NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

DIRECT RESONANCE OF TURBULENT BOUNDARY LAVER OVER COMPLIANT WALLS

１．　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＴｈｅｍａｉｎｇｏａｌｏｆｔｈｉｓｐａｐｅｒｉｓｔｏｅｘｐｌｏｒｅｔｈｅｐｏｓｓｉｂｉｌｉｔｙｔｏｌｅａｒｎｍｏｒｅａｂｏｕｔｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｔｕｒｂｕｌｅｎｔｂｏｕｎｄａｒｙｌａｙｅｒｆｌｏｗｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎｃｏｍｐｌｉａｎｔｗａｌｌｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ．Ｔｈｅｒｅａｒｅｃｅｒｔａｉｎｐｒｅｒｅｑｕｉｓｉｔｅｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓｔｏｆｕｒｔｈｅｒｔｈｅｓｔｕｄｙｏｎｔｈｅｍｅｃｈａｎｉｓｍ，ｉ．ｅ．ｔｈｅｃｏ…     

应用粒子动态分析仪研究水力旋流器流场

利用粒子动态分析仪(PDA),对水力旋流器内固相颗粒流场做了全面的测定,得出水力旋流器内固相颗粒的流态、浓度及粒度分布,为进一步查清水力旋流器的工作机理提供了重要理论依据。     

分析型全蒸发器在啤酒挥发性成分测定中的应用

综述了分型全蒸发器技术在啤酒发酵过程中的应用状况，并介绍了分析型全蒸发器模型结构及与之配合使用的连续多分支管。     

中国电子商务思考

网络经济持续走低，但电子商务的发展大方向是不会改变的。在中国，目前的主要问题是宽带网的重复建设、认证机构建设缺乏有效监管、电子商务立法滞后、物流配送系统不完善、标准化问题成为电子商务发展的障碍等，当前应做的主要是：政策的宏观引导、示范推广、加强对宽带网和认证机构建设的监管等。     

内循环好氧三相流化床处理造纸中段废水

本实验采用内循环好氧三相流化床处造纸中段废水，经过一段时间的驯化，获得了稳定的出水。CDO去除经保持在65％以上，系统对进水污染负荷的变化具有较大的承受能力。出水Cl^-的浓度有所增加，说明驯化后的微生物可能对有抽氯化物具有一定的降解作用。水气比在1／120至1／140之间可获得最好的COD去除效果。后进行絮凝处理后，出水COD降为60－80mg/L,BODo 50-60/L，色度为100－150CU，挥发性酚的质量浓度小于0．0265mg／L。