基于五维混沌系统的信号加密研究

随着计算机技术、信息技术和通讯技术等高科技技术在近年来的迅猛发展,信息加密越来越受到人们的重视。提出了基于五维混沌系统用来实现通信加密的方法,该方法利用五维混沌源信号,对原始方波信号实现掩盖加密,利用迭代次数和混沌信号的加减手段设置密码,为信息加密提供了一种新方法。     

32位高速浮点乘法器优化设计

设计了一种用于频率为200 MHz的32位浮点数字信号处理器(DSP)中的高速乘法器.采用修正Booth算法与Wallace压缩树结合结构完成Carry Sum形式的部分积压缩,再由超前进位加法器求得乘积.对乘法器中的4-2压缩器进行了优化设计,压缩单元完成部分积压缩的时间仅为1.47 ns,乘法器延迟时间为3.5 ns.     

一种改进的支持向量机模式分类方法

支持向量机(Support Vector Machine,SVM)是在统计学习理论基础上发展起来的一种新的机器学习方法,已成为目前研究的热点,并在模式识别领域有了广泛的应用.首先分析了支持向量机原理,随后引入一种改进的径向基核函数,在此基础上,提出了一种改进核函数的SVM模式分类方法.与基于IRIS数据,进行了计算机仿真实验,与基干模糊k-近邻的模式分类仿真结果比较,结果表明改进的SVM方法分类性能比模糊k-近邻算法(Fuzzy k-Nearest Neighbor,FKNN)的分类性能更好,运算时间更短,更易于实时实现.     

案例教学--开放课程"数据库系统"改革的有效模式

针对开放课程“数据库系统”的教学特点和要求,在课程改革中进行了案例教学的实践。从实际应用需求出发,通过对以数据库为核心的信息系统典型案例进行剖析、突破现有教材内容单一的局限、介绍数据库系统的新理论和新技术、利用正／反案例进行技术比较以及案例教学贯穿教学全过程等方面的做法和教学效果进行总结,指出案例教学是“数据库系统”课程改革的有效模式。     

一种适用于多种公钥密码算法的模运算处理器

文章设计了一种能够实现多种公钥密码算法（如RSA、ECC、DSA等）的协处理器。通过分析几种常用的公钥密码算法，归纳了一组最常用的基本模运算指令。基于基本指令，设计优化了处理器硬件结构。用微代码循环调用执行这些基本指令，实现其他各种模运算指令。基于这些模运算指令，处理器可实现多种公钥密码算法的运算。该处理器支持从106位到2048位多种长度的模运算。采用流水线结构设计，处理速度较快。处理器占用芯片面积小，核心电路等效门数约为26000门，适用于智能卡等对芯片面积有严格限制的应用。     

巡航导弹景象匹配算法适应性研究

文章针对景象匹配制导的需求,研究了去均值归一化、基于直方图拉伸和基于局部平滑相关匹配算法,分析了算法的适应性、计算量和实时性等,比较了每种算法的优缺点.结合巡航导弹的使用,讨论了影响匹配结果的一些基本的、可能的因素,主要是环境因素.用三种分辨率的图像作了大量的实验,针对这些算法的匹配概率及地物适应性等方面进行了编程验证和综合分析,给出了有关结论.     

UHF频段陆地卫星移动通信业务多径效应测量

UHF测段陆地卫星移动业务多径实验于1999年6月至8月间利用日本GMS140E气象卫星为信标,分别在河南郑州至开封高速公路、林州至上党方向公路以及石家庄至阳泉高速公路段进行。地面接收系统和数据处理设备安置于汽车上。此项实验的目的是为地面卫星移动通信系统的设计提供重要的信道参数。本文给出了不同环境下多径效应的累计分布特性以及相应的预测模型。     

电脉冲读出模式下PST铁电陶瓷的红外探测特性

采用性状较为一致的(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电陶瓷单元电容器对结构,结合相关电路的设计,对铁电材料的红外辐射探测特性进行了研究,测试结果表明,通过电脉冲模式读取不同温度下铁电材料的畴反转产生的开关电荷数来进行红外辐射强度的探测是可行的.通过进一步改进电容器对材料的铁电特性,改进探测电路,可望发展出结构更简单、功能更完善的新一代IR探测器件.     

FMECA与雷达设计质量研究

故障模式影响与危害性分析(FMECA：Failure Mode Effects and Criticality Analysis)技术是从工程实践中总结出来的一种可靠性分析方法,将其应用于雷达设计阶段的质量控制,有助于提高雷达产品的可靠性、安全性、维修性和保障性水平。对FMECA的特征、作用和使用原则进行了阐述,分析了运用FMECA方法,提高产品质量的基本流程和需要把握的关键环节,并对某型雷达固态发射机可靠性设计进行了研究。     

500 V体硅N-LDMOS器件研究

借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。