备随动系统控制器的设计与实现。该控制器是基于Intel公司87c196kc的数字控制器，设计中充分利用了87c196kc较强的运算能力及其它片内功能，使得控制器设计简捷、调整灵活、体积小，提高了系统的可靠性。     

软体排在长江江新洲堤岸加固工程中的应用

介绍了长江江新洲堤段应用软体排护岸新型技术的情况，结合长江江新洲护岸工程对软体排施工、工艺、设备作简要叙述。     

微生物提高采收率技术在吉林油田的应用研究

介绍吉林油田筛选微生物菌种、菌种分类、菌种性能评价等室内研究技术和微生物放大发酵工艺、注入工艺。综合评价微生物采油现场试验研究及试验效果，讨论微生物在地层中的生长繁殖、运移及提高采收率机理。图2表5参9（李羡春摘）     

基于数字签名方案的口令鉴别方案

本文在广义ＥｌＧａｍａｌ型签名方案上建立了许多口令鉴别方案，并且提出了文［１］的三个改进方案。利用这些方案，计算机系统不仅能监测和控制口令的使用，而且可以抗击许多对口令的伪造攻击。     

一种连续波多站发射机及频谱分析

介绍了一种连续波多站发射机的新方案，从理论上对该机的发射频谱进行了分析，并与实际结果进行比较。理论和实际都证明该方案具有很好的交调抑制、谐波抑制和杂波抑制、相噪低等诸多优点。     

缓冲层对氮化镓二维生长的影响

报道了在射频等离子体（RF-Plasma)辅助的分子束外延（MBE）技术中，使用白宝石（0001）衬底，采用低温缓冲层工艺外延氮化镓（GaN)。通过原子力显微镜（AFM）的表面形貌比较及X射线双晶衍射（XRD）ω扫描摇摆曲线的分析，讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系，确立了缓冲层的三维成核，准二维生长的生长机理，并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长，进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。     

碎丝埋弧焊在大型立式储罐中的应用

大型储罐底板焊接及变形控制是保证储罐整体施工质量的关键环节,采用碎丝填充的焊接方法可以防止变形,同时可以有效地避免应力集中,提高施工质量。文章介绍了碎丝埋弧焊的原理、工艺参数和焊接方法。实践证明,填充碎丝不仅是一种减小底板焊接变形的手段,同时可以充分利用焊接热能,节约焊接时间和焊剂用量,经济效益好,是一种值得推广的技术。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。