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深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物. 相似文献
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磁铁矿精粉中组分含量波动对γ透射法测量铁品位的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
提出一种使用低能γ射线透射法测量磁铁矿精粉铁品位的方案,进行了理论分析及公式推导.分析了基体效应对测量的影响,通过分析"非Fe3O4"成分总体含量变化对测量结果造成影响,给出了基体效应的误差计算公式.分析了待测样品的含水量变化对于测量结果的影响.根据分析的结果,讨论此方案测量铁品位的适用范围. 相似文献
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XML近年来发展迅速,基于XML的B2B电子商务已经成为研究的热点。该文分析了当前基于XML电子商务存在的问题,针对中小型企业和组织的电子商务应用,研究和设计了一种轻型XML客户机。 相似文献
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通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验,研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直流参数的变化.对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析.确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火温度为500℃.退火时间为5min.该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8.9%.肖特基栅反向漏电流减小2个数量级.阈值电压绝对值减小.退火后肖特基势垒高度提高.在减小栅泄漏电流的同时对沟道电子也有耗尽作用.这是饱和电流和阈值电压变化的主要原因.采用扫描电子显微镜观察肖特基退火后的形貌,500℃未发现明显变化.600℃有起泡现象. 相似文献